在当今的电子电工领域,为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时,光纤激光与半导体激光(常直接称为激光二极管)的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同,直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景,对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题,更关乎企业的核心
C30733BQC-01 高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管
光通信 低噪声 激光雷达 OTDR 光电探测 APD
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概述
参数
- 击穿电压 / Breakdown Voltage : 45-70V
- 光谱范围 / Spectral Range : 1000-1700nm
- 峰值响应 / Peak Responsivity : 1550nm
- 工作增益 / Recommended Operating Gain : 10-40
- 总功率耗散 / Total Power Dissipation : 20mW
- 上升时间/下降时间 / Rise Time / Fall Time : 0.12ns
- 量子效率 / Quantum Efficiency : 75%
- 正向电压温度系数 / Temperature Coefficient Of V : 0.14V/°C
- 电容 / Capacitance : 0.5pF
- 暗噪声 / Dark Noise : 0.3-0.50pA/√(Hz)
- 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power : 8-13fW/√(Hz)
应用
1.光时域反射仪(OTDR) 2.LiDAR / ToF测量 3.安全激光测距 4.光通信系统 5.低光平探测
特征
1.光谱响应1000 nm – 1700 nm 2.操作增益典型为40 3.小型活性区域30 μm 4.高响应度 5.低暗电流和噪声 6.便于光纤耦合的尾纤设计 7.符合RoHS标准
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