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IGQ5000-IT 光电二极管
芯片尺寸: φ5mm 间隙: 30um 暗电流: 0.30nA 上升时间: 10ns 暗电流温度系数: 1.2times/°CIGQ5000-IT InGaAs象限光电二极管，具有低暗电流和高可靠性，适用于激光束位置传感器、光学镊子和激光制导。
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SiC300TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25至+120℃ 存储温度范围: -40至+120℃ 焊接温度: 260℃ 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): Φ300mmSiC300TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管，优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长，适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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IGA10000-IC 光电二极管
芯片尺寸: 10374*10374 um 有效区域: Φ10000 um 正向电流: 10 mA 反向电流: 5 mA 暗电流: 0.3 nAIGA10000-IC是一种高灵敏度的红外探测器，适用于光学仪器、激光功率测量和近红外传感。
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OCD128 光电二极管
像素类型: Linear Image Sensor photo diode 阵列尺寸: 1 x 128 像素尺寸（间距）: 31.2um X 500um 成像活动区域: 3980um X 500um 输出阻抗: 80 ohmsOCD128线性图像传感器，具有高性能、低暗电流光电二极管像素阵列，适用于便携式应用和高性能成像系统。
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OCD512 光电二极管
供电电压: 3.0-3.6V 供电电流: 24mA 输入高电平: 2.5V 输入低电平: 0.7V 时钟脉冲频率: 1K-20MHzOCD512线性图像传感器，具有高信噪比和便携式应用的理想选择。
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OSQ22-YT 光电二极管
元件数量: 4 有效面积(直径): Φ5.5mm 间隙: 180um 光谱范围: 400-1100nm 光敏度: 0.45-0.48A/WOSQ22-YT是一款具有高响应和低暗电流的光电探测器，适用于1064nm激光检测、激光引导、激光对准和位置检测。
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OSPAD050-TEC 光电二极管
正向电流: +1mA 正向电压: +1V 光功率: 1mW 反向电流: -1mA 反向电压(连续偏置): -(Vb+5)VOSPAD050-TEC是一款专为单光子计数应用设计的硅雪崩光电探测器，适用于量子光学、量子计算和极低光感测。
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APD3000-TEC 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 3000μm 暗电流: 45-500nA 结电容: 12pF 反向击穿电压: 200-600VAPD3000-TEC是一款高灵敏度的APD芯片，适用于脉冲1064nm激光检测、激光测距和荧光检测。
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OSD29-SST 光电二极管
活动面积（顶部）: 2.90×2.90mm2 活动面积（底部）: 2.90×2.90mm2 光谱范围（顶部）: 300-1100nm 光谱范围（底部）: 900-1100nm 并联电阻: 200MΩOSD29-SST是一款高可靠性的光电探测器，适用于双波长功率计和远程色温传感。
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OSD3575-IC 光电二极管
芯片尺寸: 3.50×7.50 mm2 有效区域: 3.22×7.17 mm2 暗电流: 0.018 nA 截止频率: 20 MHz 暗电流温度系数: 0.18 times/°COSD3575-IC是一款高速、高灵敏度的PIN硅光电二极管，适用于激光束对准、位置传感等应用。
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SiC1.0TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25 to +120°C 存储温度范围: -40 to +120°C 焊接温度（3秒）: 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): Φ1000mmSiC1.0TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管，优化用于紫外、UVA、UVB和UVC波长，适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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SiC1.0TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25~+120°C 存储温度范围: -40~+120°C 焊接温度（3秒）: 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): Φ1000mmSiC1.0TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管，优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长，适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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SiC0.25TF-3 硅光电二极管
操作温度范围: -25~+120°C 存储温度范围: -40~+120°C 焊接温度（3秒）: 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): Φ500mmSiC0.25TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管，优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长。它可以通过集成滤光片轻松选择。
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IGA2000 光电二极管
芯片尺寸: 2300×2300×200um 有效区域: φ2000um 正向电流: 10mA 反向电流: 10mA 暗电流: 400-860pAIGA2000是一种高灵敏度的红外探测器，适用于光学仪器、激光功率测量和近红外传感。
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IGA3000 光电二极管
芯片尺寸: 5.25×5.25um 有效区域: Φ3000um 正向电流: 10mA 反向电流: 10mA 暗电流: 80pAIGA3000是一种高灵敏度的红外探测器，适用于光学仪器、激光功率测量和近红外传感。
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IGA75-APD 光电二极管
有效直径: φ75um 带宽: 2.5GHz 工作增益: 1-20 反向击穿电压: 45-50V 温度系数: 34-40mV/KIGA75-APD是一种高响应性、低噪声的InGaAs APD，适用于距离测量和光学通信系统。
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IGA500-APD 光电二极管
有效区域: φ500um 最大增益: 20 响应时间: 1ns 暗电流: 100nA 反向击穿电压: 40-60VIGA500-APD是一款大面积InGaAs APD，提供高响应性和低噪声，适用于距离测量和光学通信系统。
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PGA-284 光电二极管
正向电流: 1mA 正向电压: 1V 反向电流: 1mA 反向电压: -(Vbr+5)V 脉冲偏置反向电压: -(Vbr+10)VPGA-284 是一款专为单光子计数应用设计的雪崩光电探测器，适用于量子光学、光谱测量和3D激光雷达。
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APD230-9T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 230μm 暗电流: 0.1-1.0nA 结电容: 0.80pF 反向击穿电压: 80-200VAPD230-9T是一款高增益、低噪声的光电二极管，适用于激光测距仪和高速光通信等应用。
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APD500-9TF 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 500μm 间隙/分离: 1200um 间距: 200um 暗电流: 0.1-1.0nAAPD500-9TF是一款高增益雪崩光电二极管，适用于激光测距仪和高速光通信。