在工业自动化和精密测量领域,激光位移传感器已成为不可或缺的电工工具。无论是检测生产线上的微小偏差,还是监控配电系统中设备的振动幅度,其高精度和非接触式测量的优势显著提升了效率与安全性。然而,面对市场上琳琅满目的型号(如基于激光二极管或光纤元件的产品),许多工程师在选型和应用中仍存在困惑。本文将深入解析激光位移传感器的工作原理、核心参数及典型场景,助您全面掌握
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概述
参数
- 分束器类型 / Beamsplitter Type : UV Fused Silica Plate Beamsplitters (UV - NIR)
- 分束器形状 / Beamsplitter Shape : Round
- 分光比(%) / Split Ratio(%) : 50:50
- 分光比公差 / Split Ratio Tolerance : ±12%
- 镀膜材料 / Coating Material : BBAR
- 基底/材料 / Substrate/Material : UV Fused Silica
- 表面质量 / Surface Quality : 20-10 Scratch-Dig
- 分束器直径 / Beamsplitter Diameter : 12.7 mm(1/2 Inch)
- 分束器厚度 / Beamsplitter Thickness : 3 mm
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单层WSe2中二次谐波产生的量子干涉
通过二次谐波产生18,19探测到的量子干涉现象,在无腔单层二硒化钨中显现,使倍频激光光谱发生分裂。该分裂呈现光谱反交叉行为,并与强驱动系统经历的拉比振荡次数相关。二次谐波产生的幂律指数显著偏离标准值2,表现出类法诺波长依赖性,且该特性在室温下依然保持。这项工作为固态量子非线性光学中的光混频、无反转增益及量子信息处理开辟了新途径。
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光电信息科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用二次谐波产生(SHG)光谱探测单层WSe2中的量子干涉现象,基于密度矩阵形式模拟,运用阶梯型三能级系统模型进行结果解读。 2. 样本选择与数据来源:使用通过机械剥离体材料制备的裸露或六方氮化硼(hBN)封装单层WSe2晶体。 3. 实验设备与材料清单:设备包括钛宝石激光器(80飞秒或140飞秒脉宽,80MHz重复频率)、显微镜物镜(奥林巴斯LUCPLFLN 40×)、低温恒温器(Janis ST-500)、光谱仪(普林斯顿仪器Acton SP2300)、CCD相机(普林斯顿仪器PIXIS 100)及其他光学元件;材料包含WSe2和hBN薄膜。 4. 实验流程与操作步骤:在真空及控温条件下将激光脉冲聚焦于样品,测量SHG与上转换光致发光(UPL)光谱随激发波长、偏振态、脉冲能量、脉宽及温度的变化关系,偏振相关测量通过旋转半波片实现。 5. 数据分析方法:采用幂律指数线性拟合、密度矩阵模拟及与法诺共振线型对比进行数据分析。
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电话
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