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光电晶体管

已选
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

    确定 取消
  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

    确定 取消
  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • MTD8600T4-T 光电晶体管

    MTD8600T4-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • OP509B 光电晶体管

    OP509B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息，请联系我们。

  • BPV11F 光电晶体管

    BPV11F

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW76A 光电晶体管

    BPW76A

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP555C 光电晶体管

    OP555C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP555C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP555C的更多详情，请联系我们。

  • XZRNI45S 光电晶体管

    XZRNI45S

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi45S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi45S的更多详细信息，请联系我们。

  • OP593B 光电晶体管

    OP593B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP593B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2至4 mA.有关OP593B的更多详情，请联系我们。

  • SFH 3400 光电晶体管

    SFH 3400

    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂家：ams OSRAM
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 to 70 V 集电极暗电流: 3 to 10 nA

    欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至10 nA，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息，请联系我们。

  • AP1608P1C 光电晶体管

    AP1608P1C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP750C 光电晶体管

    OP750C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP750C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至2.8 mA.有关OP750C的更多详情，请联系我们。

  • OP800D 光电晶体管

    OP800D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP800D是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.45 mA，功耗为250 MW.有关OP800D的更多详情，请联系我们。

  • SFH 325 光电晶体管

    SFH 325

    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂家：ams OSRAM
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V 集电极暗电流: 1 to 50 nA

    OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）35 V，功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。

  • OP775B 光电晶体管

    OP775B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP775B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP775B的更多详情，请联系我们。

  • PT5529B/L2/H2-F 光电晶体管

    PT5529B/L2/H2-F

    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂家：亿光电子
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

    Ever Light的PT5529B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT5529B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

  • T5096P 光电晶体管

    T5096P

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 85 V

    Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管

    MTD8600N4-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • BPV11 光电晶体管

    BPV11

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请联系我们。

  • T1090P6 光电晶体管

    T1090P6

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 80 V

    Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为80 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息，请联系我们。

  • OP593C 光电晶体管

    OP593C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP593C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1 mA.有关OP593C的更多详情，请联系我们。

  • L14F2 光电晶体管

    L14F2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 25 V

    来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请联系我们。