在当今的电子电工领域,为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时,光纤激光与半导体激光(常直接称为激光二极管)的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同,直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景,对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题,更关乎企业的核心
Agilent Cary 7000通用测量分光光度计
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具有可调透明度和抑制唤醒效应的TiN<sub>x</sub>/Hf<sub>0.5</sub>Zr<sub>0.5</sub>O<sub>2</sub>/TiN<sub>x</sub>铁电存储器
基于HfO?的铁电(FE)薄膜的发现为下一代存储技术中的铁电存储器带来了巨大潜力。本文报道了采用不同氮原子含量的TiNx作为电极,在石英衬底上制备了用于透明存储应用的Hf?.?Zr?.?O?铁电存储器。TiNx/Hf?.?Zr?.?O?/TiNx结构在350-2500 nm波长范围内的透射率总体升高而反射率降低。随着氮含量增加,可见光与红外光的选择性发生变化:当N?比例从0%提升至30%时,1064 nm(红外)与532 nm(绿光)的透射选择性从79.6%增至105.3%,而反射选择性则从107.9%降至48.9%。研究测试了铁电TiNx/Hf?.?Zr?.?O?/TiNx结构高达10?次的极化循环性能,富含氮的TiNx电极器件显示出循环过程中唤醒效应的抑制。同时检测了电容器的瞬态电流回线和原子分数深度分布,结果表明富氮初始器件中氧空位缺陷较少,且循环过程中未出现显著的氧空位缺陷再分布。
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氧化铁涂层玻璃上的溅射透明导电石墨烯薄膜
本工作报道了石墨烯(G)薄膜的光学、电学及形貌特性。首先采用喷涂法在玻璃基底上涂覆氧化铁(IO)薄膜,随后通过溅射技术在IO层上制备石墨烯薄膜(G/IO复合膜)。XPS光谱分析表明,IO薄膜为石墨烯生长提供了锚定位点,从而增强了薄膜与基底的结合力。此外,该薄膜的方阻范围为16–19.5千欧/□。光学测试显示,经过后沉积热处理的G/IO薄膜透光率比未处理样品提高约11%。实际上,这些热处理后的薄膜在波长超过850 nm时透光率高于80%,并具有0.188±0.039 TPa的高弹性模量,使其成为薄膜晶体管、表面等离子体生物传感器或表面增强拉曼散射(SERS)衬底中透明导电电极的理想候选材料。
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超薄镍薄膜的特性
光学测量 超薄膜 透明导电薄膜 镍薄膜
通过在熔融石英基底上采用射频溅射法制备了导电且透明的超薄镍薄膜。通过拟合多角度分光光度计和椭偏仪数据,获得了镍薄膜的特性参数(厚度、折射率和消光系数)。X射线反射(XRR)测量推断的薄膜厚度与椭偏仪结果高度吻合。X射线光电子能谱(XPS)分析表明,薄膜表面同时存在镍金属相和镍混合氧化物相,这解释了此类薄膜具有高电稳定性的原因。
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电子科学与技术实验方案
1. 实验设计与方法选择:研究通过磁控溅射和原子层沉积(ALD)技术在石英衬底上制备TiNx/Hf0.5Zr0.5O2/TiNx结构,调节TiNx电极的氮含量并分析其光学与电学特性。 2. 样品选择与数据来源:采用商用石英玻璃衬底(20毫米×20毫米×0.5毫米),依次经piranha溶液、去离子水和O2等离子体清洗。TiNx溅射过程中设置不同Ar:N2气体流量比(0%、5%、10%、20%、30% N2)制备样品。 3. 实验设备与材料清单:设备包括用于TiNx沉积的射频溅射系统、生长Hf0.5Zr0.5O2和Al2O3的ALD系统、光学测量的通用分光光度计(Cary 7000,安捷伦)、晶体结构分析的掠入射X射线衍射仪(GI-XRD)、深度剖析的X射线光电子能谱仪(XPS)以及极化循环与瞬态电流分析的电学测量装置。材料包含TiNx靶材、Al(CH3)3(TMA)、Hf(NCH3C2H5)4(TEMAH)、Zr(NCH3CH5)4(TEMAZ)、H2O及气体(Ar、N2)。 4. 实验流程与操作步骤:衬底经清洗后通过ALD沉积30纳米Al2O3。底部TiNx层(10纳米厚)以不同Ar:N2比例溅射沉积。Hf0.5Zr0.5O2薄膜(20纳米厚)通过ALD沉积。顶部TiNx电极(20纳米厚)采用紫外光刻与溅射结合剥离工艺图案化。样品在500°C氮气环境中退火30秒。测量350至2500纳米波段的光学透过率与反射率。GI-XRD测试入射角为0.5°。极化循环采用10微秒、3兆伏/厘米方波脉冲,配合1千赫兹、3兆伏/厘米斜坡脉冲进行10^7次循环测量。分析瞬态电流回线与XPS深度分布。 5. 数据分析方法:运用标准技术处理光学光谱、XRD图谱、极化回线、瞬态电流测量及XPS分布数据,评估透光率、晶体结构、铁电性能及缺陷分布。
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材料科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:研究采用两步流程:首先通过喷雾热解法在玻璃基底上沉积氧化铁(IO)薄膜作为石墨烯生长的催化剂;其次利用射频磁控溅射在IO层上沉积石墨烯薄膜。部分样品经过后续热处理以改善性能,旨在提升石墨烯薄膜的附着性及透明导电应用特性。 2. 样品选择与数据来源:使用尺寸为2.5×2.5 cm2的钠钙玻璃基底。样品制备采用不同溅射时长(如G30表示30分钟)及有无热处理(如G30T表示经热处理)。 3. 实验设备与材料清单:设备包括喷雾热解装置、配备99.99%纯度石墨靶材(直径7.5 cm)的射频磁控溅射系统、卤素灯热处理装置、布鲁克D2型X射线衍射仪(XRD)、Witec CRC200原子力显微镜(AFM)、安捷伦Cary 7000紫外-可见分光光度计、赛默飞世尔K-Alpha系统X射线光电子能谱仪(XPS)、Witec CRC200拉曼光谱仪、KLA Tencor D-600轮廓仪、Rtec纳米压痕仪(配备伯克维奇金刚石压头)及GW Instek GOM-802四探针仪。材料包含氯化铁溶液、玻璃基底、氩气及用于清洁的异丙醇/乙醇。 4. 实验流程与操作步骤:将0.1 M氯化铁溶液在400°C下喷射至玻璃基底20秒沉积IO薄膜,基底经清洁处理。石墨烯通过150 W射频功率、400°C基底温度、1.5×10?1托氩气压强溅射30分钟制备。部分样品在真空环境下450°C热处理10分钟。表征手段涵盖XRD、AFM、透光率测量、XPS、拉曼光谱、厚度测量、纳米压痕及方阻测试。 5. 数据分析方法:采用标准技术分析数据:XRD测定结构、AFM检测粗糙度、分光光度计测量透光率、XPS分析化学成分、拉曼评估缺陷密度、轮廓仪测定厚度、纳米压痕测试力学性能、四探针法测量电阻,统计分析包含多次测量取平均值。
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光电信息科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:该设计采用包含7层的1D三元光子晶体结构,并添加装饰性颜色层。方法上使用高、低折射率材料以实现宽阻带和高透射效率。 2. 样品选择与数据来源:样品在260°C下通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备于石英衬底上。通过光学模拟与实测验证设计方案。 3. 实验设备与材料清单:采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行制备,使用分光光度计(Cary 7000,安捷伦)进行测量,光谱椭偏仪(M-2000,J.A. Woollam)用于折射率校准。 4. 实验流程与操作步骤:制备过程中在不破真空条件下交替沉积非晶硅(a-Si)和氮化硅(Si3N4)层,通过模拟计算与实测评估光学性能。 5. 数据分析方法:采用传输矩阵法进行模拟计算,通过角度分辨测量评估角度特性。
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