- ams OSRAM
- Roithner Lasertechnik
- BoJen Optics, Inc.
- DYNA Image Corporation
- Edison Opto
- Epistar
- GlacialPower
- Lextar Electronics Corporation
- Chips 4 Light
- Lumileds
- AP Technologies Ltd
- D Green Electronics
- Plessey Semiconductors Ltd
- Kyosemi Opto America Corp
- ROHM Semiconductor
- Shinkoh Electronics
- Stanley Electric
- Toshiba Corporation
- AVIS Co., Ltd.
- Seoul Semiconductor
- Inject Enterprise
- HGC (Singapore) Technology
- 亿光电子
- Axiom Optics
- Broadcom
- Crystal IS, Inc.
- GouMax Technology
- Hellma USA INC
- Innovations in Optics
- kingbrightusa
- LITE-ON
- Lumex
- Marktech Optoelectronics
- Optilab
- OSI Optoelectronics
- Samsung Semiconductors
- Sensor Electronic Technology Inc (SETi)
- 索雷博
- Vishay Intertechnology
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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LA PA180MP1
厂家：Chips 4 Light
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Optilab DFB-1470-DL 单模双线DFB激光器
厂家：Optilab
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DUV255-SD353
厂家：Roithner Lasertechnik
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HSMF-C11B
厂家：Broadcom
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HSMF-C144
厂家：Broadcom
光电查为您提供3407个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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LA LS56UXSM1
阈值电流: 40 70 mA 微分效率: 1.2 1.7 W/A 正向电压: 5 6 V 正向电流: 130 180 mA 峰值波长: 400 405 410 nmLA LS56UXSM1是一款近紫外单模激光二极管，适用于消费类、医疗和工业等领域，提供高效的激光输出。
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LA LS56UXCM1
阈值电流: 40-70mA 差分效率: 1.2-1.7W/A 正向电压: 5-6V 正向电流: 130-180mA 峰值波长: 400-410nmLA LS56UXCM1是一款近紫外激光二极管，具有150mW的光输出功率，广泛应用于消费品、医疗和光谱学等领域。
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LA LS56NICM1
阈值电流: 35 50 mA 微分效率: 0.8 1.1 1.4 W/A 正向电压: 2.1 2.6 V 正向电流: 215 260 mA 峰值波长: 820 830 840 nmLA LS56NICM1近红外激光二极管，适用于消费品、医疗和传感器等领域，提供高效的激光操作。
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LA LS56HRSM3
阈值电流: 55mA 正向电压: 2.6V 正向电流: 220mA 峰值波长: 645-655nm 平行FWHM: 6-12°LA LS56HRSM3超红激光二极管，具有200mW光功率，广泛应用于光谱分析、传感器等领域。
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LA PD120HP1发光二极管
芯片高度: 250...310μm 键合垫直径: 180...225μm 正向电压: 1.0...1.3V 击穿电压: 60V 反向暗电流: 2...5nALA PD120HP1是高灵敏度光电探测器，适用于可见光和红外辐射，广泛应用于传感器和工业电子。
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LA PD120HP4发光二极管
芯片高度: 260-300μm 灵敏区域: 7.5mm2 键合垫直径: 150x160-190x200μm 正极: Anode (p), Aluminum 击穿电压: 60VLA PD120HP4是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、工业电子和数据传输等多个领域。
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LA PD120HP3发光二极管
芯片高度: 190-250μm 键合焊盘直径: 180-225μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 5nA 结电容: 18.5pFLA PD120HP3是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于传感器和背光调光器。
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LA PD120HP2发光二极管
芯片高度: 265-345μm 键合焊盘直径: 200-250μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 30nA 结电容: 19pFLA PD120HP2是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于传感器和背光调光器。
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LA PD120BP2发光二极管
芯片高度: 190...250μm 键合垫直径: 125...165μm 击穿电压: 40V 反向暗电流: 10nA 结电容: 19pFLA PD120BP2是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于高性能消费应用，能够检测蓝光增强的可见光和近红外辐射。
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LA PD120BP1发光二极管
芯片高度: 250-310μm 键合焊盘直径: 90-140μm 击穿电压: 25V 反向暗电流: 2-5nA 二极管电容: 30pFLA PD120BP1是一款蓝色增强型PIN光电二极管，具有高灵敏度，适用于高性能消费应用。
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LA PD120AP1发光二极管
芯片高度: 280μm 灵敏区域: 7.7mm2 键合焊盘直径: 120μm 击穿电压: 16V 反向暗电流: 5nALA PD120AP1是一款高灵敏度光电二极管，适用于高灵敏度探测和环境光传感器等应用。
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LA PD95HP1发光二极管
芯片高度: 250-310μm 键合焊盘直径: 180-225μm 正极: Anode (p), aluminum 负极: Cathode (n), NiV-Ag 结电容: 17pFLA PD95HP1是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于可见光和红外辐射，广泛应用于传感器和工业电子。
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LA PD90IP2发光二极管
芯片高度: 300μm 键合焊盘直径: 100μm 击穿电压: 30V 反向暗电流: 5nA 二极管电容: 170pFLA PD90IP2是高灵敏度的PIN光电二极管芯片，适用于传感器、工业电子和数据传输等应用。
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LA PD63HP1发光二极管
芯片高度: 305μm 键合焊盘直径: 150μm 阴极垫直径: 150μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 10nALA PD63HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于高灵敏度光电探测器和工业电子领域。
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LA PD60HP3发光二极管
芯片高度: 280μm 阳极焊盘尺寸: 100 x 100μm2 阴极焊盘尺寸: 100 x 150μm2 击穿电压: 60V 反向暗电流: 3nALA PD60HP3是一款高灵敏度的光电探测器，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于传感器和工业电子领域。
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LA PD5842HP1发光二极管
芯片高度: 250-310 μm 焊盘直径A: 80x180-120x220 μm 焊盘直径C1: 80x80-120x120 μm 焊盘直径C2: 80x180-120x220 μm 击穿电压: 60 VLA PD5842HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适合于可见光和近红外辐射的检测，广泛应用于传感器、工业电子和数据传输等领域。
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LA PD3323HP1发光二极管
芯片高度: 190-250μm 键合焊盘直径: 85-115μm 击穿电压: 50V 反向暗电流: 1nA 结电容: 2pFLA PD3323HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射的检测，广泛应用于IRDA传输、传感器、工业电子和数据通信。
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LA PD2612HP2发光二极管
芯片高度: 280μm 灵敏区域: 0.053mm2 键合焊盘直径: 80μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: <3nALA PD2612HP2是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、背光调光、工业电子等应用。
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LA PD2612HP1发光二极管
芯片高度: 250-310μm 键合焊盘直径: 65-95μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: <1-3nA 最大灵敏度波长: 810nmLA PD2612HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、背光调光器等高性能消费应用。
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LA PD2214HP1发光二极管
芯片高度: 190-220-250μm 键合垫直径: 85-100-115μm 击穿电压: 30V 反向暗电流: 5nA 结电容: 0.5pFLA PD2214HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于高性能消费类电子产品中。