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ZEISS EVO系列 光谱分析仪

ZEISS EVO系列

分类: 光谱分析仪

厂家: 蔡司

产地: 德国

型号: ZEISS EVO Family

更新时间: 2025-11-21T03:28:49.000Z

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材料科学 ??榛杓?/span> 高性能数据质量 非导电样品分析 集成EDS系统 工业质量控制

ZEISS EVO系列是一款??榛璧缱酉晕⒕灯教?,提供直观操作、高性能数据质量,适用于常规调查和研究应用。

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概述

ZEISS EVO系列是一款??榛璧缱?a class="link-system" href="/encyclopedia/7026823225753079808.html" title="显微镜" target="_blank" rel="nofollow">显微镜平台,提供直观操作、高性能数据质量,适用于常规调查和研究应用。

参数

  • 分辨率高 / Resolution High : 2nm, 2.5nm @30kV SE with LaB6, W
  • 真空模式 / Vacuum Mode : 6nm, 7.5nm @3kV SE with LaB6, W
  • 分辨率低真空模式 / Resolution VP Mode : 3.8nm, 4nm @30kV SE with LaB6, W
  • 加速电压 / Acceleration Voltage : 0.2kV-30kV
  • 探针电流 / Probe Current : 0.5pA-5μA
  • 放大倍数 / Magnification : <7-1,000,000x
  • 视场角 / Field Of View : 6mm at Analytical Working Distance (AWD)
  • X射线分析 / X-Ray Analysis : 8.5mm AWD and 35° take-off angle
  • 光学模式 / OptiBeam Modes : Resolution
  • 光学模式 / OptiBeam Modes : Depth
  • 光学模式 / OptiBeam Modes : Analysis
  • 光学模式 / OptiBeam Modes : Field
  • 光学模式 / OptiBeam Modes : Flexible
  • 压力范围 / Pressure Range : 10-1333Pa (EVO10), 10-3000Pa (EVO15 and EVO25)
  • 可用探测器 / Available Detectors : SE
  • 可用探测器 / Available Detectors : BSE
  • 可用探测器 / Available Detectors : VPSE
  • 可用探测器 / Available Detectors : STEM
  • 可用探测器 / Available Detectors : CCD
  • 可用探测器 / Available Detectors : EDS
  • 可用探测器 / Available Detectors : EBSD
  • 处理室尺寸 / Chamber Dimensions : 310mmx320mm (EVO10), 365mmx275mm (EVO15), 420mmx330mm (EVO25)
  • 样品台 / Specimen Stage : X=100mm, Y=90mm, Z=50mm, T=-20° to 90°, R=360° (EVO10); X=140mm, Y=130mm, Z=100mm, T=-20° to 90°, R=360° (EVO15); X=150mm, Y=140mm, Z=150mm, T=-20° to 90°, R=360° (EVO25)
  • 最大样品高度 / Maximum Specimen Height : 130mm (EVO10), 180mm (EVO15), 230mm (EVO25)
  • 图像帧数 / Image Frame Rate : 32,000x24,000 pixels
  • 系统控制 / System Control : SmartSEM GUI operated by touchscreen
  • 系统控制 / System Control : mouse and keyboard
  • 电源要求 / Utility Requirements : 100-240V, 50/60Hz

应用

1. 材料科学 2. 生命科学 3. 工业质量控制 4. 失效分析 5. 微观结构分析

特征

1.??榛杓?,支持多种腔室尺寸和样品台选项 2.高性能数据质量,采用LaB6发射源 3.支持非导电样品的成像和分析 4.直观的用户界面,支持多用户环境 5.集成EDS系统,简化化学成分分析

详述

1.模块化设计,支持多种腔室尺寸和样品台选项 2.高性能数据质量,采用LaB6发射源 3.支持非导电样品的成像和分析 4.直观的用户界面,支持多用户环境 5.集成EDS系统,简化化学成分分析

图片集

ZEISS EVO Family图1
ZEISS EVO Family图2

规格书

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AI 智能分析

SCI论文引用分析

该产品已被132篇SCI论文引用

基于平台30万篇光学领域SCI论文分析

  • 掺杂铽的铈酸盐体系中具有高近红外反射率的可调色颜料在可持续节能应用中的研究
    黄色和红色颜料 太阳反射率

    通过传统陶瓷工艺,在掺杂铽的A2CeO4(A = Sr和Ba)体系中开发出从黄色到红色色调的可调色颜料。采用多种先进技术分析了所开发颜料的相纯度、化学氧化态、元素组成、形貌及光学性能。在Sr2-xCe0.6Tb0.4O4中用Ba替代会使吸收边轻微向长波方向移动,产生明亮的黄色至橙红色;而在Ba2Ce1-xTbxO4中用Tb替代则导致吸收边急剧向更长波长偏移,形成浓烈的红色调。化学氧化态分析表明,晶格膨胀引发的金属-金属电荷转移跃迁使两种体系中的Tb3+浓度发生改变。典型组分SrBaCe0.6Tb0.4O4(黄色;b* = 75.36,R = 91%)和Ba2Ce0.4Tb0.6O4(红色;a* = 30.09,R = 89%)展现出优异的显色性与反射特性。应用研究表明其在聚合物基体和混凝土板中均具有良好的着色效果及高太阳反射率。此外,这些颜料在酸/碱/潮湿环境中具有耐候性且热稳定性良好。这种兼具高太阳反射率的可持续环保型颜料组合物,凭借其色彩特性成为降低建筑冷却能耗的外墙涂料理想着色剂。

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  • 采用纳米银浆烧结的碳化硅芯片贴装及其剪切强度评估
    纳米银浆 键合线 芯片粘接 剪切强度

    本研究中,通过银纳米颗粒与有机物制备了纳米银浆料,可在250-300°C温度下将SiC芯片直接烧结在直接键合铜(DBC)基板上。该纳米银浆料实现了SiC芯片与DBC基板的牢固烧结,且芯片贴装具有优异的键合界面。芯片剪切测试结果表明,剪切强度随烧结温度升高而增加,且超过MIL-STD-883J标准要求值。施加高辅助压力时,可降低烧结温度并缩短烧结时间,从而实现高结合强度的芯片贴装。辅助压力同时影响键合线的孔隙率,采用X射线无损检测方法测量了芯片贴装的孔隙率,结果显示芯片贴装的剪切强度随键合线孔隙率增加而降低。

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  • IaB型钻石中乳白色光学特征的成因:位错、纳米包裹体与多晶钻石
    IaB型钻石 纳米矿物与矿物纳米颗粒 乳白色物质 空位体 位错 多晶金刚石

    某些IaB型钻石呈现的乳光现象近期已有多项研究,但其成因尚未完全阐明。本研究通过阴极发光(CL)、电子背散射衍射(EBSD)和透射电镜(TEM)技术,对多颗具有乳光特征的IaB型钻石进行了分析。CL检测显示,部分朦胧状IaB型钻石存在散射或定向排列的微米级发光斑点及短线性特征。TEM观测表明,这些斑点与线性特征源自位错环,该缺陷很可能是导致钻石乳浊外观的主因。研究同时发现,云雾状IaB型钻石含有八面体负晶形态的纳米级包裹体,其中部分负晶内含沉淀物——高分辨TEM证实其可解释为受压无序立方δ-N2相。在一颗含片晶缺陷的乳光IaB型钻石中,EBSD揭示了由[110]方向径向延伸的柱状钻石晶体组成的多晶区域,其形貌类似黑金刚石。综合上述观察,研究认为:位错环、纳米级包裹体(负晶)及/或放射状纤维晶体的特征晶界,是导致所研究IaB型钻石乳光外观的成因。这些发现为既往研究的IaB型钻石乳浊现象提供了补充性解释。

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实验方案推荐
AI分析生成
  • 功能材料实验方案

    1. 实验设计与方法选择:采用传统高温陶瓷工艺合成颜料。将原料(SrCO3、BaCO3、CeO2、Tb4O7)按化学计量比混合,在丙酮中湿法混匀后干燥,分别在1250°C(Sr2-xBaxCe0.6Tb0.4O4)和1300°C(Ba2Ce1-xTbxO4)下热处理6小时。 2. 样品选择与数据来源:制备了通式为Sr2-xBaxCe0.6Tb0.4O4(x=0.25、0.50、0.75、1.0、1.25、1.50、2.0)和Ba2Ce1-xTbxO4(x=0、0.20、0.40、0.60、0.80、1.0)的组分。 3. 实验设备与材料清单:设备包括粉末X射线衍射仪(PANalytical X’pert Pro)、X射线光电子能谱仪(PHI 5000 Versa Probe II)、扫描电镜(JEOL JSM-5600 LV)、能谱仪(Carl Zeiss EVO18)、粒度分析仪(Anton Paar Litesizer 500)、紫外-可见-近红外分光光度计(Shimadzu UV-3600)、热重/差示扫描量热仪(SII纳米技术公司6200)以及便携式分光光度计(Hunter Lab Miniscan EZ4000S)。材料包括SrCO3、BaCO3、CeO2、Tb4O7(Sigma-Aldrich,纯度99.99%)、PMMA、丙烯酸、聚氨酯和混凝土试块。 4. 实验步骤与操作流程:合成过程包括原料混合、干燥和热处理。表征手段包含XRD测定相纯度、XPS分析氧化态、SEM观察形貌、EDS进行元素分析、粒度分析、UV-vis NIR测定反射率和带隙、TG/DTA评估热稳定性,以及在酸碱/水中的化学稳定性测试。应用研究涉及将颜料分散于PMMA并涂覆于混凝土试块。 5. 数据分析方法:采用Tauc图法确定带隙,根据ASTM标准G173-03计算近红外太阳反射率,使用CIE1976 L*a*b*色坐标系统获取颜色参数,通过色差(ΔE*ab)评估化学稳定性。

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  • 材料科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择:研究涉及制备纳米银浆并将其烧结以将SiC芯片附着到DBC基板上。变化的参数包括烧结温度(250–300 °C)、辅助压力(0–10 MPa)和烧结时间(5–60 分钟)。剪切强度通过剪切测试仪测量,孔隙率通过SEM和X射线方法分析。 2. 样本选择与数据来源:样本包括具有Ti/Ni/Ag背金属化的650 V/8 A SiC功率肖特基二极管芯片以及具有Cu/Ni/Au金属化的DBC Al2O3基板。数据来自剪切测试和微观结构观察。 3. 实验设备与材料清单:设备包括Dage 2400剪切测试仪、DS100载荷传感器、离子铣削机(Leica EM TIC 3X)、SEM(Zeiss EVO MA10)和X射线系统(AX8200,Nissho Optoelectronics)。材料包括纳米银浆(83.5 wt.% 银)、SiC芯片和DBC基板。 4. 实验流程与操作步骤:过程包括在DBC基板上进行模板印刷纳米银浆,在150 °C下干燥5分钟,在250 °C下固化5分钟,并在250–300 °C下烧结并施加压力(0–10 MPa)持续5–60分钟。剪切测试采用100 μm的尖端距离和100 μm/s的剪切速率。微观结构分析使用离子铣削和SEM,孔隙率通过X射线和SEM图像测量。 5. 数据分析方法:剪切强度计算为最大力除以烧结面积,取五个样本的平均值??紫堵释ü呀⒌姆椒ù覵EM和X射线图像中量化。

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  • 地质学实验方案

    1. 实验设计与方法选择:本研究采用阴极发光(CL)、透射电子显微镜(TEM)和电子背散射衍射(EBSD)分析乳浊型IaB钻石的结构与光学特性。CL用于成像发光特征,TEM用于高分辨率结构分析及位错与纳米包裹体鉴定,EBSD用于微织构与晶体取向分析。 2. 样品选择与数据来源:样品采集自GIA实验室送检的钻石(包括切磨与原石),选取6颗切割为薄片进行详细研究。所有样品均为典型乳浊型IaB钻石,具有雾状或云状区域。 3. 实验设备与材料清单:设备包括配备CL系统的蔡司EVO MA10扫描电镜、JEOL JEM-2100F与JEOL 2100F透射电镜、带EBSD探测器的JEOL JSM-7000F场发射扫描电镜,以及用于制备TEM箔片的JEOL JEM-9310FIB聚焦离子束系统。材料包含钻石样品及清洗剂(盐酸与硝酸钠混合液)。 4. 实验流程与操作步骤:样品经清洗后制备为薄片。通过设定特定电压电流参数的SEM进行CL成像。TEM箔片采用FIB铣削制备,并通过TEM进行明场、暗场及高分辨成像分析。EBSD分析包含样品镀膜、取向图绘制及指定参数下的数据采集。 5. 数据分析方法:数据分析包括对高分辨透射电镜(HRTEM)衍射图案进行快速傅里叶变换(FFT)、使用EBSD软件(Channel 5.0)生成取向图与极图,以及综合解读CL、TEM与EBSD结果以确定导致乳浊的结构特征。

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我们还有129 个针对不同应用场景的完整实验方案,包括详细设备清单、连接示意图和数据处理方法。

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厂家介绍

蔡司是一家在光学和光电领域具有国际领先地位的技术企业。在上一财年,蔡司集团在半导体制造技术、工业质量与研究、医疗技术和消费市场四个领域创造了总计75亿欧元的年收入(现状:2021年9月30日)。蔡司为其客户开发、生产和分销用于工业计量和质量保证的高度创新解决方案,用于生命科学和材料研究的显微镜解决方案,以及用于眼科和显微外科诊断和治疗的医疗技术解决方案。蔡司这个名字也是领先的光刻光学的代名词,它被芯片行业用来制造半导体元件。全球对引领潮流的蔡司品牌产品,如眼镜镜片、相机镜头和双筒望远镜有需求。

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