在当今的电子电工领域,为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时,光纤激光与半导体激光(常直接称为激光二极管)的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同,直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景,对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题,更关乎企业的核心
FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管
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概述
参数
- 活动区域直径 / Active Area Diameter : 75μm to 120μm
- 响应度(λ=1310nm) / Responsivity λ=1310nm : 0.75A/W to 0.90A/W
- 响应度(λ=1550nm) / Responsivity λ=1550nm : 0.80A/W to 0.95A/W
- 背反射 / Back-Reflection : -40dB to -35dB
- 电容 / Capacitance : 0.65pF to 1.0pF
- 上升/下降时间 / Rise/Fall Time : 0.2ns to 0.3ns
- 最大反向电压 / Max. Reverse Voltage : 20V
- 最大反向电流 / Max. Reverse Current : 2mA
- 最大正向电流 / Max. Forward Current : 5mA
- 噪声等效功率 / NEP : 3.44E-15W/√Hz to 4.50E-15W/√Hz
应用
1. 高速光通信 2. 千兆以太网/光纤通道 3. SONET/SDH, ATM 4. 光功率监测/仪器
特征
1. 高速 2. 高响应度 3. 光谱范围: 900nm到1700nm 4. 低背反射
规格书
厂家介绍
OSI Optoelectronics成立于2006年,由同一品牌下的多家子公司合并而成,服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注,并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。
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