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NTE3031 光电晶体管

NTE3031

分类: 光电晶体管

厂家: NTE Electronics, Inc

产地: 美国

型号: NTE3031

更新时间: 2024-08-24T17:48:17.000Z

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概述

NTE Electronics,Inc的NTE3031是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
  • 极性 / Polarity : NPN
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 集电极发射极电压(击穿) / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
  • 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
  • 发射极集电极电压(击穿) / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V

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    1. 实验设计与方法选择:本研究采用分层控制方法,对直流电机应用微分平坦性控制,对Buck变换器采用级联控制方案。 2. 样本选择与数据来源:使用连接G3.1变速箱的GNM5440E直流恩格尔电机,电机和Buck变换器的参数均为标称值。 3. 实验设备与材料清单:包括dSPACE的DS1104板卡、MATLAB-Simulink、ControlDesk以及用于隔离的NTE3087光耦。 4. 实验流程与操作步骤:控制器通过DS1104板卡实时实现,控制信号由MATLAB-Simulink生成并与Buck变换器隔离。 5. 数据分析方法:通过实验结果评估系统对参数突变的响应性能。

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厂家介绍

NTE Electronics,Inc于1979年在新泽西州成立,从一家拥有10个替换零件的小城镇供应商发展成为业内较大的替换半导体供应商。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • EL354N-G Series 光电晶体管 AC输入光电晶体管耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW

    EL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器,采用AC输入设计,具有高隔离电压和紧凑封装,适用于多种工业和通信应用。

  • EL357N-G Series 光电晶体管 标准光电晶体管耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL357N-G系列包含一个红外发光二极管,光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。

  • EL816 Series 光电晶体管 EL816 Series光耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器,封装为4针DIP封装,提供宽引脚间距和SMD选项。

  • EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler 光电晶体管 EL817-G Series光耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器,封装为4针DIP封装,提供宽引线间距和表面贴装选项。

  • EL8171-G Series 光电晶体管 低功耗光电晶体管型光电耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW

    EL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器,采用绿色化合物封装,提供高隔离电压和低输入电流特性。

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