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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供2040个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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APD230-8M 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 230μm 暗电流: 0.02-0.20nA 结电容: 1.5pF 反向击穿电压: 80-200VAPD230-8M是一款高增益、高速的光电探测器,适用于激光测距仪和高速光通信。
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OSD100-EC 光电二极管
芯片尺寸: 10×10mm 有效区域: 9.4×9.4mm2 短路电流: 750μA 短路电流温度系数: -1%/℃ 开路电压: 450mVOSD100-EC是一款高灵敏度、高速响应的光电二极管,适用于色彩传感器、激光检测、医疗设备和光度计等应用。
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MOD1-25D 光电二极管
活动区域: 1*1mm2 元件间隙: 300um 短路电流: 7uA Isc温度系数: 1.2%/℃ 开路电压: 332mVMOD1-25D 是一个高光敏度的红外增强光电二极管阵列,适用于散射测量、脉冲激光检测和位置传感。
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OSD5870 光电二极管
芯片尺寸: 5.715×11.303×2 mm2 有效区域: 5.365×10.953×2 elements mm2 元素间距: 0.5 mm 短路电流: 134 μA 短路电流温度系数: 1.2 %/°COSD5870是一种PIN光电二极管阵列,具有0.50mm的元素间隙,用于零点操作、居中或电测量小的位移变化,安装在带树脂涂层的陶瓷封装中。
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OSD9-EC 光电二极管
芯片尺寸: 3.17×3.17mm2 有效区域: 2.84×2.84mm2 暗电流: 28pA 上升时间: 1450ns 温度系数: 0.18times/°COSD9-EC是一款高输出、高速响应的光电二极管,适用于色彩传感器、激光检测、医疗设备和光度计。
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APD500-8M 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 500μm 暗电流: 0.05-0.40nA 结电容: 3.0pF 反向击穿电压: 80-200VAPD500-8M是一款高增益、高速的光电探测器,适用于激光测距仪和高速光通信。
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OSX66/-F 光电二极管
有效区域: φ100um 暗电流: 20-60pA 上升时间: 0.70ns 反向电压: 15-40V 反向击穿电压: 40VOSX66/-F是一款高效的高速光探测器,适用于光纤通信、工业电子和控制电路。
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BPW21 光电二极管
短路电流: 10μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 460mV 开路电压温度系数: -2.2mV/℃ 暗电流: 20pABPW21是一种高精度光电二极管,适用于日光曝光计、LED监视器、CRT亮度控制等应用。
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APD230-9A15 光电二极管
波长范围(nm): 400-1100 有效直径: 230 间隙/分离: 800 间距: 570 暗电流: 0.1-1.0APD230-9A15是一款高增益、低噪声的雪崩光电二极管,适用于激光测距仪和高速光通信。
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OSD1133 光电二极管
芯片尺寸: 2.97×2.97mm2 有效区域: 2.47×2.47mm2 短路电流: 14μA 短路电流温度系数: 1%/℃ 开路电压: 360mVOSD1133是一款高输出、高灵敏度的硅紫外增强光电二极管,安装在陶瓷杆封装中,带有平面紫外玻璃窗,允许宽角响应。
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OSD9-BC 光电二极管
芯片尺寸: 3.17×3.17mm2 有效区域: 2.84×2.84mm2 暗电流: 28pA 上升时间: 300ns 暗电流温度系数: 0.18times/°COSD9-BC是一款对蓝光响应的高输出、高速硅光电二极管,适用于色彩传感器、激光检测和医疗设备。
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OSD4-IPT 光电二极管
短路电流: 66μA Isc温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 358mV Voc温度系数: -2.2mV/℃ 暗电流: 60pAOSD4-IPT是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管,适用于分析仪器、光学测量设备、精密光度测量等应用。
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OSD36-YC 光电二极管
芯片尺寸: 6.0×6.0mm 有效区域: 5.706×5.706mm2 暗电流: 80pA 上升时间: 320ns 上升时间: 310nsOSD36-YC是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管,适用于光学开关和YAG脉冲激光光监测。
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UV0.25-3L 光电二极管
操作温度范围: -25~+120°C 存储温度范围: -40~+120°C 焊接温度(3秒): 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): 0.25mm2UV0.25-3L是一款宽带SiC基紫外光电二极管,优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长,适用于阳光曝光计、紫外功率计、水净化设施和火焰检测。
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OSD4-HT 光电二极管
短路电流: 32-50μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 355mV 开路电压温度系数: -2.2mV/℃ 暗电流: 11-14nAOSD4-HT是一款高输出、高速硅光电二极管,适用于激光检测、工业控制和数据传输等应用。
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OSQ50-IT 光电二极管
推荐光斑尺寸: Φ0.1-Φ4mm 损伤阈值连续波: 300mw/cm2 损伤10ns脉冲: 1500mj/cm2 短路电流: 23μA 短路电流温度系数: 1.1%/°C50mm2低暗电流象限光电二极管,采用P on N结构和50um间隙。封装在TO-8中,具有非密封超平熔融硅玻璃窗口间隙。它是外壳隔离封装。
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S-200CL
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Optoelectronics.的S-200CL是波长范围为970 nm、电容为750 PF、暗电流为1200 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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GESTIN-2TE-TO8 -0300 光电二极管
冷却方式: 2TE 有效区域: Φ300μm - Φ3000μm 最大热负载功率: 0.93W 最大负载电流: 1A 最大负载电压: 2VGESTIN-2TE-TO8系列是由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和双级热电冷却器(2TE)组成,采用TO封装形式。