在当今的电子电工领域,为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时,光纤激光与半导体激光(常直接称为激光二极管)的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同,直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景,对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题,更关乎企业的核心
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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概述
参数
- 分辨率(最佳WD) / Resolution (Optimal WD) MERLIN Compact : 0.8nm@15kV
- 分辨率(最佳WD) / Resolution (Optimal WD) MERLIN VP Compact : 0.8nm@15kV
- 分辨率(最佳WD) / Resolution (Optimal WD) MERLIN : 0.8nm@15kV
- 加速电压 / Acceleration Voltage MERLIN Compact : 0.02-30kV
- 加速电压 / Acceleration Voltage MERLIN VP Compact : 0.02-30kV
- 加速电压 / Acceleration Voltage MERLIN : 0.02-30kV
- 探针电流 / Probe Current MERLIN Compact : 5pA至100nA
- 探针电流 / Probe Current MERLIN VP Compact : 5pA至100nA
- 探针电流 / Probe Current MERLIN : 10pA至300nA
- 放大倍率 / Magnification MERLIN Compact : 12-2,000,000×
- 放大倍率 / Magnification MERLIN VP Compact : 12-2,000,000×
- 放大倍率 / Magnification MERLIN : 12-2,000,000×
- 电子发射源 / Electron Emitter MERLIN Compact : 热场发射
- 电子发射源 / Electron Emitter MERLIN VP Compact : 热场发射
- 电子发射源 / Electron Emitter MERLIN : 热场发射
- 腔室尺寸 / Chamber MERLIN Compact : 330mm×270mm
- 腔室尺寸 / Chamber MERLIN VP Compact : 330mm×270mm
- 腔室尺寸 / Chamber MERLIN : 330mm×270mm
- 真空系统 / Vacuum System MERLIN Compact : 仅高真空模式
- 真空系统 / Vacuum System MERLIN VP Compact : 高真空模式和可变压力模式
- 真空系统 / Vacuum System MERLIN : 高真空模式和原位清洁
- 图像处理 / Image Processing MERLIN Compact : 分辨率高达32768×24576像素
- 图像处理 / Image Processing MERLIN VP Compact : 分辨率高达32768×24576像素
- 图像处理 / Image Processing MERLIN : 分辨率高达32768×24576像素
- 扫描速度 / Scan Speed MERLIN Compact : 17ns/像素
- 扫描速度 / Scan Speed MERLIN VP Compact : 17ns/像素
- 扫描速度 / Scan Speed MERLIN : 17ns/像素
- 图像显示 / Image Display MERLIN Compact : 19英寸TFT显示器
- 图像显示 / Image Display MERLIN VP Compact : 19英寸TFT显示器
- 图像显示 / Image Display MERLIN : 19英寸TFT显示器
应用
1. 材料研究 2. 质量保证与工业常规检测 3. 生命科学
特征
1. 提供亚纳米级分辨率 2. 支持多种检测器和分析选项 3. 可扩展的模块化设计
图片集
规格书
AI 智能分析
该产品已被18篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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构建具有增强电子转移能力的新型Z型Ag/ZnFe2O4/Ag/BiTa1-xVxO4体系用于可见光光催化降解磺胺
可见光 电子转移能力 Ag/ZnFe2O4/Ag/BiTa1-xVxO4 光催化 磺胺
构建了一种具有增强电子转移能力的新型Z型体系Ag/ZnFe2O4/Ag/BiTa1-xVxO4,用于太阳光下降解磺胺嘧啶(SAM)。研究了该材料的光催化活性,评估了质量比(ZnFe2O4:BiTaO4)、掺杂V剂量、Ag重量百分比含量及光照时间对催化性能的影响,并提出了合理的太阳光催化降解机理。结果表明:Ag/ZnFe2O4/Ag/BiTa1-xVxO4具有优异的光催化性能,负载的Ag作为电子媒介体提升了电子转移速率;特别是掺杂V与ZnFe2O4中的Fe离子形成强大电子驱动力,增强了电子转移能力。当Ag含量为2.0 wt.%且V掺杂量为0.5%(ZnFe2O4:BiTaO4=1.0:0.5)时,该材料展现出最佳光催化性能,且在光催化降解过程中表现出高稳定性和重复使用性。Z型光降解SAM过程中产生了多种活性物种(?OH、?O2?和h+),其增强的光催化活性归因于ZnFe2O4与BiTa1-xVxO4通过Ag介导并受掺杂V和Fe离子驱动的协同光催化效应。因此,这种Z型Ag/ZnFe2O4/Ag/BiTa1-xVxO4光催化技术有望实现太阳光下抗生素的太阳能光催化处理。
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采用聚焦离子束铣削工艺通过纳米压印对软材料进行表面纳米图案化,实现50%应变可调色传感器
传感器 可拉伸的 纳米制造
我们设计并制造了具有结构色的表面纳米图案化可拉伸应变传感器。通过聚焦离子束(FIB)刻蚀工艺,以硅片为模具制备出亚微米衍射图案,并借助纳米压印技术将该模具图案转移至聚二甲基硅氧烷等软质弹性体材料上。我们确定了决定传感器颜色调节性能的表面纳米图案几何结构。将该传感器拉伸(应变)至原长度的50%而不发生断裂,以此校准颜色随应变的变化关系。通过颜色变化即可可视化软体机器人大幅形变区域的应变情况,无需进行任何电学测量。
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热压与放电等离子烧结Na掺杂PbTe的晶粒生长机制及热电性能
晶粒生长 热电 热压 放电等离子烧结 ZT值
我们研究了通过不同球磨和烧结工艺合成的钠掺杂碲化铅化合物的热电性能与微观结构。学界普遍认为,由于烧结时间短,放电等离子烧结(SPS)能抑制晶粒生长,这对纳米块体复合材料有利。但与热压(HP)烧结不同,我们观察到SPS会出现异常晶粒生长。从烧结过程中的吉布斯自由能变化分析,HP烧结会增加内能而SPS会增加熵能,这导致了异常晶粒生长。透射电镜图像的晶格应变与傅里叶变换分析表明,SPS烧结样品比HP烧结样品具有更显著的晶格应变和缺陷。SPS烧结样品的低热导率并非源于晶界声子散射,而是来自晶格应变和缺陷导致的声子散射。这些晶格应变和缺陷也降低了电导率,导致功率因子和热电性能恶化。这说明对于提升热电性能而言,晶格应变和缺陷是比颗粒与晶粒尺寸控制更关键的因素。
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材料科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:研究采用湿化学法合成BiTa1-xVxO4,微波水热法制备ZnFe2O4,紫外光还原法制备Ag/ZnFe2O4/Ag/BiTa1-xVxO4纳米复合材料。在可见光照射下(使用带<400 nm截止滤光片的氙灯)评估光催化活性。 2. 样品选择与数据来源:以磺胺嘧啶(SAM)溶液(10.0 mg/L)为目标污染物。催化剂通过多种技术合成并表征。 3. 实验设备与材料清单:设备包括微波合成器(XH-800G)、汞灯(500 W)、氙灯(500 W)、高效液相色谱仪(Pro 210)、离子色谱仪(ICS 90)、X射线衍射仪(D8 Advance)、扫描电镜(Carl Zeiss MERLIN)、透射电镜(Tecnai G2 F20)、X射线光电子能谱仪(XSAM800)、傅里叶变换红外光谱仪(Nicolet Avatar 330)、紫外-可见漫反射光谱仪(U-3900)、光致发光光谱仪(F-7000)。材料包括Bi(NO3)3·5H2O、TaCl5、VCl3、Fe(NO3)3·9H2O、ZnCl2、AgNO3、硝酸、乙醇、氢氧化钠、去离子水、SAM、异丙醇、EDTA、BQ、TA。 4. 实验步骤与操作流程:合成过程包括溶解前驱体、搅拌、陈化、干燥、煅烧和光还原。光催化测试包括将SAM溶液与催化剂混合,在黑暗中搅拌以达到吸附-解吸平衡,用可见光照射,定时取样,过滤并用HPLC分析。通过清除剂和PL检测活性物种。 5. 数据分析方法:使用HPLC分析SAM浓度,离子色谱仪分析阴离子,多种光谱技术表征催化剂。动力学分析采用准一级反应模型。
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机械工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用聚焦离子束(FIB)铣削制备模具与纳米压印向聚二甲基硅氧烷(PDMS)转移图案的联合方案。设计原理是通过构建亚微米衍射图案实现结构色效应及应变调色功能,理论模型包含用于应变计算的衍射方程。 2. 样品选择与数据来源:以硅晶圆作为模具基底。PDMS通过将Sylgard 184硅弹性体基料与固化剂按10:1重量比混合,并添加1:50重量比的黑硅颜料制备而成。样品尺寸为50毫米×50毫米,图案周期为520纳米。 3. 实验设备与材料清单:设备包括FIB系统(COBRA离子柱,Orsayphysics;UST-5100样品台,FEI)、原子力显微镜(AFM;NX-10,Park Systems)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM;MERLIN,Zeiss)、光学显微镜、光谱仪(FLAME-S-XR1,Ocean Optics公司)及样品操纵器。材料包含硅晶圆、PDMS(Sylgard 184,道康宁)和黑硅颜料。 4. 实验流程与操作步骤:该过程涉及在硅晶圆上通过不同束流(150皮安,300皮安)和驻留时间(0.1秒,0.2秒,0.4秒,0.8秒)进行纳米级模具的FIB铣削。PDMS混合物经脱气处理后注入模具,在低压条件下80°C固化2小时并脱模。使用AFM和FE-SEM评估几何形貌,光学测量采用45°入射角照明与垂直反射角检测。 5. 数据分析方法:数据分析包括通过AFM和FE-SEM测量几何参数(周期、深度、直径、高度),以及利用光谱仪分析反射光强度与波长。根据波长变化采用线性近似法计算应变值。
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纳米材料与技术实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用水热合成法制备纳米棒状钒酸银及与g-C3N4的复合材料。光催化降解实验在氙灯可见光照射下进行。表征方法包括XRD、SEM、TEM、XPS、BET、紫外-可见漫反射光谱及用于中间产物分析的GC-MS。 2. 样品选择与数据来源:样品包括AgVO3、g-C3N4和Ag-AgVO3/g-C3N4复合材料。以北京倍力肯科技有限公司购买的97%纯度四环素作为抗生素污染物。数据来源于实验室实验和仪器分析。 3. 实验设备与材料清单:设备包括磁力搅拌器、循环水式多用真空泵、恒温干燥箱(GZX-9240MBE)、超声波清洗器(KQ_400KDE)、300W氙灯(北京泊菲莱科技有限公司)、752N紫外-可见分光光度计、XRD(ULTIMA IV-285E,理学)、紫外-可见漫反射光谱(U3010,日立)、场发射扫描电镜(MERLIN,德国)、XPS(ESCALAB 250Xi,赛默飞世尔)、紫外-可见分光光度计(UV-5200,上海美析)、比表面积分析仪(ASAP2020)。材料包括硝酸银、偏钒酸铵、类石墨相氮化碳、蒸馏水和四环素。 4. 实验步骤与操作流程:AgVO3通过将AgNO3和NH4VO3溶于蒸馏水,磁力搅拌4小时,过滤、洗涤并在80°C下干燥合成。复合材料制备包括将g-C3N4在水中超声处理,加入AgNO3和NH4VO3,搅拌4小时,过滤、洗涤并干燥。光催化降解实验将四环素和催化剂加入烧杯,超声处理,在黑暗和可见光下搅拌,间隔取样并用分光光度计测量吸光度。 5. 数据分析方法:使用伪一级动力学方程ln(C/C0) = kt分析降解速率数据。通过仪器数据(XRD、SEM、TEM、XPS、BET、紫外-可见)解读结构、形貌、组成、比表面积和光学性质。GC-MS用于鉴定降解中间产物。
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我们还有15 个针对不同应用场景的完整实验方案,包括详细设备清单、连接示意图和数据处理方法。
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电话
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用途