在工业自动化和精密测量领域,激光位移传感器已成为不可或缺的电工工具。无论是检测生产线上的微小偏差,还是监控配电系统中设备的振动幅度,其高精度和非接触式测量的优势显著提升了效率与安全性。然而,面对市场上琳琅满目的型号(如基于激光二极管或光纤元件的产品),许多工程师在选型和应用中仍存在困惑。本文将深入解析激光位移传感器的工作原理、核心参数及典型场景,助您全面掌握
iHR320
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概述
参数
- 测量技术 / Measuring Techniques : UV Spectroscopy, Color Measurement, NIR Spectroscopy
- 光谱仪类型 / Spectrometer Type : Benchtop
- 光谱分辨率 / Spectral Resolution : 0.06 nm
- 谱带 / Spectrum Band : UV-NIR, UV, NIR
- 图像传感器 / Image Sensor : CCD Sensor
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规格书
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采用Cl?和Ar气体化学体系的AlGaN原子层刻蚀及紫外损伤评估
采用Cl?等离子体作为改性步骤、Ar等离子体作为去除步骤的原子层刻蚀(ALE)技术对AlGaN的刻蚀特性进行了研究,并与传统反应离子刻蚀(RIE)进行了对比。虽然RIE工艺中观察到表面粗糙化和GaN组分变化,但ALE工艺未出现此类现象。然而通过AlGaN/GaN堆叠薄膜的阴极荧光评估发现,ALE工艺对AlGaN层的刻蚀损伤比RIE高30%,这归因于ALE比RIE更长的工艺时间。AlGaN层下方的GaN层也受到损伤,这主要是由Cl?等离子体改性步骤中的紫外光子导致。研究人员采用Cl?气体替代Cl?等离子体进行改性步骤,在保持良好表面特性的同时成功降低了刻蚀损伤。
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控制纳米金刚石中氮空位中心的荧光特性
荧光寿命 电荷态比 纳米金刚石 表面终止 氮空位中心 荧光特性 电子辐照
控制纳米金刚石中氮空位中心的荧光特性是其应用于医学和传感器领域的重要因素。然而,目前深入解析这些特性潜在影响因素的研究报道较少,且仅聚焦于少数几个因素。本研究针对该问题,系统考察了电子辐照注量与表面终止条件对纳米金刚石中NV色心荧光特性的影响规律。结果表明:缺陷中心相互作用(特别是不同氮缺陷与辐射诱导晶格缺陷)以及表面官能团等工艺参数,对NV色心的荧光强度、荧光寿命及电荷态比例具有显著调控作用。通过时间相关单光子计数技术,我们建立了快速宏观监测纳米金刚石样品荧光特性的方法。研究发现,通过调控辐射处理工艺、退火处理及表面终止方式,可实现NV色心荧光特性的定向调控甚至精确调谐。
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升华生长3C-SiC中重硼掺杂效应的光学与微观结构研究
光致发光 缺陷 3C-SiC 扫描透射电子显微镜 离子注入 硼掺杂
本研究采用互补的微观结构与光学分析方法,确定了有利于形成深硼相关受主中心的工艺条件,这些中心可能为高硼掺杂3C-SiC实现中间带行为提供途径。通过扫描透射电镜研究了升华生长3C-SiC晶体(硼离子注入浓度1-3原子百分比)的结晶度、硼溶解度及沉淀机制。揭示了1100-2000摄氏度热处理过程中缺陷形成与硼沉淀的趋势,并与成像光致发光光谱提供的光学表征结果进行交叉关联。我们从浅能级受主和由硼原子与碳空位形成的D中心(深能级复合体)两个角度,讨论了注入硼离子的光学活性,并将退火过程中观察到的光谱变化与D中心形成效率的强温度依赖性相关联——这种依赖性会因注入诱导缺陷的存在而进一步增强。
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电子科学与技术实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究比较了用于刻蚀AlGaN薄膜的原子层刻蚀(ALE)和反应离子刻蚀(RIE)工艺。ALE包含采用Cl2等离子体或Cl2气体的改性步骤以及采用Ar等离子体的去除步骤,两者均为自限性过程。RIE使用Cl2/Ar等离子体。这些工艺均在变压器耦合等离子体(TCP)刻蚀系统中进行。 2. 样品选择与数据来源:使用通过金属有机化学气相沉积在Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构,其中30纳米AlGaN薄膜生长在100纳米GaN薄膜之上。 3. 实验设备与材料清单:设备包括TCP刻蚀系统、光谱椭偏仪(Woollam M-2000)、原子力显微镜(AFM,日立高科技科学E-sweep)、X射线光电子能谱(XPS,ULVAC-PHI PHI 5000)以及阴极荧光(CL),后者采用JEOL JSM-7100F/TTLS扫描电镜系统和HORIBA Jobin Yvon iHR-320光谱仪。材料包括Cl2和Ar气体。 4. 实验流程与操作步骤:样品先经过BCl3/Cl2 RIE的突破步骤,随后采用RIE或ALE进行刻蚀。对于ALE,改性步骤包括Cl2等离子体或Cl2气体暴露,接着进行吹扫,然后采用Ar等离子体去除。调整了自偏压电压、暴露时间和压力等参数??淌春蠼辛吮砻婧退鹕朔治?。 5. 数据分析方法:采用椭偏仪测量刻蚀深度,AFM测量表面粗糙度,XPS分析成分,CL检测晶体缺陷。利用光学发射光谱(OES)分析等离子体物种。
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材料科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:研究采用受控电子束辐照纳米金刚石(ND)颗粒产生空位,随后进行退火和表面修饰。通过稳态和时间分辨光谱分析荧光特性,包括时间相关单光子计数(TCSPC)和荧光寿命成像显微镜(FLIM)。 2. 样本选择与数据来源:使用氮含量约100 ppm的氧化纳米金刚石(OND)样品,由王水清洗的MSY 0.0–0.05 NDs制备而成。样品压制成饼状用于辐照和分析。 3. 实验设备与材料清单:设备包括直线电子加速器(MB10-30MP,Mevex公司)、共聚焦显微镜(IX71,奥林巴斯)、光谱仪(iHR320,HORIBA JobinYvon)、配备513 nm二极管激光器的FLIM系统(Becker & Hickl)、原子力显微镜(MFP-3D,牛津仪器)、扫描电镜(ULTRA 55,卡尔蔡司)、X射线衍射仪(ULTIMA IV,理学)、衰减全反射红外光谱(ATR-IR)和X射线光电子能谱(XPS)。材料包括纳米金刚石、氩气、空气、氢气、氨气和聚乙烯醇。 4. 实验流程与操作步骤:ND颗粒经不同注量的10 MeV电子辐照,在氩气中800°C退火,并进行表面修饰(氧、氢、氮终端处理)。通过指定激光器和滤光片测量处理前后的荧光光谱和寿命。利用原子力显微镜和光子反聚束测量确定颗粒尺寸和NV色心数量。 5. 数据分析方法:采用双指数拟合分析荧光寿命,饱和模型分析强度与寿命依赖性,统计方法分析颗粒尺寸与荧光相关性。软件包括SPCimage用于FLIM数据分析。
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光电信息科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:采用第一性原理密度泛函理论(DFT)计算研究DNA与锑烯的相互作用,随后开发基于锑烯的表面等离子体共振(SPR)传感器用于miRNA检测。 2. 样本选择与数据来源:选用miRNA-21和miRNA-155作为生物标志物;通过液相超声剥离法制备锑烯纳米片。 3. 实验设备与材料清单:包括锑粉、乙醇、金纳米棒、单链DNA、SPR光谱仪、透射电镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱仪、紫外-可见光谱仪(UV-Vis)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、接触角测量仪。 4. 实验步骤与操作流程:采用逐层组装技术在金芯片上沉积锑烯;将金纳米棒与单链DNA偶联;使用miRNA溶液进行SPR测量;通过多种技术对材料进行表征。 5. 数据分析方法:分析SPR角度偏移、DFT计算的吸附能、灵敏度计算,并与现有传感器的检测限进行比较。
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HORIBA于1945年在日本成立,当时名为HORIBA Radio Laboratory,现已发展成为全球运营和分销的研发中心。他们通过创新的测量和分析技术,不断满足并超越全球客户的期望。目前,堀场集团提供广泛的设备和系统,应用范围从汽车研发、过程和环境监测、体外医疗诊断、半导体制造和计量,到广泛的科学和质量控制测量。一贯卓越的品质和可靠性使HORIBA品牌赢得了广泛的信任。
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电话
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