在现代制造业中,激光加工技术以其高精度、高效率和非接触式的特性,成为电子电工领域不可或缺的先进工艺。无论是微米级的半导体器件雕刻,还是工业级金属切割,理解激光加工的加工原理都至关重要。它不仅直接关系到产品质量和生产成本,更影响着从电工工具制造到整个配电系统关键部件的性能与可靠性。那么,激光究竟是如何实现如此精密的加工过程的?其核心原理又涉及哪些关键的电工电子
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概述
参数
- 颜色 / Colors : IR
应用
1. 红外光通信 2. 光传感器 3. 生物医学成像
特征
1. 半强度角:10度 2. 颜色:红外 3. 配置:单IC 4. RoHS认证:是 5. 视角:20度 6. 正向电流:100 mA 7. 波长:870 nm 8. 功率:22 mW (0.022 W) 9. 封装:T-1 3/4 10. 封装类型:通孔
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通过直接化学气相沉积生长的超薄全二维横向石墨烯/GaS/石墨烯紫外光电探测器
化学气相沉积 二维光电子学 硫化镓 光电探测器 紫外线 石墨烯
通过化学气相沉积法直接在石墨烯电极对之间生长大带隙层状GaS材料,制备出紫外敏感的横向全二维(2D)光电探测器件。利用硅晶圆上预图案化的石墨烯电极对,可同步制备超过200个器件。研究表明,GaS生长过程中衬底的表面化学特性会选择性地在石墨烯间隙而非石墨烯表面形成横向异质结构。实验证实石墨烯/GaS/石墨烯横向光电探测器仅对紫外光敏感,对可见光无响应。该器件能实现紫外波段选择性探测,仅在中紫外波长区产生光电流,近紫外波段无响应。在270 nm激发下,其检测限低至2.61 μW/cm2,光响应度高达11.7 A/W,光电增益达53.7。研究还展示了光电流的门控调制效应,该探测器具有长期稳定性与可重复的开关特性,响应时间低于60毫秒。这些成果为仅利用二维材料(如大带隙二维半导体GaS)构建超薄紫外传感器件提供了重要思路。
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光电信息材料与器件实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用化学气相沉积(CVD)法直接在石墨烯电极对之间生长大带隙层状GaS材料。通过在硅晶圆上预制备图案化石墨烯电极对,实现了200余个器件的同步制备。 2. 样品选择与数据来源:样品制备流程为在SiO2/Si芯片上图案化石墨烯电极对后,利用CVD工艺选择性沉积石墨烯电极间隙间的GaS材料。 3. 实验设备与材料清单:采用直径1英寸石英管的单温区系统进行CVD生长。以Ga2S3粉末为前驱体,在常压H2/Ar混合气体氛围下完成生长。 4. 实验流程与操作步骤:CVD生长包含三个阶段:氩气系统吹扫、富氢气氛中加热Ga2S3前驱体、快速冷却至室温。通过调节生长时间探究GaS的生长机制。 5. 数据分析方法:采用不同光照条件下的I?V测试表征器件电学与光电特性,结合拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)测定GaS薄膜质量与厚度。
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