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在电子电工行业中，选择一款优质的光电二极管对光纤元件、成像系统或配电系统的性能至关重要。无论是用于激光二极管的检测，还是作为半导体器件的核心组件，光电二极管的灵敏度、响应速度和可靠性直接影响整体设备的效率。然而，面对市场上琳琅满目的产品，许多工程师和采购者常陷入“光电二极管哪家好”的困惑。本文将深入分析如何挑选优质光电二极管，并推荐行业领先品牌，助您快速锁定
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概述
Thorlabs公司的SA200-12B是一款干涉仪，自由光谱范围（FSR）为1.5 GHz，波长为1275至2000 nm.有关SA200-12B的更多详细信息，请联系我们。
参数
- 测量类型 / Measurement Type : Wavelength
- 探测器类型 / Detector Type : Photodiode
- 应用 / Applications : Telecommunication, Spectral Analysis
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该产品已被6篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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基于i线光刻定义的周期性阳极的高功率单纵模双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器
双锥形 分布反馈激光器 增益耦合 半导体激光器
本文展示了一种无需再生长工艺的双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器。该器件基于周期性表面电流注入原理设计，实现了高功率单纵模输出。在4安培工作电流下，每个未镀膜端面获得超过1.2瓦的连续波输出功率；在3安培电流时，单纵模输出功率高达0.9瓦/端面（980纳米波长）。边模抑制比接近30分贝，3分贝光谱线宽小于2.7皮米。横向远场发散角仅14.5度，光束质量因子M2为1.7，实现了近衍射极限发射。本器件采用标准i线光刻工艺制造，在保证优异光谱与空间特性的同时提升了输出功率。凭借低成本、易加工的特性及卓越性能，该器件在高效泵浦源等商业应用领域具有重要潜力。
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990纳米高功率高光束质量增益耦合效应控制窄线宽DFB激光器
窄线宽 单纵模 增益耦合分布反馈半导体激光器
基于脊形波导周期性电流注入的无再生长增益耦合分布反馈激光二极管，在990 nm波长实现了高功率单纵模输出。该器件仅采用标准i线光刻工艺（微米级精度）制备，在高注入电流下获得优异性能：3 A电流时连续波功率超过0.681 W；1.4 A电流下单纵模工作最大连续波功率达0.303 W。实现窄线宽发射（3 dB光谱宽度小于1.41 pm），高边模抑制比超过35 dB。横向远场发散角仅15.05°，光束质量因子M2为1.245，达到近衍射极限的横向发射特性。该器件更适用于作为泵浦源的单模光纤耦合及其他需要高功率下保持高光束质量的场合，且制备工艺简便。
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采用WM-DAS方法测量1.43微米附近CO2跃迁的Voigt、Rautian、Galatry及速度依赖型Voigt轮廓的光谱参数
WM-DAS方法 Galatry轮廓 速度依赖型Voigt轮廓 Voigt轮廓 光谱参数 Rautian轮廓 二氧化碳
采用波长调制直接吸收光谱法(WM-DAS)，在300-1000 K和5-20 kPa条件下测量了CO2分子近1.43 μm处8个吸收跃迁的谱线强度、自展宽与自窄化系数。该方法使室温下约5%峰值吸光度处的信噪比提升至1500，高温下约1%峰值吸光度处仍保持550。运用Voigt、Rautian、Galatry及二次速度依赖型Voigt轮廓进行吸光度反演，获取最佳拟合光谱参数及其温度依赖性。结果表明二次速度依赖型Voigt轮廓在精度与稳健线型参数方面表现最优。实测谱线强度与自展宽系数与HITRAN/HITEMP数据库现有数值吻合良好，同时通过分析GP、RP及qSDVP等光谱参数的不确定度，确定了自窄化系数。
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实验方案推荐
AI分析生成
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光电信息科学与工程实验方案1
1. 实验设计与方法选择：该器件由具有44阶增益耦合槽的脊形波导和两个对称锥形波导组成，用于光放大。设计旨在实现基横模和单纵模发射。 2. 样品选择与数据来源：外延层结构通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上生长。 3. 实验设备与材料清单：采用标准i线光刻技术和电感耦合等离子体干法刻蚀进行制备。 4. 实验步骤与操作流程：精确定义并形成器件结构，随后进行金属化、解理成条和封装。 5. 数据分析方法：在连续波条件下测量光输出功率、光谱、光谱宽度及远场图样。
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光电信息科学与工程实验方案2
1. 实验设计与方法选择：本研究涉及基于脊形波导的增益耦合DFB激光二极管的设与制备，采用周期性电流注入结构。制备方法包括使用标准i线光刻技术进行器件制作。 2. 样品选择与数据来源：器件制备于GaAs衬底上，外延层结构通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长而成。 3. 实验设备与材料清单：设备包括标准i线光刻工具、感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术以及用于功率测量的热电探测器。材料包含GaAs衬底和外延层。 4. 实验流程与操作步骤：该过程包括在外延材料生长后，图案化周期性浅刻蚀沟槽、横向波导和周期性表面金属p电极。随后将器件解理为条状和单发射器，涂覆增透/高反膜并进行测试安装。 5. 数据分析方法：使用热电探测器测量光输出功率，采用横河AQ6370C光谱仪进行光谱特性测量，利用法布里-珀罗干涉仪测量线宽。
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精密仪器实验方案
1. 实验设计与方法选择：采用WM-DAS方法恢复1432nm附近CO?的8条光谱线在300K至1000K温度范围内的吸收轮廓，使用Voigt、Rautian、Galatry及二次速度依赖型Voigt轮廓进行吸收拟合，获取最佳光谱参数及其温度依赖关系。 2. 样本选择与数据来源：使用纯CO?气体测量自参数，通过VP、GP、RP和qSDVP最小二乘拟合吸收轮廓确定光谱参数。 3. 实验设备与材料清单：采用波长1432nm附近、线宽2MHz的连续波分布反馈可调谐二极管激光器，由商用激光控制器（Thorlabs ITC4001）驱动，通过函数发生器（Keysight 33220A）产生的正弦或三角波扫描温度与电流实现激光波长调制。 4. 实验流程与操作步骤：激光束经1×3光纤分束器分为三路——首路（30%）经光纤准直器校准后穿过加热静态气室；次路（20%）作为参考光消除环境空气影响；末路通过自由光谱范围0.05cm?1的法布里-珀罗标准具（Thorlabs SA210-12B）进行激光频率校准。 5. 数据分析方法：采用Levenberg-Marquardt非线性拟合程序同步恢复吸收轮廓与基线。
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厂家介绍
Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室
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