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在当今的电子电工领域，为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时，光纤激光与半导体激光（常直接称为激光二极管）的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同，直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景，对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题，更关乎企业的核心
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概述
ELT304X, ELT306X 和 ELT308X 系列是由 GaAs 红外发光二极管与单片硅零电压交叉光电双向晶闸管耦合而成的光电耦合器件。
参数
- 正向电流 / Forward Current : 60mA
- 反向电压 / Reverse Voltage : 6V
- 功耗 / Power Dissipation : 300mW
- 关断状态输出端电压 / Off-State Output Terminal Voltage ELT304X : 400V
- 关断状态输出端电压 / Off-State Output Terminal Voltage ELT306X : 600V
- 关断状态输出端电压 / Off-State Output Terminal Voltage ELT308X : 800V
- 峰值重复浪涌电流 / Peak Repetitive Surge Current : 1A
- 总功率耗散 / Total Power Dissipation : 330mW
- 隔离电压 / Isolation Voltage : 5000Vrms
- 工作温度 / Operating Temperature : -55~100°C
- 存储温度 / Storage Temperature : -55~125°C
- 焊接温度 / Soldering Temperature : 260°C
- 正向电压 / Forward Voltage : 1.5V
- 反向漏电流 / Reverse Leakage Current : 10μA
- 峰值阻断电流 / Peak Blocking Current ELT304X : 100nA
- 峰值阻断电流 / Peak Blocking Current ELT306X, ELT308X : 500nA
- 峰值导通电压 / Peak On-State Voltage : 3V
- 关断状态电压上升速率 / Critical Rate Of Rise Off-State Voltage ELT304X, ELT306X : 1000V/μs
- 关断状态电压上升速率 / Critical Rate Of Rise Off-State Voltage ELT308X : 600V/μs
- 抑制电压 / Inhibit Voltage : 20V
- 抑制状态漏电流 / Leakage In Inhibited State : 500μA
- LED触发电流 / LED Trigger Current ELT3041, ELT3061, ELT3081 : 15mA
- LED触发电流 / LED Trigger Current ELT3042, ELT3062, ELT3082 : 10mA
- LED触发电流 / LED Trigger Current ELT3043, ELT3063, ELT3083 : 5mA
- 保持电流 / Holding Current : 280μA
应用
1. 电磁阀/阀门控制 2. 灯光控制 3. 静态电源开关 4. 交流电机驱动 5. 电磁接触器 6. 温度控制
特征
1. 符合无卤素要求 2. 峰值击穿电压范围广 3. 输入与输出之间具有高绝缘电压 4. 零电压交叉功能 5. 符合RoHS版本要求 6. 符合欧盟REACH标准 7. 通过UL和cUL认证 8. 通过VDE认证 9. 通过SEMKO认证 10. 通过NEMKO认证 11. 通过DEMKO认证 12. 通过FIMKO认证 13. 通过CQC认证
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厂家介绍
亿光电子股份有限公司于1983年在台湾台北成立，由叶志强董事长领导。亿光拥有超过 40 年的研发经验，具有可靠的能力。凭借即时的服务和卓越的品牌声誉，亿光在竞争激烈的LED市场中名列全球前五。我们的产品在内部制造和包装，以保证最高的质量和服务。亿光提供多样化的产品组合，包括高功率 LED、SMD LED、灯具、照明元件、LED 照明?？椤⑹窒允酒?、光耦合器和红外元件，适用于各种应用。
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名称
分类
制造商
参数
描述
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高压光电达林顿耦合器
光电探测器
亿光电子
正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW
EL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器，包含一个红外发光二极管，光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。
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高隔离电压光电达林顿耦合器
光电探测器
亿光电子
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器，提供宽引脚间距和表面贴装选项。
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EL825 Series光电达林顿光耦合器
光电探测器
亿光电子
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器，包含红外发光二极管和光电晶体管探测器，提供高电流传输比和高输入输出隔离电压，适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。
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低电容硅光电二极管芯片
光电探测器
Excelitas Technologies
击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30
低电容硅光电二极管芯片，专为α粒子检测设计，提供两种尺寸，兼容导电环氧安装，包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。
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4.2mm硅PIN光电二极管
光电探测器
北京敏光科技有限公司
工作温度: -40~+85°C 存储温度: -40~+100°C 正向电流: 13mA
4.2mm硅PIN光电二极管，具有高可靠性、低暗电流和宽光谱范围，适用于光学传感器、工业自动化控制、激光监测等多种应用场景。
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