在电子制造与研发领域，如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用，提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证，该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景，并分享提升
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APD10G0-30DPLED驱动器芯片
分类： LED驱动器芯片
厂家： Integrated Compound Semiconductors (ICS)
产地： 英国
型号： APD10G0-30DP
更新时间： 2025-03-20T01:52:41.000Z
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标签：
光电探测器 单模光纤 高速通信 雪崩光电二极管
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参数
- 反向最大光电流 / Reverse Max Photocurrent : 3 mA
- 响应度 / Responsivity : 8-10 A/W
- 击穿电压 / Breakdown Voltage : 26-30 V
- 电容 / Capacitance : 120-140 fF
- 3dB截止频率 / 3dB-Cut-Off Frequency : 6.2-6.5 GHz
- ESD等级 / ESD Rating : 500 V
- 光窗口直径 / Optical Window Diameter : 29-31 μm
- 芯片尺寸 / Die Size : 380x380-400x400 μm2
- 阳极垫尺寸 / Pad Size (Anode) : 128x88-132x92 μm2
- 阴极垫尺寸 / Pad Size (Cathode) : 318x88-322x92 μm2
- 芯片宽度 / Die Width : 380-400 μm
- 芯片长度 / Die Length : 380-400 μm
- 芯片厚度 / Die Thickness : 140-160 μm
应用
1. 单模通信光纤 2. 数据中心 3. 高速通信系统
特征
1. 极低的电容 2. 低暗电流 3. 大带宽 4. 优化的芯片布局
详述
1. 极低的电容 2. 低暗电流 3. 大带宽 4. 优化的芯片布局
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厂家介绍
ICS专注于化合物半导体射频和光学器件的设计和制造。它为通信、国防和汽车行业的一系列国际客户提供晶圆和芯片格式以及全封装组件。IC为GaAs和InP技术提供专有的4 “制造工艺，以及定制的3 ”和4 " InSb和GaSb晶圆工艺。
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名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
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Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
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正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
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峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
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