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IPSDT1501 超辐射发光二极管
精品

IPSDT1501

分类： 超辐射发光二极管

厂家： InPhenix

产地： 美国

型号： IPSDT1501

更新时间： 2024-08-27T10:44:22.000Z

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标签：

光通信 高功率 光纤传感 宽带宽 低相干长度

简介：

Super-Luminescent Light Emitting Diode (SLD)

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概述

来自Inphenix的IPSDT1501是一款超辐射发光二极管，波长为1520至1570 nm，输出功率为0.2 MW，带宽（FWHM）为35至40 nm，工作电流为120至160 mA，正向电压为2至2.2 V.

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF
  • 应用 / Application : High Voltage & Current Monitor, Optical Fiber sensor systems, Optical communication

应用

1. 高电压和电流监测 2. 光纤传感系统 3. 光通信

特征

1. 高功率和宽带宽 2. 低相干长度 3. 无冷却和有冷却TO封装 4. 可选监测PD

详述

1. 高功率和宽带宽 2. 低相干长度 3. 无冷却和有冷却TO封装 4. 可选监测PD

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SCI论文引用分析

该产品已被1篇SCI论文引用

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  • 基于半导体光放大器中非线性偏振旋转的人工神经元
    半导体光放大器 光处理器件 光学神经网络系统

    我们实验性地展示了一种光电人工神经元模型，该模型能够执行S型传递函数。所提出的光电电路基于单个半导体光放大器（SOA）中的非线性偏振旋转（NPR）效应，可模拟连续S型神经元的特性。由于电流诱导的NPR与光功率诱导的NPR方向相反，因此分别通过光注入和电调制即可实现对该人工神经元的兴奋性与抑制性刺激。该神经元对兴奋性输入和抑制性输入的响应与初始偏振态（SOP）、偏置电流及探测光束功率相关。通过调节初始SOP，可使神经元更倾向于被激发或被抑制。

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实验方案推荐
AI分析生成
  • 光电信息科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：该实验利用半导体光放大器（SOA）通过非线性偏振旋转（NPR）模拟连续S型神经元行为。实验装置包含用于兴奋性输入的光注入和用于抑制性输入的电调制。 2. 样本选择与数据来源：使用探测光束和泵浦光束作为输入，通过调节其功率和偏振态来研究NPR效应。 3. 实验设备与材料清单：装置包括激光二极管（LD1和LD2）、波分复用器（WDM）、SOA、偏振控制器（PC1和PC2）、带通滤波器（BPF）、偏振分束器（PBS）和偏振分析仪（PA）。 4. 实验流程与操作步骤：通过偏振控制器调节探测光束的偏振态，通过改变偏置电流、光注入功率和初始偏振态来测量神经元对兴奋性和抑制性输入的响应。 5. 数据分析方法：分析偏置电流和光注入引起的旋转角度，以理解NPR效应及其对神经元输出的影响。

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司，设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001：2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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