在现代光电系统和电子电工设备中，光学元件名称的准确识别与理解是确保系统设计、维护及优化的基石。无论是构建精密的光纤通信网络，还是调试复杂的激光加工设备，工程师和技术人员若对各类光纤元件、透镜、滤光片等关键部件的命名规则与功能特性模糊不清，极易导致选型错误、性能下降甚至系统故障。随着半导体器件与光电技术的深度融合，掌握规范的光学元件名称不仅关乎技术沟通的效率，
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LA SL200HRA
标签：
工业应用 传感器 光电元件 数据通信 高效率 红外LED
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概述
LA SL200HRA是一款120°的超红传感器LED，适用于工业、传感器和数据通信等领域，具有高光学效率和低内部反射。
参数
- 辐射功率 / Radiant Power : 4...16mW
- 辐射强度 / Radiant Intensity : 2.5mW/sr
- 正向电压 / Forward Voltage : 1.7...2.5V
- 光谱宽度RMS / Spectral Width RMS : 25nm
- 光束发散角 / Beam Divergence Angle : 120°
- 最大工作电流 / Max Operating Current : 50mA
- 最大脉冲电流 / Max Pulse Current : 100mA
应用
1. 工业 2. 传感器 3. 光栅 4. 数据通信
特征
1. 兰伯特发射模式 2. 高光学效率 3. 超高脉冲性能 4. 低内部反射 5. 黑色SMT封装
详述
1. 兰伯特发射模式 2. 高光学效率 3. 超高脉冲性能 4. 低内部反射 5. 黑色SMT封装
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厂家介绍
CHIPS 4 Light GmbH的目标客户是对光电元件有特殊要求的公司，并正在寻找中等数量的客户特定解决方案。该公司销售来自领先制造商的LED芯片、LED、探测器和激光产品，并开发特殊的光电元件以及客户特定的?？?根据要求也有自己的ASIC.
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名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
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峰值波长: 621 nm 光谱半宽: 18 nm 发光强度H12: 7500 mcd
ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN系列LED芯片，具有高发光强度，适用于交通信号、汽车和照明等多个应用。
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正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
ES-SMSOPN42B AlGaInP PN系列LED芯片具有高亮度和优异的电光特性，广泛应用于交通信号、汽车和照明等领域。
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LED驱动器芯片
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峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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