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输出电流
Output Current(A)
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输出电压
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ES-CADR509 AlGaInP ITO-top LED芯片
ES-CADR509 AlGaInP ITO-top LED Chip是一款高亮度LED,适用于移动设备、室内应用及消费电子,具有优越的光电特性和可靠性。
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ES-CADR508 AlGaInP to -top LED芯片
ES-CADR508 AlGaInP ITO-top LED Chip是一款高亮度LED芯片,适用于移动设备和消费电子,具有优异的光电特性。
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ES‐CADCD08 AlGaInP ITO‐top LED芯片
ES‐CADCD08 AlGaInP ITO‐top LED Chip是高性能的LED芯片,适用于数据通信和工业电子领域,具有650nm的峰值波长和卓越的电光特性。
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ES-CAAY508 AlGaInP to -top LED芯片
ES-CAAY508 AlGaInP ITO-top LED Chip是一款高亮度LED芯片,适用于移动设备、室内应用和消费电子,具有优越的电光特性。
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TPD-1C12-019LED驱动器芯片
响应度: 0.9-1.1 A/W 击穿电压: 25-35 V 电容: 0.75-0.9 pFTPD-1C12-019是一款InGaAs PIN光电二极管,专为光纤应用设计,具有低暗电流和低电容,适用于数据传输和传感器应用。
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ICS APD10G0-30GSGLED驱动器芯片
反向最大光电流: 3 mA 响应度: 8-10 A/W 击穿电压: 26-35 V 电容: 120-140 fF 3dB截止频率: 6.2-6.5 GHzICS APD10G0-30GSG是一款高性能雪崩光电二极管,适用于单模光纤通信,支持10Gbps数据速率,具有低暗电流和大带宽。
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ICS PINARY25G1-20GSGLED驱动器芯片
响应度(1.31μm): 0.7-0.75A/W 响应度(1.55μm): 0.65-0.7A/W 击穿电压: -35--45V 电容: 85-110fF 3dB截止频率: 16GHzICS PINARY25G1-20GSG是一款适用于光纤通信的高性能InGaAs PIN二极管,支持25Gbps的数据传输速率,广泛应用于光学接收器。
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ICS PIN25G0-20GSGLED驱动器芯片
灵敏度: 0.8-0.9A/W 灵敏度: 0.8-0.9A/W 反向击穿电压: -45--50V 电容: 60-75fF 3dB截止频率: 14-16GHzICS PIN25G0-20GSG是一款25Gbps的InGaAs PIN二极管,适用于单模光纤通信,具有极低的暗电流和电容。
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APD10G0-30DPLED驱动器芯片
反向最大光电流: 3 mA 响应度: 8-10 A/W 击穿电压: 26-30 V 电容: 120-140 fF 3dB截止频率: 6.2-6.5 GHzAPD10G0-30DP是一款高性能的雪崩光电二极管,适用于单模通信光纤,具有极低的电容和暗电流,支持10Gbps的数据传输。
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ICS PINARY25G0-20GSGLED驱动器芯片
响应度(λ=1.31μm): 0.8-0.9A/W 响应度(λ=1.55μm): 0.8-0.9A/W 击穿电压: -45--50V 电容: 60-75fF 3dB截止频率: 14-16GHzICS PINARY25G0-20GSG是一款25Gbps的InGaAs PIN二极管,适用于光接收器和单模光纤应用,具备极低的电容和暗电流。
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PIN25G1-20GSG发光二极管
响应度: λ=1.31μm 0.7-0.75A/W, λ=1.55μm 0.65-0.7A/W 反向击穿电压: -35--45V 3dB截止频率: -16GHz ESD等级: 500V 光窗口直径: 19-20-21μmPIN25G1-20GSG是一款针对单模光纤通信优化的25Gbps MESA InGaAs PIN二极管,具备极低的电容和暗电流,广泛应用于光通信系统。
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LA KH120U8F
辐射功率: 80...130mW 正向电压: 16.6...19.8V 光束发散角: 125° 热敏电阻: 7.0K/W125°紫外线(275 nm)铝反射器LED,采用铝反射器封装,具有高达105 mW的辐射功率,适用于多种应用。
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LA AT020UXG
辐射功率: 6000mW 光束发散角: 20° 操作脉冲电流: 2000mA 热敏电阻: 0.3K/WLA AT020UXG是一款紫外LED模块,具有高光学效率和广泛的应用领域,如医疗、工业等。
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LA AT020CIS
反向电压: 不设计用于反向操作 质心波长: 700 730 760 nm 辐射功率: 2200 mW 光束发散角: 20 ° 操作脉冲电流: 1500 mALA AT020CIS是一款高效的LED??椋视糜谡彰?、工业和园艺等多个领域,具有超高亮度和优化的热管理。
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LA AT020NIT
质心波长: 835-850-865nm 辐射功率: 4000mW 光束发散角: 20° 操作脉冲电流: 4000mA 热敏电阻: 0.3K/WLA AT020NIT是一款高效的近红外LED模块,适用于照明、投影、医疗和建筑照明等多个领域。
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LA CL300HRE
辐射功率: 1.6...8mW 正向电压: 1.70...2.40V 光束发散角: 120? 最大工作电流: 50mA 最大脉冲电流: 500mALA CL300HRE是一款120°超红点源LED,适用于工业、传感器、医疗等领域,拥有高光学效率和精度。
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LA KE120UYG
辐射功率: 800...1100mW 正向电压: 3.5...4.1V 热敏电阻: 4.1K/WLA KE120UYG是一款高效的铝反射器UV LED,具有365 nm的峰值波长,广泛应用于消毒、杀菌和光谱分析。
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LA KG120U8F
辐射功率: 220...280mW 正向电压: 23...29V 光束发散角: 105° 热敏电阻: 5K/WLA KG120U8F是一款具有275nm峰值波长的铝反射器紫外LED,适用于消毒、灭菌和光谱学等领域,具有良好的性价比和热稳定性。
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LA PL240RBD
辐射功率: 5...20mW 正向电压: 2.6...3.6V 辐射强度: 2.5mW/sr 光束发散角: 140° 脉冲电流: 200mALA PL240RBD是一款140°的Hyper蓝LED,具有高光学效率和精度,广泛应用于医疗、传感器和工业领域。
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LA PL110RBD
辐射功率: 2-4-12 mW 辐射强度: 1.0 mW/sr 正向电压: 2.6-3.1-3.6 V 光谱宽度RMS: 21 nm 光束发散角: 140 °LA PL110RBD是一款140°超蓝色LED,适用于医疗、传感器、工业等多个领域,具有高光学效率和小发射面积。