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V980-10GWA-1TGA 半导体激光器

V980-10GWA-1TGA

分类: 半导体激光器

厂家: Inneos

产地: 美国

型号: V980-10GWA-1TGA

更新时间: 2023-02-07T08:00:24.000Z

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980 nm, 10 Gbps Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Diode for Aerospace Applications

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概述

Inneos的V980-10GWA-1TGA是一款垂直面发射激光二极管,工作波长为980 nm.它提供高达10 Gbps的数据速率和2.7 MW的光输出功率。这种单通道顶发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为7.5GHz,斜率效率为0.5-0.6mW/mA.它的阈值电流为1.25毫安,光束发散半角为13度,微分电阻为68欧姆。该激光二极管需要1.7-2.7 V的直流电源,并消耗5 mA的电流。它采用尺寸为0.25 X 0.25 X 0.20 mm的裸片封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的发射器光学子组件、高性能收发器和恶劣环境传感器。

参数

  • 应用 / Application : Transmitter Optical Sub-Assemblies, High-performance Transceivers, Harsh Environment Sensors
  • 技术 / Technology : Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL)

图片集

V980-10GWA-1TGA图1

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厂家介绍

1998年,Inneos成立了一家名为Blaze Network Products的初创公司。Blaze发明了一种技术(CWDM),该技术将多个波长的光部署在一根光纤束上,以提高光纤解决方案的速度和距离。多通道光纤的概念并不新鲜,但对于商业或消费者使用来说,其成本过高。Blaze的方法通过将通道间隔得更远,显著降低了成本。Blaze在CWDM光组件以及与CWDM相关的制造工艺方面获得了多项早期专利。如今,CWDM广泛应用于电信和数据通信领域,以扩展带宽并增加这些解决方案在光纤上传输的距离。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series 半导体激光器 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器 Laser Components

    峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C

    高功率脉冲激光二极管,采用多结设计,提供高达335瓦的功率输出,具有高效能和高可靠性,适用于多种应用场景。

  • ADL-66201TL 半导体激光器 红光激光二极管 半导体激光器 Arima Lasers

    光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V

    ADL-66201TL是一款红光激光二极管,典型发射波长为658nm,额定输出功率为20mW,具有单横模发射特性,最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装,并集成了PD,是许多工业应用中的高效辐射光源。

  • HSL-20 半导体激光器 高速扫描激光器 半导体激光器 Santec Corporation

    主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm

    HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器,结合了高速度操作和长相干长度,适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率,并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

  • R2+ 50W Pulsed Fiber Laser 半导体激光器 R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器 Brimo Technology Inc.

    平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz

    R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器,具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量,适用于多种材料加工和工业应用。

  • 2327 nm DFB Laser 半导体激光器 NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器 Norcada Lasers

    存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3

    Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器,型号为NL2327-B,具有高稳定性和高性能,适用于多种光电应用场景。

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