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EL817-G Series光耦合器光电晶体管

EL817-G Series光耦合器

分类：光电晶体管

厂家：亿光电子

产地：中国台湾

型号： EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler

更新时间： 2025-11-06T07:55:45.000Z

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标签：

光电元件宽工作温度范围光耦合器环保认证高隔离电压

简介：

EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。

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概述

EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。

参数

正向电流 / Forward Current (IF) : 60mA
正向峰值电流(1us脉冲) / Peak Forward Current (IFP) : 1A
反向电压 / Reverse Voltage (VR) : 6V
功耗 / Power Dissipation (PD) : 100mW
降额因子(温度>100°C) / Derating Factor (Above Ta=100°C) : 5.8mW/°C
功耗 / Power Dissipation (PC) : 150mW
集电极电流 / Collector Current (IC) : 50mA
集电极-发射极电压 / Collector-Emitter Voltage (VCEO) : 80V
发射极-集电极电压 / Emitter-Collector Voltage (VECO) : 7V
总功耗 / Total Power Dissipation (PTOT) : 200mW
隔离电压 / Isolation Voltage (VISO) : 5000Vrms
工作温度 / Operating Temperature (Topr) : -55~110°C
存储温度 / Storage Temperature (Tstg) : -55~125°C
焊接温度 / Soldering Temperature (TSOL) : 260°C
正向电压 / Forward Voltage (Vf) : 1.2-1.4V
反向电流 / Reverse Current (IR) : ≤10μA
输入电容 / Input Capacitance (CIN) : 30-250pF
集电极-发射极暗电流 / Collector-Emitter Dark Current (ICEO) : ≤100nA
集电极-发射极击穿电压 / Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCEO) : ≥80V
发射极-集电极击穿电压 / Emitter-Collector Breakdown Voltage (BVECO) : ≥7V
电流传输比 / Current Transfer Ratio (CTR) EL817 : 50-600%
电流传输比 / Current Transfer Ratio (CTR) EL817A : 80-160%
电流传输比 / Current Transfer Ratio (CTR) EL817B : 130-260%
电流传输比 / Current Transfer Ratio (CTR) EL817C : 200-400%
电流传输比 / Current Transfer Ratio (CTR) EL817D : 300-600%
电流传输比 / Current Transfer Ratio (CTR) EL817X : 100-200%
电流传输比 / Current Transfer Ratio (CTR) EL817Y : 150-300%
集电极-发射极饱和电压 / Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(Sat)) : 0.1-0.2V
绝缘电阻 / Isolation Resistance (RIO) : ≥5×10^10Ω
浮动电容 / Floating Capacitance (CIO) : 0.6-1.0pF
截止频率 / Cut-Off Frequency (FC) : 80kHz
上升时间 / Rise Time (Tr) : 6-18μs
下降时间 / Fall Time (Tf) : 8-18μs

应用

1. 可编程控制器 2. 系统设备，如测量仪器 3. 电信设备 4. 家用电器，如风扇加热器等 5. 不同电位和阻抗电路之间的信号传输

特征

1. 符合无卤素要求 2. 电流传输比高达50-600% 3. 输入与输出之间具有高隔离电压（VISO=5000Vrms） 4. 爬电距离>7.62mm 5. 工作温度高达+110°C 6. 紧凑的小型外形封装 7. 符合欧盟REACH标准 8. 符合RoHS环保要求 9. UL和cUL认证 10. VDE认证 11. SEMKO认证 12. NEMKO认证 13. DEMKO认证 14. FIMKO认证 15. CQC认证

图片集

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图1

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图2

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图3

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图4

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图5

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图6

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图7

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图8

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图9

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图10

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图11

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图12

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图13

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图14

EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler图15

规格书

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厂家介绍

亿光电子股份有限公司于1983年在台湾台北成立，由叶志强董事长领导。亿光拥有超过 40 年的研发经验，具有可靠的能力。凭借即时的服务和卓越的品牌声誉，亿光在竞争激烈的LED市场中名列全球前五。我们的产品在内部制造和包装，以保证最高的质量和服务。亿光提供多样化的产品组合，包括高功率 LED、SMD LED、灯具、照明元件、LED 照明模块、数字显示器、光耦合器和红外元件，适用于各种应用。

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电话

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