在当今的电子电工领域，为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时，光纤激光与半导体激光（常直接称为激光二极管）的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同，直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景，对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题，更关乎企业的核心
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高功率脉冲激光二极管
分类： 半导体激光器
厂家： Laser Components
产地： 德国
型号： High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series
更新时间： 2025-11-12T08:32:32.000Z
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概述
高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。
参数
- 峰值辐射强度波长范围 / Wavelength Of Peak Radiant Intensity λM : 895-915nm
- 光谱带宽(50%强度点) / Spectral Bandwidth Δλ At 50% Intensity Points : 5.5nm
- 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.28nm/°C
- 光束发散角平行于结平面1FWHM / Beam Spread Parallel To Junction Plane 1 FWHM : 1-11°
- 光束发散角垂直于结平面1FWHM / Beam Spread Perpendicular To Junction Plane 1 FWHM : 24°
- 光束发散角平行于结平面1/e2 / Beam Spread Parallel To Junction Plane 1/E2 : 15°
- 光束发散角垂直于结平面1/e2 / Beam Spread Perpendicular To Junction Plane 1/E2 : 48°
- 偏振比TE/ITE+TM / Polarization Ratio TE/ITE+TM : >98%
- 芯片数量 / Number Of Chips 905D1S3JT09X : 1
- 芯片数量 / Number Of Chips 905D2S3JT09X : 2
- 芯片数量 / Number Of Chips 905D3S3JT09X : 3
- 峰值光功率 / Po At Ifm 905D1S3JT09X : 115W
- 峰值光功率 / Po At Ifm 905D2S3JT09X : 235W
- 峰值光功率 / Po At Ifm 905D3S3JT09X : 335W
- 发光面积 / Emitting Area 905D1S3JT09X : 235x10μm
- 发光面积 / Emitting Area 905D2S3JT09X : 235x212μm
- 发光面积 / Emitting Area 905D3S3JT09X : 235x425μm
- 阈值电流 / Ith 905D1S3JT09X : 800mA
- 阈值电流 / Ith 905D2S3JT09X : 800mA
- 阈值电流 / Ith 905D3S3JT09X : 800mA
- 峰值电流 / Ifm 905D1S3JT09X : 40A
- 峰值电流 / Ifm 905D2S3JT09X : 40A
- 峰值电流 / Ifm 905D3S3JT09X : 40A
- 正向电压 / Forward Voltage At Ifm 905D1S3JT09X : 13.2V
- 正向电压 / Forward Voltage At Ifm 905D2S3JT09X : 21.8V
- 正向电压 / Forward Voltage At Ifm 905D3S3JT09X : 29.8V
- 峰值反向电压 / Peak Reverse Voltage : 36V
- 脉冲持续时间 / Pulse Duration : 150ns
- 占空因子 / Duty Factor : 0.1%
- 存储温度 / Storage Temperature : -55°C至+125°C
- 工作温度 / Operating Temperature : -40°C至+105°C
- 引线焊接 / Lead Soldering : 200°C(5秒最大)
应用
1. 距离测量 2. 测量设备 3. 武器模拟 4.LiDAR 5. 测高仪 6. 光学触发器 7. 医疗
特征
1.多结设备，功率高达335瓦 2.高达9.8W/A的效率 3.采用InGaAs/GaAs高可靠性结构 4.高功率大光腔(LOC)结构，适用于窄远场 5.卓越的温度稳定性 6.气密性和定制设计封装
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厂家介绍
在激光组件中，稳定性、连续性和以长期成功为目标的决策与动态性、灵活性、浅层次结构和短决策过程相结合。在家族企业中，这不是矛盾，而是两代人和谐合作，带领公司走向未来的结果。
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名称
分类
制造商
参数
描述
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红光激光二极管
半导体激光器
Arima Lasers
光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V
ADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。
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高速扫描激光器
半导体激光器
Santec Corporation
主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm
HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。
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R2 + 50 W脉冲光纤激光器
半导体激光器
Brimo Technology Inc.
平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz
R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器，具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量，适用于多种材料加工和工业应用。
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NL2327-B nm DFB激光器
半导体激光器
Norcada Lasers
存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3
Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器，型号为NL2327-B，具有高稳定性和高性能，适用于多种光电应用场景。
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