在电子制造与研发领域,如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用,提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证,该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景,并分享提升
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概述
参数
- 应用 / Application : Reserch and Production
- 光纤模式 / Fiber Mode : Single Mode, Multi Mode
- 光功率范围 / Optical Power Range : 10 mW (10 dBm)
- Level Accuracy / Level Accuracy : Power Level Accuracy: ±1 dB
- 测量单位 / Measurement Unit : dB, dBm, nm
- RoHS / RoHs : Yes
- 窗口材料 / Window Material : Uncoated CaF2
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采用高效光纤激光驱动的光子芯片超连续谱进行中红外气体光谱分析
中红外 光子芯片 气体光谱学 超连续谱产生 光纤激光器
通过基于即插即用光纤激光器的超连续谱生成过程直接获取中红外分子官能团光谱区域,具有无可否认的简便性和鲁棒性优势。近期对氮化硅(Si3N4)波导中以电信波长泵浦的中红外色散波相干性的评估,为基于此类紧凑系统实现中红外频率梳生成奠定了重要基础。然而其光谱覆盖范围和转换效率仍不足以满足实际应用需求。我们通过实验证明:采用2微米飞秒光纤激光器泵浦的大截面Si3N4波导,可触及3-4微米关键光谱分析区域,实现高达35%的功率转换效率及毫瓦级输出功率。作为原理验证,我们利用该光源通过吸收光谱法检测乙炔(C2H2)。这一成果使此类光源成为适用于紧凑型芯片集成光谱分析与传感应用的理想候选方案。
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自锁模2.8微米掺铒氟化物光纤激光器中的脉冲控制
腔相互作用 自锁模光纤激光器 暗脉冲 掺铒氟化物光纤
本研究表明,掺铒氟化物光纤激光器在2.8微米波长下基于自模式锁定(SML)可实现暗脉冲输出。实验还探究了不同外部反馈距离的影响,发现随着反馈距离增加,基频腔重复频率的信噪比(SNR)逐渐降低。这不仅源于腔长增加,还受到腔内与外腔相互作用的影响。通过调节外部反馈距离,可实现对SML 2.8微米脉冲激光器基频腔重复频率的调控。
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采用紧密堆叠InAs/GaAs量子点的半导体光放大器偏振不敏感光纤到光纤增益
光纤到光纤增益 量子点 偏振不敏感 半导体光放大器
通过光纤-光纤测量系统研究了包含四十层紧密堆叠InAs/GaAs量子点(QDs)的半导体光放大器(SOA)增益特性。对于横电(TE)和横磁(TM)偏振光输入信号,测得的光纤-光纤增益值均在1100纳米波长处达到最大值,该波长对应紧密堆叠量子点的激发态。在1060至1170纳米波长范围内,当注入电流为80毫安时,TE偏振输入信号的增益略高于TM偏振输入信号,且两者绝对增益差小于1分贝。这种微小但非零的增益差异反映了紧密堆叠量子点所提供光学增益的偏振各向异性。研究结果表明,紧密堆叠量子点适用于实现工作带宽超过100纳米的偏振不敏感SOA器件。
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光电信息科学与工程实验方案1
1. 实验设计与方法选择:本研究利用光纤激光技术的最新进展及大截面波导设计实现色散调控与中红外低传输损耗。泵浦源采用商用一体化孤子自频移掺铥光纤锁模激光器。 2. 样本选择与数据来源:样本为埋入二氧化硅的5毫米长直氮化硅波导,包含四种不同标称宽度。 3. 实验设备与材料清单:实验装置包含掺铥光纤锁模激光器、可调光衰减器、用于耦合的非球面黑钻石透镜,以及记录光谱的傅里叶变换光学频谱分析仪。 4. 实验流程与操作步骤:将光耦合至波导的基横磁偏振模式,输出光聚焦至氟化物多模光纤并记录光谱。 5. 数据分析方法:通过FT-OSA积分估算中红外色散波功率,芯片转换效率计算为芯片内中红外色散波功率与耦合泵浦功率之比。
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光电信息科学与工程实验方案2
1. 实验设计与方法选择:本研究采用光纤耦合的975纳米二极管激光器作为掺铒氟化物光纤激光器的泵浦源,旨在不使用任何调制元件的情况下实现单模激光(SML)运行。 2. 样本选择与数据来源:使用具有特定尺寸的重掺铒(7摩尔%)氟化物双包层光纤作为增益介质。 3. 实验设备与材料清单:设备包括光纤耦合的975纳米二极管激光器、非球面准直透镜、氟化钙平凸透镜、高反射镜、二向色镜、碲镉汞探测器和数字示波器。 4. 实验步骤与操作流程:实验设置包括泵浦掺铒氟化物光纤,利用镀金镜提供反馈,并通过探测器和示波器分析输出。 5. 数据分析方法:通过分析脉冲序列和射频谱来研究单模激光运行的特性。
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光电信息科学与工程实验方案3
1. 实验设计与方法选择:本研究采用光纤到光纤测量系统,分析包含四十层紧密堆叠InAs/GaAs量子点(QDs)的半导体光放大器(SOA)增益特性。研究方法包括测量横向电?。═E)和横向磁场(TM)偏振光输入信号的增益。 2. 样本选择与数据来源:SOA器件结构采用固态源分子束外延技术在n+型Si掺杂GaAs(001)衬底上制备。该器件包含400纳米厚的单模有源层,其结构为GaAs/堆叠量子点层/GaAs。 3. 实验设备与材料清单:实验装置包括波长分辨率高达40皮米的高精度光谱分析仪(Thorlabs OSA202)、超连续白激光光源、偏振控制器以及用于温度稳定的珀尔帖器件。 4. 实验流程与操作步骤:测量了线偏振放大自发辐射(ASE)光谱及偏振输入信号的输出功率光谱?;谑淙胄藕殴β视爰觳獾降氖涑龉β剩ㄒ宀⒓扑懔斯庀说焦庀嗽鲆?。 5. 数据分析方法:通过比较TE与TM偏振输入信号的光纤到光纤增益值差异,分析偏振相关增益(PDG)。通过数据分析研究SOA器件的偏振各向异性及工作带宽特性。
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