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SWIR FPA InGaAs 探测器 光电探测器
新品

SWIR FPA InGaAs 探测器

分类： 光电探测器

厂家： VIGO Photonics

产地： 波兰

型号： SWIR FPA

更新时间： 2024-08-23T16:46:06.000Z

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概述

VIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA（焦平面阵列）采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术，从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测?？?。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。

参数

  • 格式 / Format : 640 x 512 px
  • 可操作性 / Operability : > 99.5%
  • 响应度 / Responsivity : > 1 A/W @ 1.55 μm
  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.9 μm – 1.7 μm
  • 温差 / ΔT K (323 K) : > 98 K
  • 最大功率 / Q W (323 K) : > 5.9 W
  • 最大电流 / I A (323 K) : 2.7 A
  • 最大电压 / U V (323 K) : 6.7 V
  • 窗口材料 / Window Material : Sapphire
  • 镀膜 / Coating : AR coating, transmission > 92%
  • 表面处理 / Surface Finish : 60/40 SD
  • 热电冷却器 / Thermoelectric Cooler (TEC) : RoHS compliance lead-free solders, melting point >200 C

应用

1. 可见光和红外爆炸探测系统 2. 敌对激光指示系统 3. 可见光和热成像观察系统 4. 自主人工智能车辆观察系统

特征

1. 高量子效率 2. 小尺寸，易于机械和热集成 3. 具有精确定义的光谱范围的平面蓝宝石窗口 4. 提供特殊的湿度吸收器以延长使用寿命 5. 兼容RoHS要求

规格书

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厂家介绍

VIGO Photonics 是欧洲一家光电子和微电子外延片和仪器制造商，专门生产MWIR和LWIR探测器和?？?，产品采用内部开发的技术。


VIGO Photonics 的使命是提供快速、方便、易于使用的红外探测器，波长范围从 2 μm到 16 μm，无需低温冷却即可达到基本 BLIP 极限。这些?？榫哂胁煌墓馄紫煊Ψ段?、时间响应特性和增益。


VIGO Photonics 拥有完整的半导体高容量仪器前端和后端生产线--从 II-IV 和 III-V 族的外延，到探测器芯片、激光器及其组装和与电子设备的集成。公司不断扩大其市场覆盖范围，目前在美国设有子公司。

  • Gentec-EO离散型热释电传感器QS9-IF
  • PINAMP迷你DIL光学接收器
  • UPD-70-IR2-FR

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    科学论文

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    图片 名称 分类 制造商 参数 描述
    • EL452-G Series 光电探测器 高压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW

      EL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器，包含一个红外发光二极管，光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。

    • EL815 Series 光电探测器 高隔离电压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器，提供宽引脚间距和表面贴装选项。

    • EL825 Series 光电探测器 EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器，包含红外发光二极管和光电晶体管探测器，提供高电流传输比和高输入输出隔离电压，适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。

    • VTH21xx系列硅光电二极管 光电探测器 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 Excelitas Technologies

      击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30

      低电容硅光电二极管芯片，专为α粒子检测设计，提供两种尺寸，兼容导电环氧安装，包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。

    • 4.2mm Silicon PIN Photodiode 光电探测器 4.2mm硅PIN光电二极管 光电探测器 北京敏光科技有限公司

      工作温度: -40~+85°C 存储温度: -40~+100°C 正向电流: 13mA

      4.2mm硅PIN光电二极管，具有高可靠性、低暗电流和宽光谱范围，适用于光学传感器、工业自动化控制、激光监测等多种应用场景。

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