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LAPD 3050 光电探测器
精品

LAPD 3050

分类： 光电探测器

厂家： OSI Laser Diode, Inc.

产地： 美国

型号： LAPD 3050

更新时间： 2024-08-26T13:07:08.000Z

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标签：

光电探测器 InGaAs APD OTDR接收器 线路接收器 长途传输

简介：

InGaAs APD Module

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概述

来自OSI Laser Diode，Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 电容 / Capacitance : 1 pF
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 7 to 9 A/W
  • 有效面积直径 / Active Area Diameter : 50 μm

应用

1. OTDR接收器 2. 线路接收器 3. 长途传输

特征

1. InGaAs APD 2. 低暗电流 3. 高速2.5GHz 4. 1000nm至1650nm响应 5. 微型封装 6. 低背反射 7. RoHS兼容

详述

1. InGaAs APD 2. 低暗电流 3. 高速2.5GHz 4. 1000nm至1650nm响应 5. 微型封装 6. 低背反射 7. RoHS兼容

图片集

LAPD 3050图1
LAPD 3050图2
LAPD 3050图3

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厂家介绍

OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。
  • UPD-100-IR1-P
  • UPD-500-UD
  • UPD-40-UVIR-P
  • SWIR FPA InGaAs 探测器

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    图片 名称 分类 制造商 参数 描述
    • EL452-G Series 光电探测器 高压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW

      EL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器，包含一个红外发光二极管，光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。

    • EL815 Series 光电探测器 高隔离电压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器，提供宽引脚间距和表面贴装选项。

    • EL825 Series 光电探测器 EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器，包含红外发光二极管和光电晶体管探测器，提供高电流传输比和高输入输出隔离电压，适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。

    • VTH21xx系列硅光电二极管 光电探测器 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 Excelitas Technologies

      击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30

      低电容硅光电二极管芯片，专为α粒子检测设计，提供两种尺寸，兼容导电环氧安装，包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。

    • 4.2mm Silicon PIN Photodiode 光电探测器 4.2mm硅PIN光电二极管 光电探测器 北京敏光科技有限公司

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      4.2mm硅PIN光电二极管，具有高可靠性、低暗电流和宽光谱范围，适用于光学传感器、工业自动化控制、激光监测等多种应用场景。

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