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EM650 高功率光纤耦合DFB激光器 半导体激光器
新品

EM650 高功率光纤耦合DFB激光器

分类： 半导体激光器

厂家： EM4 Technologies

产地： 美国

型号： EM650

更新时间： 2024-08-23T06:03:21.000Z

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标签：

高功率 光纤耦合 低噪声 温度控制 窄线宽 DFB激光器

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概述

EM650是一款高功率光纤耦合DFB激光器，提供超低噪声和温度控制，卓越的频率稳定性、窄线宽、低噪声和稳定的偏振，适用于长距离WDM传输、射频链接、CATV等应用。

参数

  • 电源电流 / Current Supply : 3.5A
  • 激光器启用输入电压 / Laser Enable Input Voltage : GND-0.3V~+0.3V
  • 激光器启用输入电流 / Laser Enable Input Current : 2mA
  • 功率调节输入电压 / Power Adjust Input Voltage : 0~2.6V
  • 功率调节输入电流 / Power Adjust Input Current : -3.5~3.5mA
  • 温度调节输入电压 / Temperature Adjust Input Voltage : 0~5V
  • 温度调节输入电流 / Temperature Adjust Input Current : -3.5~3.5mA
  • 监测探测器输出电压 / Monitor Detector Output Voltage : Vcc
  • 监测探测器输出电流 / Monitor Detector Output Current : -15~15mA
  • 输出功率设定点 / Optical Output Power Setpoint : Pop
  • 光输出功率波动 / Optical Output Power Fluctuation1 : 20~50PPM
  • 长期功率波动 / Long-Term Power Fluctuation : 200~500PPM
  • 温度相关功率漂移 / Temperature Dependent Power Drift : 500PPM/°C
  • 光频率准确性 / Optical Frequency Accuracy2 : -5~+5GHz
  • 光频率稳定性 / Optical Frequency Stability3 : <20MHz
  • 温度相关频率漂移 / Temperature Dependent Frequency Drift : ±200MHz/°C
  • 线宽 / Linewidth : 170~500kHz
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -155~-150dBc/Hz
  • 冷启动时间 / Cold Start Settling Time : 30s
  • 上升时间(热启动) / Rise Time (Hot Start) : 30ms
  • 下降时间(热待机) / Fall Time (Hot Standby) : 5μs
  • 背面反射监测温度追踪 / Back Facet Tracking Over Temp : -10~+10%

应用

1. 长距离WDM传输 2. 射频链接 3. CATV 4. 激光种子 5. 传感 6. 低噪声高功率源

特征

1.集成电流源 2.集成温度控制器 3.集成监测探测器放大器 4.高光输出功率 5.ITU波长 - 全C波段覆盖 6.低RIN 7.窄线宽 8.PM/SM光纤，有无分支管

详述

1.集成电流源 2.集成温度控制器 3.集成监测探测器放大器 4.高光输出功率 5.ITU波长 - 全C波段覆盖 6.低RIN 7.窄线宽 8.PM/SM光纤，有无分支管

图片集

EM650图1
EM650图2
EM650图3
EM650图4
EM650图5
EM650图6
EM650图7
EM650图8
EM650图9
EM650图10
EM650图11
EM650图12

规格书

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厂家介绍

EM4 Technologies，总部位于马萨诸塞州波士顿，是全球领先的先进光子解决方案提供商，拥有20年的创新历史。公司专注于为光通信、电子战和空间光子学等挑战性应用领域制造高品质、耐用的产品。我们的工程卓越性确保了能够为全球客户提供定制化的解决方案，以满足他们不断演变的需求。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series 半导体激光器 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器 Laser Components

    峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C

    高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。

  • ADL-66201TL 半导体激光器 红光激光二极管 半导体激光器 Arima Lasers

    光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V

    ADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。

  • HSL-20 半导体激光器 高速扫描激光器 半导体激光器 Santec Corporation

    主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm

    HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

  • R2+ 50W Pulsed Fiber Laser 半导体激光器 R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器 Brimo Technology Inc.

    平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz

    R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器，具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量，适用于多种材料加工和工业应用。

  • 2327 nm DFB Laser 半导体激光器 NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器 Norcada Lasers

    存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3

    Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器，型号为NL2327-B，具有高稳定性和高性能，适用于多种光电应用场景。

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