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GAP300光电探测器 光电探测器

GAP300光电探测器

分类： 光电探测器

厂家： GPD Optoelectronics Corp

产地： 美国

型号： GAP300

更新时间： 2025-03-19T02:08:19.000Z

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标签：

光通信 光电探测器 激光测距 低暗电流 高响应度

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概述

GAP系列光电探测器包括GAP60、GAP60CS、GAP75、GAP100和GAP300，具有高响应度和低暗电流，广泛应用于光通信和激光测距等领域。

参数

  • 有效直径 / Active Diameter : 60/75/100/300mm
  • 响应度@850nm / Responsivity @ 850nm : 0.10(0.20)/0.10(0.20)/0.10(0.20)/0.10(0.20)A/W min.(typ.)
  • 响应度@1300nm / Responsivity @ 1300nm : 0.80(0.90)/0.80(0.90)/0.80(0.90)/0.80(0.90)A/W min.(typ.)
  • 响应度@1550nm / Responsivity @ 1550nm : 0.95/0.95/0.95/0.95A/W min.
  • 暗电流@5V / Dark Current @ 5V : 0.8(0.3)/0.8(0.3)/1.0(0.5)/5.0(1.0)nA max.(typ.)
  • 电容@5V / Capacitance @ 5V : 0.7(0.5)/0.5(0.3)-CS/0.8(0.6)/1.2(1.0)/8.0(4.0)pF max.(typ.)
  • 上升/下降时间 / Rise/Fall Time : RL=50Ω 0.06/0.03-CS 0.07 0.1 0.4ns max.@5V
  • NEP@1550nm / NEP @ 1550 Nm : 10.0E-15/10E-15/13E-15/18E-15W/√Hz typ.
  • 外壳样式 / Case Style : TO-46(mod)/CS-1/TO-46(mod)/TO-46(mod)/TO-46(mod)
  • 正向电流 / Forward Current : 10/10/10/100mA

应用

1. 光通信 2. 激光测距 3. 光电成像 4. 光谱分析 5. 测量和测试设备

特征

1. 低暗电流 2. 高响应度 3. 宽带宽 4. 适应多种应用

详述

1. 低暗电流 2. 高响应度 3. 宽带宽 4. 适应多种应用

图片集

GAP300图1
GAP300图2
GAP300图3

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厂家介绍

GPD光电子公司成立于1973年，名为锗功率器件公司。我们从制造高质量锗晶体管开始，但自20世纪80年代初以来，我们已成为锗和铟镓砷化物光电二极管的可靠制造商。 随着经验的积累，我们提高了技术能力和生产能力，较终在新罕布什尔州塞勒姆建立了一个新工厂，规模翻了一番。
  • UPD-40-VSI-P
  • UPD-35-UVIR-D
  • Gentec-EO离散型热释电传感器QS2-IF
  • UPD-500-UD

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    图片 名称 分类 制造商 参数 描述
    • EL452-G Series 光电探测器 高压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW

      EL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器，包含一个红外发光二极管，光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。

    • EL815 Series 光电探测器 高隔离电压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器，提供宽引脚间距和表面贴装选项。

    • EL825 Series 光电探测器 EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器，包含红外发光二极管和光电晶体管探测器，提供高电流传输比和高输入输出隔离电压，适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。

    • VTH21xx系列硅光电二极管 光电探测器 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 Excelitas Technologies

      击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30

      低电容硅光电二极管芯片，专为α粒子检测设计，提供两种尺寸，兼容导电环氧安装，包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。

    • 4.2mm Silicon PIN Photodiode 光电探测器 4.2mm硅PIN光电二极管 光电探测器 北京敏光科技有限公司

      工作温度: -40~+85°C 存储温度: -40~+100°C 正向电流: 13mA

      4.2mm硅PIN光电二极管，具有高可靠性、低暗电流和宽光谱范围，适用于光学传感器、工业自动化控制、激光监测等多种应用场景。

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