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OSA1-25 光电二极管
有效像素数量: 16 pixel 有效面积(每个像素): 1000*1000 um 芯片尺寸(总芯片): 9355*9355 um 像素间距: 125 um 光谱范围: 400-1100 nmOSA1-25多通道阵列光电探测器,具有低电容高灵敏度,适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信等应用。
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APD500-9-8015T 光电二极管
存储温度: -55 to +125°C 工作温度: -40 to +80°C 焊接温度: +240°C 功耗: 360mW 单电源电压: +4.5 to +11VAPD500-9-8015T是一款高性能的雪崩光电二极管放大器,适用于精密光度测量、分析仪器、弱光传感器和医疗设备。
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APD800-10T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 峰值波长: 1064nm 有效直径: 800μm 暗电流: 3.0-25nA 结电容: 1.2pFAPD800-10T是一款高增益雪崩光电二极管,适用于激光测距仪、高速光通信和脉冲1064nm激光检测。
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APD500-8TO52S2 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 500μm 暗电流: 0.05-3.0nA 结电容: 2.0pF 反向击穿电压: 80-200VAPD500-8TO52S2是一款高增益、高速的光电探测器,适用于激光测距仪和高速光通信。
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APD500-8TO52S1 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 500μm 暗电流: 0.05-3.0nA 结电容: 2.0pF 反向击穿电压: 80-200VAPD500-8TO52S1是一款高增益、低噪声的雪崩光电二极管,适用于激光测距仪和高速光通信。
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OPLD905-50T 光电二极管
峰值输出功率: 50-65W 峰值波长: 895-915nm 工作模式: QCW 脉冲宽度: 200ns 脉冲重复频率: 5KHzOPLD905-50T是一款用于激光测距的脉冲激光二极管,具有高达50W的光学峰值功率和905nm的激光波长,适用于高尔夫球手、猎人、土木工程师和激光雷达等应用。
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APD800-9T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 峰值波长: 905nm 有效直径: 800μm 有效区域: 0.5mm2 暗电流: 2.0-25nAAPD800-9T是一款高增益、低噪声的光电二极管,适用于激光测距仪、高速光通信和脉冲905nm激光检测。
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APD1500-9T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 峰值波长: 905nm 有效直径: 1500μm 有效区域: 1.77mm2 暗电流: 15.0-25nAAPD1500-9T是一款高增益、低噪声的雪崩光电二极管,适用于激光测距仪、高速光通信和脉冲905nm激光检测。
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APD1500-10T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 峰值波长: 1064nm 有效直径: 1500μm 有效区域: 1.77mm2 暗电流: 7.0-90nAAPD1500-10T 是一种高增益、低噪声的雪崩光电二极管,适用于激光测距仪、高速光通信和脉冲1064nm激光检测。
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APD500-10T 硅光电二极管
波长范围: 400-1100nm 峰值波长: 1064nm 有效直径: 500μm 暗电流: 1.5-10nA 结电容: 0.5pFAPD500-10T是一款圆形(Φ500um)0.2mm2有效面积的雪崩光电二极管阵列,具有优化的灵敏度,适用于需要高速度和低噪声的红外应用。
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MSM1.2TF-3 光电二极管
操作温度范围: -40~+85°C 存储温度范围: -40~+100°C 焊接温度(3秒): 260°C 反向击穿电压: 600V 芯片尺寸: 1.28*1.2mm2MSM1.2TF-3是一种MSM类型的紫外光电二极管,优化用于紫外线UVC波长,适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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APD500-9MF 光电二极管
光谱响应范围: 400-1100nm 峰值灵敏度波长: 905nm 有效光敏面积: 0.196mm2 暗电流: -1.0nA 结电容: -1.0pFAPD500-9MF是一款高性能硅雪崩光电二极管,适用于激光测距和高速光通信应用。
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OSX0184 光电二极管
芯片尺寸: 0.4*0.4mm 有效区域: Φ0.184mm 暗电流: 0.10nA 暗电流温度系数: 0.18times/°C 上升时间: 0.5nsOSX0184是一款高速度、高灵敏度的硅光电二极管,适用于高速光度测量、高速开关、脉冲光检测等应用。
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APD1.0TF-3 光电二极管
操作温度范围: -20 to +100°C 存储温度范围: -40 to +120°C 焊接温度(3秒): 260°C 正向电压(连续偏置): 5V 正向电流(连续偏置): 1mAAPD1.0TF-3是一款基于SiC的宽带紫外雪崩光电二极管,优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长,适用于紫外荧光检测、紫外激光雷达和通信、远程火焰感应。
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SiC1.0TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25~+120°C 存储温度范围: -40~+120°C 焊接温度(3秒): 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): 1.0mm2SiC1.0TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管,优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长,适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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SiC9.0TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25至+120°C 存储温度范围: -40至+120°C 焊接温度(3秒): 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): 9.0mm2SiC9.0TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管,优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长,适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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SiC0.25TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25~+120°C 存储温度范围: -40~+120°C 焊接温度(3秒): 260°C 反向电压: 20V 芯片尺寸(有效面积): 0.25mm2SiC0.25TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管,优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长,适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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SiC300TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25~+120°C 存储温度范围: -40~+120°C 焊接温度(3秒): 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): Φ300μmSiC300TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管,优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长,适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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ISO18-IT 光电二极管
芯片尺寸: 4.2×4.2mm2 有效区域: 3.924×3.924mm2 短路电流: 170μA 短路电流温度系数: 2856K 开路电压: 350mVISO18-IT是一款高输出、高灵敏度的硅PIN光电二极管,适用于分析仪器、精密光度测量、红外/激光光监测等应用。
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OSQ2-IT 光电二极管
元件数量: 4 有效面积(直径): Φ1.60mm 间隙: 20um 光谱范围: 400-1100nm 光敏度: 0.60A/WOSQ2-IT是一款具有低暗电流和高分辨率的硅光电二极管,适用于激光束位置传感器、光学镊子等应用。