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光电晶体管

已选
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

    确定 取消
  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • NTE3031 光电晶体管

    NTE3031

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，请联系我们。

  • OP798A 光电晶体管

    OP798A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情，请联系我们。

  • OP506C 光电晶体管

    OP506C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP506C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP506C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP508FA 光电晶体管

    OP508FA

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    TT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息，请联系我们。

  • OP599A 光电晶体管

    OP599A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP599A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.35 mA.有关OP599A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP304SL 光电晶体管

    OP304SL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1μA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP580DA 光电晶体管

    OP580DA

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.15 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP580DA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1μA，集电极发射极电压（饱和）1.7 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流10 mA.有关OP580DA的更多详细信息，请联系我们。

  • OP506W 光电晶体管

    OP506W

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.75 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    TT Electronics的OP506W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息，请联系我们。

  • OP802WSL 光电晶体管

    OP802WSL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2.5 mA，功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情，请联系我们。

  • NTE30133 光电晶体管

    NTE30133

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自NTE Electronics，Inc的NTE30133是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息，请联系我们。

  • OP303SL 光电晶体管

    OP303SL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1μA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管

    MTD8000N4-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • OP538FA 光电晶体管

    OP538FA

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请联系我们。

  • OP705C 光电晶体管

    OP705C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP705C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.50至4.85 mA.有关OP705C的更多详情，请联系我们。

  • OP550C 光电晶体管

    OP550C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    TT Electronics的OP550C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP550C的更多详情，请联系我们。

  • OP506A 光电晶体管

    OP506A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP506A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP506A的更多详细信息，请联系我们。

  • SFH 3600 光电晶体管

    SFH 3600

    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂家：ams OSRAM
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V 集电极暗电流: 1 to 50 nA

    欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息，请联系我们。

  • VEMT3700F 光电晶体管

    VEMT3700F

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • PT204-6C 光电晶体管

    PT204-6C

    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂家：亿光电子
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

    Ever Light的PT204-6C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6C的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3039 光电晶体管

    NTE3039

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc生产的NTE3039是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗70 MW.有关NTE3039的更多详细信息，请联系我们。