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OSQ10-IC 光电二极管
推荐光斑尺寸: Φ0.1mm 损伤阈值连续波: 300mw/cm2 损伤10ns脉冲: 1500mj/cm2 短路电流: 90μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃OSQ10-IC是一款具有低暗电流和高灵敏度的硅象限光电二极管,适用于激光束位置传感器、光学镊子等应用。
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OSD0.25-IM 光电二极管
芯片尺寸: 0.61×0.61mm2 有效面积: 0.432×0.432mm2 短路电流: 3μA 短路电流温度系数: 1.2%/℃ 开路电压: 150mVOSD0.25-IM是一款高灵敏度的硅平面光电二极管,适用于光学开关、脉冲激光检测器、自动传感器和工业机器。
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TBC-450 光电二极管
输入电压: 4.5~5.5V 输出电压: -40~450V 输出电流: Max0.5mA 工作温度: -40~70°C 温度传感器: Pt1000TBC-450是一款专为APD应用设计的高压模块,具有温度补偿和高精度特性,适用于高压APD、PIN光电二极管和压电设备。
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PGA-284 光电二极管
正向电流: 1mA 正向电压: 1V 反向电流: 1mA 反向电压: -(Vbr+5)V 脉冲偏置反向电压: -(Vbr+10)VPGA-284是一款专为单光子计数应用设计的雪崩光电探测器,适用于量子光学、光谱测量和3D激光雷达。
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TGA-284 光电二极管
正向电流: 1mA 正向电压: 1V 反向电流: 1mA 反向电压: -(Vbr+5)V 脉冲偏置反向电压: -(Vbr+10)VTGA-284是一款专为单光子计数应用设计的雪崩光电探测器,适用于量子光学、光谱测量和3D激光雷达。
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IGA210 光电二极管
芯片尺寸: 360×360×155um 有效区域: Φ210um 正向电流: 10mA 反向电流: 10mA 暗电流: 10pAIGA210是一种高灵敏度的红外探测器,适用于光学仪器、激光功率测量和近红外传感。
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IGA055 光电二极管
芯片尺寸: 300×300×155um 有效区域: Φ55um 正向电流: 10mA 反向电流: 10mA 暗电流: 10pAIGA055是一种高灵敏度的InGaAs PIN光电二极管,适用于红外仪器和监测应用。
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IGA300 硅光电二极管
芯片尺寸: 440*440um 有效区域: Φ300um 正向电流: 10mA 反向电流: 10mA 暗电流: 100pAOTRON SENSOR IGA300是一种具有0.30mm直径有效面积的红外敏感探测器,具有从1000nm到1680nm的优异响应能力,允许对弱信号的高灵敏度。这些大面积设备非常适合用于红外仪器和监测应用。我们还可以根据客户芯片尺寸或封装样式进行定制。
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IGA64AA-APD 光电二极管
有效直径: 200um/pixel 间距/中心间距: 800um 间距: 600um 工作增益: 1-10-75 量子效率(1550nm): 80%-85%IGA64AA-APD是一款高灵敏度、低电容的InGaAs雪崩光电二极管阵列,适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信等应用。
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OSQ10-IM 光电二极管
推荐光斑尺寸: Φ0.1mm 损伤阈值连续波: 300mw/cm2 损伤10ns脉冲: 1500mj/cm2 短路电流: 90μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃OSQ10-IM是一款低暗电流的硅象限光电二极管,适用于激光束位置传感器、光学镊子、太阳能跟踪系统等应用。
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OSD9-8T 光电二极管
芯片尺寸: 3.05×3.05mm2 有效区域: 2.794×2.794mm2 暗电流: 0.10nA 暗电流: 0.23-1nA 上升时间: 20nsOSD9-8T是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管,适用于分析仪器、光学测量设备、精密光度测量等应用。
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APD230-8-2G TO5 光电二极管
暗电流: 0.5-1.0nA 电容: 1.5pF 击穿电压: 80-120V 击穿电压温度系数: 0.30-0.50V/K 3dB带宽: -GHzAPD230-8-2G TO5是一款高增益、低噪声的光电探测器,适用于精密光度测量、分析仪器和低光传感器应用。
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IGA1000TEC 光电二极管
芯片尺寸: 1290×1290×175um 有效区域: Φ1000 正向电流: 10mA 反向电流: 10mA 暗电流: 10pAIGA1000TEC是一种高量子效率的红外探测器,适用于光学仪器、激光功率测量和近红外传感。
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OPLD1550-30T 光电二极管
峰值输出功率: 30W 峰值波长: 1550nm 工作模式: QCW 脉冲宽度: 200ns 脉冲重复频率: 5KHzOPLD1550-30T是一款适用于激光测距仪的脉冲激光二极管,具有高达30W的光学峰值功率和1550nm的激光波长,适合高尔夫球手、猎人、土木工程师和激光雷达等应用。
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OPLD1550-3T 光电二极管
峰值输出功率: 3W 峰值波长: 1550nm 工作模式: CW 脉冲宽度: 200ns 脉冲重复频率: 5KHzOPLD1550-3T是一款适用于激光测距仪的脉冲激光二极管,具有高达3W的光学峰值功率和1550nm的激光波长,适合高尔夫球手、猎人、土木工程师和激光雷达等应用。
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APD200-8M 光电二极管
光谱响应范围: 400-1100nm 峰值灵敏度波长: 800nm 有效光敏面积: 0.03mm2 暗电流: 0.02-0.50nA 结电容: 1.0pFAPD200-8M是一款具有高增益和宽光谱响应的光电探测器,适用于激光测距和高速光通信。
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PSD100-IC 光电二极管
传感器类型: Pincushion Tetra lateral Sensor 波长范围: 400-1100nm 传感器尺寸(有效面积): 9X9mm2 推荐光斑尺寸: Φ0.2-Φ7.2mm 绝对位置检测误差(毫米): 150μmPSD100-IC是一款高响应性的双维位置传感器,适用于工具对准、水平测量和自动测距系统。
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OSD5870 硅光电二极管
芯片尺寸: 5.715×11.303×2 mm2 有效区域: 5.365×10.953×2 elements mm2 元素间距: 0.5 mm 短路电流: 134 μA 短路电流温度系数: 1.2 %/°COSD5870是一款PIN光电二极管阵列,具有0.50mm的元素间隙,适用于零点操作、居中或电测量小的位移变化,安装在带树脂涂层的陶瓷茎封装中。
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IGA32-APD 光电二极管
有效直径: 24*75um/pixel 间距/中心间距: 48um 间距: 24um 工作增益: 1-75 量子效率(1550nm): 80%-85%IGA32-APD是一款高灵敏度、低噪声的InGaAs雪崩光电二极管阵列,适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信。
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iSO1-8T 光电二极管
芯片尺寸: 1.016*1.016mm2 有效区域: 0.813*0.813mm2 暗电流: 0-1nA 暗电流温度系数: 0.18times/°C 反向击穿电压: 33ViSO1-8T是一种高灵敏度硅平面光电二极管,适用于光学开关、脉冲激光检测器、自动传感器和工业机器。