修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

光电探测器

已选
参数:
  • 有效面积直径

    Active Area Diameter（mm）

    确定 取消
  • 电容

    Capacitance（pF）

    确定 取消
  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

    确定 取消
  • 上升时间

    Rise Time（ns）

    确定 取消
推荐专栏
  • 专业选型
  • 正规认证
  • 品质保障
查看更多 >

光电查为您提供334个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • XRA-700 光电探测器

    XRA-700

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Amptek Inc

    XRA-700是一种多通道X射线光谱系统，配备七个高性能的X射线探测器，具有卓越的灵活性和可靠性，适用于各种XRF应用。

  • x射线检测器 光电探测器

    x射线检测器

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Amptek Inc

    Amptek提供一系列高性能、紧凑型的X射线探测器及相关信号处理电子设备，适用于便携式XRF分析仪和高性能台式XRF及EDS系统。

  • X射线探测器XR-100 T-CdTe 光电探测器

    X射线探测器XR-100 T-CdTe

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Amptek Inc
    探测器型号: XR-100T-CdTe

    XR-100T-CdTe是一款高性能的X射线和伽马射线探测器，专为乳腺摄影和放射学设计，能够同时测量X射线管的峰值电位（kVp）并表征乳腺X射线管谱。

  • 数字脉冲处理器 光电探测器

    数字脉冲处理器

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Amptek Inc

    PX5是一款高性能数字脉冲处理器，集成了多通道分析器和电源，专为支持Amptek的XR100系列探测器设计，兼容多种辐射探测器。

  • XR-100CR 光电探测器

    XR-100CR

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Amptek Inc

    XR-100CR是一款高性能的X射线探测器，采用热电冷却的Si-PIN光电二极管，具有优异的探测能力和稳定性。

  • 热释电激光探测器 420M7-25 光电探测器

    热释电激光探测器 420M7-25

    美国
    分类：光电探测器
    工作温度显示: -55-125 Degree C 电容: 71-140 pF 阻抗: 1000000000000 Ohms 光电二极管材料: 钽酸锂 有效区域: 20.25 mm2

    型号420M7由单个钽酸锂传感元件组成，密封在TO - 5型晶体管外壳中，并带有光学滤波器(可选)。 采用一种特殊的元件安装技术对传感元件进行散热，允许其在高功率水平下进行检测。 在低负载（50Ω）的情况下，快速脉冲分辨率是可实现的。采用ELTEC Model320阻抗变换器等高阻抗变换器可实现集成模式。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD80系列 光电探测器

    高速InGaAs PIN光电二极管FD80系列

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    用于高速通信系统的高速、低暗电流、低电容光电二极管。感光区直径为80微米。平面钝化器件结构。

  • LPD 3080 光电探测器

    LPD 3080

    美国
    分类：光电探测器
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W 有效面积直径: 75 μm

    来自OSI Laser Diode，Inc.的LPD 3080是一款光学探测器，其暗电流为0.05至0.5 nA，电容为0.5至0.75 PF，带宽为2.5 GHz，响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W，有效面积直径为75μm.有关LPD 3080的更多详细信息，请联系我们。

  • 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器

    25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米

    俄罗斯
    分类：光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50μm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单?；蚨嗄ER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD500系列 光电探测器

    高速InGaAs PIN光电二极管FD500系列

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    通用InGaAs PIN光电二极管适用于各种应用，包括红外仪器仪表和中速通信系统。感光区直径为500微米。

  • LT3111 Series 光电探测器

    LT3111 Series

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：Laser Components
    光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3 有效面积直径: 5.3 mm

    Laser Components的LT3111系列是单通道电压模式热电探测器，可在UV至LWIR波长范围内工作。它们有金属黑色的吸收体，可以吸收入射到它们身上的任何辐射。这些探测器基于DLATG或薄LTO材料，在电压模式下工作，集成JFET.孔径直径为5.3 mm，采用4引脚TO-39封装。这些光电探测器是FTIR、非色散红外光谱和THz探测应用的理想选择。

  • UPD-2M-IR2-P-1TEC 光电探测器

    UPD-2M-IR2-P-1TEC

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 75000 ps 窗口材料: Polished, Glass 有效面积直径: 3.14 mm

    AlphaLas公司的UPD-2M-IR2-P-1TEC是一种光学探测器，波长范围为900~1700nm，上升时间为75000ps，暗电流为0.3nA，带宽为0.004GHz，有源区直径为3.14mm.UPD-2M-IR2-P-1TEC的更多详情见下文。

  • UPD-35-IR2-P 光电探测器

    UPD-35-IR2-P

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 35 ps 窗口材料: Polished, Glass 有效面积直径: 0.0024 mm

    来自AlphaLas的UPD-35-IR2-P是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-P的更多详情见下文。

  • UPD-3N-IR2-P 光电探测器

    UPD-3N-IR2-P

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 150 ps 窗口材料: Polished, Glass 有效面积直径: 0.07 mm

    来自AlphaLas的UPD-3N-Ir2-P是波长范围为800至2100nm、上升时间为150ps、暗电流为90nA、带宽为0.4GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-3N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-40-UVIR-D 光电探测器

    UPD-40-UVIR-D

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 40 ps 窗口材料: Diffuse, Quartz 有效面积直径: 0.0028 mm

    来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。UPD-40-UVIR-D的更多详情见下文。

  • UPD-40-UVIR-P 光电探测器

    UPD-40-UVIR-P

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 40 ps 窗口材料: Polished, MgF2 有效面积直径: 0.0028 mm

    来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。有关UPD-40-UVIR-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-SD 光电探测器

    UPD-50-SD

    德国
    分类：光电探测器
    厂家：ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 上升时间: 50 ps 窗口材料: Diffuse, Quartz 有效面积直径: 0.0079 mm

    来自AlphaLas的UPD-50-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • 高速InGaAs光电二极管 光电探测器

    高速InGaAs光电二极管

    美国
    分类：光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1700nm

    高速InGaAs光电二极管

  • SPCM-NIR 单光子计数?？?光电探测器

    SPCM-NIR 单光子计数模块

    美国
    分类：光电探测器
    活动区域直径: 170-180μm 光子检测效率（PDE）780nm: 64-70% 光子检测效率（PDE）800nm: 62-68% 光子检测效率（PDE）850nm: 54-58% 光子检测效率（PDE）900nm: 41-45%

    SPCM-NIR是一款专为近红外波长光谱优化的单光子计数?？?，具有出色的红外和近红外灵敏度，同时保持了标准SPCM-AQRH的其他性能参数，如均匀性、过载保护、温度稳定性和线性。

  • InGaAs / P-I-N 10Gb die 光电探测器

    InGaAs / P-I-N 10Gb die

    美国
    分类：光电探测器
    厂家：Spectrolab
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.2 to 0.30 pF 响应度/光敏度: 0.90 to 1 A/W 有效面积直径: 25 μm

    来自Spectrolab的InGaAs/p-I-n 10Gb芯片是一款光学探测器，波长范围为1310至1550 nm，暗电流为0.1至0.2 nA，电容为0.2至0.30 PF，响应度/光敏度为0.90至1 A/W，有效面积直径为25μm.InGaAs/P-I-N 10Gb裸片的更多详情见下文。