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在工业自动化和精密测量领域，激光位移传感器已成为不可或缺的电工工具。无论是检测生产线上的微小偏差，还是监控配电系统中设备的振动幅度，其高精度和非接触式测量的优势显著提升了效率与安全性。然而，面对市场上琳琅满目的型号（如基于激光二极管或光纤元件的产品），许多工程师在选型和应用中仍存在困惑。本文将深入解析激光位移传感器的工作原理、核心参数及典型场景，助您全面掌握
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概述
Thorlabs公司的SA200-5B是一款干涉仪，自由光谱范围（FSR）为1.5 GHz，波长为535至820 nm.有关SA200-5B的更多详细信息，请联系我们。
参数
- 测量类型 / Measurement Type : Wavelength
- 探测器类型 / Detector Type : Photodiode
- 应用 / Applications : Telecommunication, Spectral Analysis
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SCI论文引用分析
该产品已被7篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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二极管泵浦Pr:YLF固态激光器实现640纳米单纵模直接振荡
单纵模 二极管泵浦固态激光器 可见光激光器
据我们所知，首次演示了一种采用c切掺镨氟化钇锂（Pr:YLF）晶体的二极管泵浦固态激光器，可直接发射640纳米波长的连续波（cw）、单纵模（SLM）输出。通过组合两个四分之一波片（QWPs）和一个布鲁斯特片构成扭转模腔，该SLM固态激光器实现了最大403毫瓦的连续波输出功率，阈值功率为600毫瓦，斜率效率达26.8%。发射光谱线宽为150兆赫。单模光束质量（M2因子）在x和y方向上分别为1.10和1.07。
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基于i线光刻定义的周期性阳极的高功率单纵模双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器
双锥形 分布反馈激光器 增益耦合 半导体激光器
本文展示了一种无需再生长工艺的双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器。该器件基于周期性表面电流注入原理设计，实现了高功率单纵模输出。在4安培工作电流下，每个未镀膜端面获得超过1.2瓦的连续波输出功率；在3安培电流时，单纵模输出功率高达0.9瓦/端面（980纳米波长）。边模抑制比接近30分贝，3分贝光谱线宽小于2.7皮米。横向远场发散角仅14.5度，光束质量因子M2为1.7，实现了近衍射极限发射。本器件采用标准i线光刻工艺制造，在保证优异光谱与空间特性的同时提升了输出功率。凭借低成本、易加工的特性及卓越性能，该器件在高效泵浦源等商业应用领域具有重要潜力。
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990纳米高功率高光束质量增益耦合效应控制窄线宽DFB激光器
窄线宽 单纵模 增益耦合分布反馈半导体激光器
基于脊形波导周期性电流注入的无再生长增益耦合分布反馈激光二极管，在990 nm波长实现了高功率单纵模输出。该器件仅采用标准i线光刻工艺（微米级精度）制备，在高注入电流下获得优异性能：3 A电流时连续波功率超过0.681 W；1.4 A电流下单纵模工作最大连续波功率达0.303 W。实现窄线宽发射（3 dB光谱宽度小于1.41 pm），高边模抑制比超过35 dB。横向远场发散角仅15.05°，光束质量因子M2为1.245，达到近衍射极限的横向发射特性。该器件更适用于作为泵浦源的单模光纤耦合及其他需要高功率下保持高光束质量的场合，且制备工艺简便。
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实验方案推荐
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光电信息科学与工程实验方案1
1. 实验设计与方法选择：采用双四分之一波片（QWP）和一片布儒斯特片的扭摆模腔方案实现单纵模（SLM）运转。 2. 样品选择与数据来源：使用10毫米厚、Pr3?掺杂浓度为0.5 at.%的Pr:YLF晶体，以发射波长441 nm的InGaN蓝光LD作为泵浦源。 3. 实验设备与材料清单：包含帕尔贴散热组件、非球面透镜、柱面透镜组、平凸聚焦透镜及Thorlabs公司提供的各类光学元件。 4. 实验流程与操作步骤：通过将有效腔长设置为约94毫米以实现最大模匹配效率，并表征激光器的输出功率、光谱及光束质量。 5. 数据分析方法：采用光谱分析仪和扫描法布里-珀罗干涉仪测量发射光谱线宽，使用Spiricon M2-200光束质量分析仪分析光束质量。
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光电信息科学与工程实验方案2
1. 实验设计与方法选择：该器件由具有44阶增益耦合槽的脊形波导和两个对称锥形波导组成，用于光放大。设计旨在实现基横模和单纵模发射。 2. 样品选择与数据来源：外延层结构通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上生长。 3. 实验设备与材料清单：采用标准i线光刻技术和电感耦合等离子体干法刻蚀进行制备。 4. 实验步骤与操作流程：精确定义并形成器件结构，随后进行金属化、解理成条和封装。 5. 数据分析方法：在连续波条件下测量光输出功率、光谱、光谱宽度及远场图样。
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光电信息科学与工程实验方案3
1. 实验设计与方法选择：本研究涉及基于脊形波导的增益耦合DFB激光二极管的设与制备，采用周期性电流注入结构。制备方法包括使用标准i线光刻技术进行器件制作。 2. 样品选择与数据来源：器件制备于GaAs衬底上，外延层结构通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长而成。 3. 实验设备与材料清单：设备包括标准i线光刻工具、感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术以及用于功率测量的热电探测器。材料包含GaAs衬底和外延层。 4. 实验流程与操作步骤：该过程包括在外延材料生长后，图案化周期性浅刻蚀沟槽、横向波导和周期性表面金属p电极。随后将器件解理为条状和单发射器，涂覆增透/高反膜并进行测试安装。 5. 数据分析方法：使用热电探测器测量光输出功率，采用横河AQ6370C光谱仪进行光谱特性测量，利用法布里-珀罗干涉仪测量线宽。
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我们还有4 个针对不同应用场景的完整实验方案，包括详细设备清单、连接示意图和数据处理方法。
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Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室
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