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BPW76B 光电晶体管

BPW76B

分类： 光电晶体管

厂家： Vishay Intertechnology

产地： 美国

型号： BPW76B

更新时间： 2024-08-30T06:38:01.000Z

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概述

Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : Detector in Electronic Control and Drive Circuits
  • 安装类型 / Mounting Type : Leaded
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
  • 极性 / Polarity : NPN
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 70 V
  • 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 100 nA
  • 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1080 nm

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厂家介绍

威世集团的成长历程始于一个人，Felix Zandman 博士和一项革命性技术。从那时起，经过数十年的发展壮大取得今天的成就：成为全球值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到被动组件，从体积较小的二极管到较强大的电容器，威世丰富的产品为现代技术步入人们的日常生活奠定了坚实的基础。我们将其称之为科技基因 The DNA of tech.? 这种基因不仅是当今重要电子产品的基础设施，也是实现增长的平台。威世致力于推动可持续性、互联和移动等宏观经济因素的增长。通过研发、制造、设计、质量、销售和市场营销， 我们提供基本元件，帮助较早发现和创新者开发诸多领域新一代产品：汽车、工业、消费电子、计算机、通信、国防、航空航天和医疗。 通过与当今和未来具有电子创新影响力的厂商合作，我们努力推动工厂自动化、汽车电气化、5G 网络技术以及快速扩张的物联网 （IoT）等强劲增长领域的发展。这种多样性契机是威世蓬勃发展的动力，推动着威世着力于基因建设，助力客户和合作伙伴取得成功，构建更安全、可持续、高效的未来。 近六十年来，我们一直在构建科技基因 The DNA of tech.?

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • EL354N-G Series 光电晶体管 AC输入光电晶体管耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW

    EL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器，采用AC输入设计，具有高隔离电压和紧凑封装，适用于多种工业和通信应用。

  • EL357N-G Series 光电晶体管 标准光电晶体管耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL357N-G系列包含一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。

  • EL816 Series 光电晶体管 EL816 Series光耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引脚间距和SMD选项。

  • EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler 光电晶体管 EL817-G Series光耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。

  • EL8171-G Series 光电晶体管 低功耗光电晶体管型光电耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW

    EL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器，采用绿色化合物封装，提供高隔离电压和低输入电流特性。

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