在电子制造与研发领域，如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用，提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证，该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景，并分享提升
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InGaAs Quadrant PIN光电二极管芯片
分类： 光电二极管
厂家： ANDANTA GmbH
产地： 德国
型号： InGaAs Quadrant PIN Photodiode Chip
更新时间： 2024-12-20T02:42:14.000Z
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标签：
光电探测器 光学测量 高响应度 PIN光电二极管 InGaAs光电器件
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概述
InGaAs四象限PIN光电二极管芯片，具有高可靠性和低漏电流，适用于多种光电应用。
参数
- 光谱范围 / Spectral Range : 0.9-1.7μm
- 孔径尺寸/有效区域 / Aperture Size / Active Area : ?1860/0.625x4mm2
- 间隙 / Gap : 75μm
- 芯片尺寸 / Chip Dimensions : 长度2055±15μm，宽度2055±15μm，厚度300±20μm
- 暗电流@-5V / Dark Current @ -5 V : 0.5nA-5nA
- 电容@1MHz@0V / Capacitance @ 1 MHz @ 0 V : 140pF-170pF
- 电容@1MHz@-5V / Capacitance @ 1 MHz @ -5 V : 70pF-85pF
- 3dB带宽@-5V, 50Ω / 3dB Bandwidth @ -5 V, 50 Ω : 25MHz-30MHz
- 响应度@0V@0.85μm / Responsivity @ 0 V @ 0.85 μM : 0.1A/W-0.2A/W
- 响应度@0V@1.30μm / Responsivity @ 0 V @ 1.30 μM : 0.85A/W-0.90A/W
- 响应度@0V@1.55μm / Responsivity @ 0 V @ 1.55 μM : 0.95A/W-1.00A/W
应用
1. 光探测与测距 (LIDAR) 2. 光束对准 3. 光点位置检测 4. 远程光学控制
特征
1. 高可靠性的平面器件 2. 低漏电流 3. 高分流电阻 4. 高响应度 5. 低杂散吸收
详述
1. 高可靠性的平面器件 2. 低漏电流 3. 高分流电阻 4. 高响应度 5. 低杂散吸收
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名称
分类
制造商
参数
描述
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MOQ50-IT 光电二极管
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OTRON
光电二极管有效尺寸: 50mm2 光谱响应: 400-1100nm 反馈电阻: 100kΩ
MOQ50-IT是一款基于7.8mm直径四象限硅PIN的光电二极管，适用于点跟踪、天文设备中的星体引导检测、导航、位置传感器和自由空间通信。
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OSD360-EC 光电二极管
光电二极管
OTRON
芯片尺寸: 18×21mm2 有效区域: 17.30×20mm2 暗电流: 90nA
OSD360-EC是一款人眼响应的高输出、高速光电二极管，适用于色彩传感器、激光检测、医疗设备和光度计。
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OSA2713-16 光电二极管
光电二极管
OTRON
有效像素数量: 16 pixel 有效面积（每个像素）: 2.489×0.90 um 芯片尺寸（总芯片）: 2.794×15 um
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InGaAs PIN光电二极管G12180系列
光电二极管
Hamamatsu Photonics
光敏面积: 0.3-5 封装形式: TO-18, TO-5, TO-8 冷却类型: 非冷却型, 单级TE冷却型, 双级TE冷却型
Hamamatsu的InGaAs PIN光电二极管具有高并联电阻和极低的噪声，提供从0.3mm到5mm的多种光敏面积尺寸，适用于多种光电应用。
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