在电子制造与研发领域,如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用,提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证,该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景,并分享提升
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概述
参数
- 反射镜类型 / Mirror Type : Longpass Mirror, Dichroic Mirror
- 反射镜形状 / Mirror Shape : Round
- 基底/材料 / Substrate/Material : UV Fused Silica
- 反射镜厚度 / Mirror Thickness : 3.2 mm
- 反射镜直径 / Mirror Diameter : 12.7 mm (1/2 Inch)
- 表面质量 / Surface Quality : 40-20 scratch-dig
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样品温度对钼钨合金激光诱导击穿光谱的影响
激光诱导击穿光谱 等离子体发射 钼钨合金 样品温度 激光诱导击穿光谱
评估了激光诱导击穿光谱(LIBS)在高温条件下对核材料进行原位元素分析的分析能力。选用经认证的钼钨合金(钼70 wt.%和钨30 wt.%)作为托卡马克装置中面向等离子体部件(PFCs)沉积高Z杂质的替代材料。采用纳秒红外(1064 nm)激光脉冲研究了样品温度(Ts)对激光诱导钼钨等离子体光学发射的影响。LIBS实验在20至410℃的宽温度范围内进行。针对不同温度条件下的烧蚀坑进行了表面形貌和深度剖析。研究发现信号发射强度与Ts存在显著相关性,Ts升高会导致谱线发射增强。在激光烧蚀过程中,烧蚀速率、等离子体温度和电子密度随Ts显著增加。此外,合金表面一旦发生氧化,其反射率会急剧下降。表面反射率的降低使更多激光能量耦合到靶材,从而产生更强的LIBS信号。这些结果将有助于提升托卡马克装置中高Z杂质的LIBS定量分析水平。
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精密仪器实验方案
1. 实验设计与方法选择:采用调Q Nd:YAG激光器作为烧蚀源,在钼钨合金样品上产生等离子体,并对等离子体的光谱发射进行检测与分析。 2. 样品选择与数据来源:使用经认证的钼钨合金(Mo 70 wt.%和W 30 wt.%)作为样品,将其加热至20至410℃的不同温度。 3. 实验设备与材料清单:Nd:YAG激光器(Lapa-80,Beamtech)、二向色镜(DMSP950,Thorlabs;DMLP 567,Thorlabs)、激光功率计(842-PE,Newport)、配备ICCD的阶梯光栅光谱仪(iStar DH334T,Andor)、扫描电子显微镜(Quanta 450,FEI)、白光干涉仪(New View 6 K,Zygo Corporation)。 4. 实验步骤与操作流程:将激光聚焦于样品表面,采集发射光谱,改变样品温度并研究其对等离子体发射的影响。 5. 数据分析方法:通过分析谱线强度确定等离子体温度和电子密度,利用扫描电子显微镜和白光干涉仪观察表面形貌及坑洞轮廓。
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电话
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