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光电探测器

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光电查为您提供334个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • UPD-40-VSI-P 光电探测器

    UPD-40-VSI-P

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 40 ps 窗口材料: Polished, Glass 有效面积直径: 0.04 mm

    来自AlphaLas的UPD-40-VSI-P是波长范围为500至1690nm、上升时间为40ps、暗电流为5000nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-40-VSI-P的更多详细信息，请联系我们。

  • HTS A11检测器 光电探测器

    HTS A11检测器

    德国
    分类：光电探测器
    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 3.3 - 5.5 um 尺寸: 13.5mm 噪声等效功率: 38uW

    HTS系列由TO-39晶体管外壳中的热电堆传感器芯片组成，具有高灵敏度、再现性和可靠性以及较小的灵敏度温度系数。较小的热电堆芯片TP1非常适合需要精确测量点的温度测量，而热电堆芯片类型TP3则针对较高信号输出进行了优化。此外，Heimann Sensor还可以将热电堆传感器芯片与ASIC集成在TO-39外壳中（HIS系列）。

  • UPD-200-SP 光电探测器

    UPD-200-SP

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 上升时间: 175 ps 窗口材料: Polished, Glass 有效面积直径: 0.126 mm

    来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • 光电二极管MID-IR PD 25-10-PA 光电探测器

    光电二极管MID-IR PD 25-10-PA

    德国
    分类：光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 2460nm

    光电二极管PD 25-10被设计用于检测从1000到2500nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于?；ず推帘巍?/p>

  • DXM12DF 光电探测器

    DXM12DF

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：索雷博
    光电二极管材料: GaAs 上升时间: 29 ps 响应度/光敏度: 0.55 A/W

    来自Thorlabs Inc的DXM12DF是一款光学探测器，波长范围为700至870 nm，上升时间为29 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.55 A/W.

  • UPD-200-UP 光电探测器

    UPD-200-UP

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 上升时间: 175 ps 窗口材料: Polished, MgF2 有效面积直径: 0.126 mm

    来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • CsIM-D-L VUVCsI二极管探测器 光电探测器

    CsIM-D-L VUVCsI二极管探测器

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Resonance
    阳极供电电压: 10-100VDC 光谱响应: 112-180nm 窗口材料: MgF2 光阴极直径: 8mm 光阴极电流: 1.2uA

    Resonance Ltd.的CsIM-D-L是一款VUV CsI二极管探测器，具有镁氟窗口，可以通过适配器直接安装到2.75英寸conflat法兰的真空系统上。适用于真空紫外波段探测，具有高灵敏度和稳定性。

  • 铅硒检测器PB-系列 光电探测器

    铅硒检测器PB-系列

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：Laser Components
    二极管类型: PbSe

    多晶PbSe仍然是市场上性能较好的中波红外探测器之一，无需冷却。该探测器可在4.7μm的波长范围内不制冷使用。在低温下，它们甚至可以达到更高的性能水平，并且波长偏移到5.2μm。

  • 光电二极管MID-IR PD 36-03-PA 光电探测器

    光电二极管MID-IR PD 36-03-PA

    德国
    分类：光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm

    光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于?；ず推帘?。

  • 带前置放大器和玻璃罩的光电二极管 MID-IR PD 36-05-PA-CG 光电探测器

    带前置放大器和玻璃罩的光电二极管 MID-IR PD 36-05-PA-CG

    德国
    分类：光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3600nm

    光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3600nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于?；ず推帘?。

  • InGaAs PIN光电二极管FD1500W 光电探测器

    InGaAs PIN光电二极管FD1500W

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为1.5毫米。平面钝化器件结构。

  • UPD-70-UVIR-P 光电探测器

    UPD-70-UVIR-P

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 70 ps 窗口材料: Polished, MgF2 有效面积直径: 0.005 mm

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。

  • CFD470光纤PIN光电二极管 光电探测器

    CFD470光纤PIN光电二极管

    美国
    分类：光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 880nm

    CFD470包含一个安装在TO-18针座上的PIN硅光电二极管。该设备设计为在标准光纤插座的0.228（5.79mm）孔中自对准。外壳外侧的三个挤压肋条提供压合安装和精确对准。CFD470设计用于连接50/125至200/300微米的多模光纤。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD150系列 光电探测器

    高速InGaAs PIN光电二极管FD150系列

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    高速、低暗电流、低电容光电二极管，适合高速通信系统、LAN和FDDI应用。150微米直径的光敏区域改善了与使用有源器件插座的多模光纤的耦合。平面钝化器件结构。

  • FPD-IG-25 光电探测器

    FPD-IG-25

    以色列
    分类：光电探测器
    厂家：MKS | Ophir
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 0.025 nS RoHS: Yes 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    MKS|Ophir的FPD-IG-25是一款光学探测器，波长范围为900至1700 nm，上升时间为0.025 ns，暗电流为3 nA，带宽为15 GHz，响应度/光敏度为0.95 A/W.FPD-IG-25的更多详情见下文。

  • PCI-2TE series红外光电导探测器 光电探测器

    PCI-2TE series红外光电导探测器

    波兰
    分类：光电探测器
    厂家：VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0μm-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/W

    PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器，基于精密的HgCdTe异质结构，以获得最佳性能和稳定性，并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下（约0.9μm）的最佳波长λopt下进行了优化。

  • 销魂的LDPA 0003R 光电探测器

    销魂的LDPA 0003R

    美国
    分类：光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1550nm

    OSI激光二极管公司LDPA 0003R PINFET为光接收机系统提供了出色的解决方案

  • DXM25DF 光电探测器

    DXM25DF

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：索雷博
    光电二极管材料: GaAs 上升时间: 19 ps 响应度/光敏度: 0.45 A/W

    Thorlabs Inc的DXM25DF是一款光学探测器，波长范围为700至870 nm，上升时间为19 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.45 A/W.有关DXM25DF的更多详细信息，请联系我们。

  • FP1015c 光电探测器

    FP1015c

    美国
    分类：光电探测器
    响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/W

    Freedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为60至65 GHz，响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-70-UVIR-D 光电探测器

    UPD-70-UVIR-D

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 70 ps 窗口材料: Diffuse, Quartz 有效面积直径: 0.005 mm

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-D的更多详情见下文。