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OSA4111-16Q 光电二极管
有效像素数量: 16 pixel 有效面积（每个像素）: 1450*900 um 芯片尺寸（总芯片）: 1560*1040 um 像素间距: 100 um 光谱范围: 190-1100 nmOSA4111-16Q是一款多通道阵列光电探测器，具有低串扰和高均匀性，适用于多通道分光光度计和光谱分析仪。
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PSD100-SPB5 光电二极管
存储温度: -40 to +80 工作温度: -40 to +60 电源电压: ±12 偏置电压: 0 to 12 电流消耗: 200PSD100-SPB5是一款高精度二维位置传感器，适用于光轴对准、距离测量、激光束跟踪和长度测量。
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PSD5050-IM 硅光电二极管
传感器类型: Pincushion Tetra lateral Sensor 波长范围: 400-1100nm 传感器尺寸(有效面积): 52*52mm2 推荐光斑尺寸: φ0.2-φ40mm 绝对位置检测误差(mm): A area: 50μm, B area: 260μmTetra-lateral position sensing detector PSD5050-IM is manufactured with one single resistive layer for two dimensional measurements. It features a common cathode and four anodes for this two dimensional position sensing. It offers high response uniformity, low dark current, and good position linearity over 80% of the sensing area.
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OSD002-IT 光电二极管
有效区域: Φ1.60mm 暗电流: 100pA 上升时间: 12ns 暗电流温度系数: 0.18times/°C 反向击穿电压: 50VOSD002-IT是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管，适用于分析仪器、精密光度测量、荧光检测和红外/激光光监测。
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OSQ5.87-IB 光电二极管
芯片尺寸: 13.0*13.0mm 元件数量: 4 有效面积(直径): Φ11.75mm 间隙: 40um 通孔面积: Φ5.0mmOSQ5.87-IB象限光电二极管，具有低暗电流和高线性度，适用于激光束位置传感器、自准直仪、光学镊子和椭偏仪等应用。
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APD4000-9T 光电二极管
波长范围（nm）: 400-1100 峰值波长: 905 有效直径: 4000 有效面积: 12.56 暗电流: 35-45APD4000-9T是一款高增益、低噪声的雪崩光电二极管，适用于激光测距仪和高速光通信。
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OSQ4000TEC 光电二极管
芯片尺寸: Φ4mm 间隙: 110μm 暗电流: 7-75nA 上升时间: 5ns 温度系数: 3.3V/KOSQ4000TEC是一款具有高量子效率和增强红外响应能力的象限雪崩光电二极管，适用于激光束位置传感器、光学镊子和激光引导等应用。
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OSQ4000-YT 光电二极管
芯片尺寸: Φ4 mm 间隙: 110 μm 暗电流: 7-75 nA 上升时间: 5 ns 温度系数: 3.3 V/KOSQ4000-YT是一款分段象限雪崩光电二极管，具有增强的红外响应能力，适用于激光束位置传感器、光学镊子和激光引导。
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OSD2017 光电二极管
芯片尺寸: 0.812×3.251mm2 有效区域: 1.448×0.635×2elementsmm2 元素间距: 0.09mm 短路电流: 35μA 短路电流温度系数: 1.1%/°COSD2017是一种高灵敏度、快速响应的PIN光电二极管阵列，适用于零点操作、居中和电测量小的位移变化。
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PSD1545 光电二极管
芯片尺寸: 1.54×4.54mm 光敏度: 0.27A/W 光敏度: 0.51A/W 短路电流温度系数: 0.18%/°C 正向电压: 0.5-1.3VPSD1545是一种高线性度和高速响应的光电位置传感器，适用于接近传感器和激光束聚焦等应用。
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APD1800-UT 光电二极管
波长范围: 200-1100nm 峰值波长: 800nm 有效直径: 1800μm 有效区域: 1.77mm2 暗电流: 3-10nAAPD1800-UT是一款高灵敏度的雪崩光电二极管，适用于低光水平测量和分析仪器。
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OSD2.9-IT 光电二极管
芯片尺寸: 3.6×3.6mm2 有效区域: Φ2.90mm2 短路电流: 85μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 350mVOSD2.9-IT是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管，适用于分析仪器、光学测量设备等多种应用。
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OSQ1-IT 光电二极管
元件数量: 4 有效面积(直径): Φ1.13mm 间隙: 16um 光谱范围: 400-1100nm 光敏度（940nm）: 0.60A/WOSQ1-IT是一款具有低暗电流和高分辨率的硅象限光电二极管，适用于激光束位置传感器、自准直仪、光学镊子和椭偏仪等应用。
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OSD5-IT 光电二极管
芯片尺寸: 5.57*5.57mm2 有效区域: Φ5.05mm2 暗电流: 0.09nA 暗电流: 0.048nA 上升时间: 25nsOSD5-IT是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管，适用于分析仪器、精密光度测量、荧光检测器等应用。
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OSQ20-IT 光电二极管
元件数量: 4 有效面积(直径): Φ5.05mm 间隙: 34um 光谱范围: 400-1100nm 光敏度（940nm）: 0.60A/WOSQ20-IT是一款具有低暗电流和高分辨率的硅象限光电二极管，适用于激光束位置传感器、自动准直仪、光学镊子和椭圆偏振仪等应用。
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OSQ3.5-IT 光电二极管
元件数量: 4 有效面积(直径): Φ3.57mm 间隙: 28um 光谱范围: 400-1100μA 光敏度（940nm）: 0.60A/WOSQ3.5-IT是一款具有低暗电流和高分辨率的光电探测器，适用于激光束位置传感器、光学镊子、自准直仪和椭偏仪等应用。
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OSD10-IM 硅光电二极管
有效区域: Φ10mm 暗电流: 0.25nA 上升时间: 50ns 暗电流温度系数: 0.18times/°C 反向击穿电压: 50VΦ10 mm active area, low Dark Current photodiode with P On N construction. Surface mount packaged with clear epoxy encapsulant.
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OSA1-16 Silicon PIN Photodiode Array 光电二极管
有效像素数量: 16 pixel 有效面积（每个像素）: 1000*1000 um 芯片尺寸（总芯片）: 7630*7630 um 像素间距: 125 um 光谱范围: 400-1100 μAOSA1-16 Silicon PIN Photodiode Array是一款具有低电容高灵敏度的光电探测器，适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信等应用。
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APD800-10T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 峰值波长: 1064nm 有效直径: 800μm 有效区域: 0.5mm2 暗电流: 3.0-25nAAPD800-10T是一款高增益、低噪声的雪崩光电二极管，适用于激光测距仪、高速光通信和脉冲1064nm激光检测。
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APD3000-10T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 峰值波长: 1064nm 有效直径: 3000μm 暗电流: 45-500nA 结电容: 20pFAPD3000-10T 是一种高增益雪崩光电二极管，适用于激光测距仪、高速光通信和脉冲1064nm激光检测。