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电容
Capacitance（pF）
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响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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S-200CL
厂家：OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家：Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
光电查为您提供150个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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TMC-1C41-231 光电二极管
差分响应度: 0.10-120mV/μW 单端响应度: 0.05-60mV/μW 小信号带宽: 115MHz 上升/下降时间: 4.5ns 单端输出阻抗: 50ohmTMC-1C41-231是一款125 MHz的InGaAs PIN加AGC前置放大器，适用于光纤通信和数据传输等应用。
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InGaAs PIN光电二极管芯片
响应度: 0.9-1.1 A/W 击穿电压: 25-35 V 电容: 0.75-0.9 pFInGaAs PIN光电二极管芯片，专为光纤应用设计，具有低暗电流和低电容，适用于2.5 Gbps长波长数据传输。
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TMC-5A40-008 光电二极管
正向电压: 1.6 1.8 2.1 V 串联电阻: 30 45 65 ? 光谱宽度(RMS): 0.85 nm 温度变化阈值电流: -1.5 1.5 mA 温度系数: -1.5 mV/°CTMC-5A40-008是高速度VCSEL，适用于多模光纤通信，具有高耦合效率和优异的噪声及抖动特性。
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TMC-8D55-708 光电二极管
差分响应度: 1.2mV/μW 单端响应度: 0.6mV/μW 小信号带宽: 2.5GHz 低频截止: 15kHz 上升/下降时间: 135psTMC-8D55-708是一款4.25Gbps GaAs PIN放大器，适用于光纤通信和高速网络。具有高响应度和小信号带宽。
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TMC-8D31-000 光电二极管
响应度: 0.50-0.60 A/W 击穿电压: 50 V 电容: 1.2-1.5 pFTMC-8D31-000是一款GaAs PIN光电二极管，具有高耦合效率和低暗电流，广泛应用于光纤通信、传感器和数据中心。
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TSD-8A20-700 光电二极管
正向电压: 1.8-1.95-2.1 V ESD: 600 V 连续正向电流: 12 mA 连续反向电压: 5 VTSD-8A20-700是一款850nm的植入式VCSEL发射器，适用于光通信、传感器应用和医疗设备，具有低阈值电流和高效率。
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TMC-1C53-808 光电二极管
供电电流: 28 32 36 mA 差分响应度: 28 40 56 mV/μW 单端响应度: 14 20 28 mV/μW 小信号带宽: 1.35 GHz 低频截止: 45 kHzTMC-1C53-808是一款2.5Gbps InGaAs PIN放大器，适用于光纤通信和数据中心等应用。
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TSD-9A20-700 光电二极管
正向电压: 1.8-1.95-2.1 V ESD: 600 V 温度系数P: -1.0 %/℃ 温度系数V: -2.5 mV/℃ 温度系数λ: 0.06 nm/℃TSD-9A20-700是一款940nm的植入式VCSEL发射器，适用于医疗设备、光通信等多个应用场景，具有高效能输出和优良的热稳定性。
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TME-2B89-309 光电二极管
最大阈值电流: 15mA 上升/下降时间: 50ps PD监测电流: 100uA PD暗电流: 0.1uA PD电容: 6pFTME-2B89-309是一款10Gbps 1270nm DFB激光二极管，适用于光通信和数据中心等应用，具有高效能和低功耗特点。
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TMC-1C55-701 光电二极管
供电电流: 30 34 42 mA 差分响应度: 2.2 mV/μW 单端响应度: 1.1 mV/μW 小信号带宽: 2.5 MHz 低频截止: 15 kHzTMC-1C55-701是一款4.25Gbps InGaAs PIN Plus AGC前置放大器，优化用于光纤通信和高速网络设备。
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TSD-9A20-700 光电二极管
ESD: 600V 温度系数: -1.0%/℃ 连续正向电流: 12mA 连续反向电压: 5VTSD-9A20-700是一款940nm的植入式VCSEL发射器，适用于生物医学成像、激光测距和光通信等领域。
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TMC-1C55-701 光电二极管
供电电流: 30 34 42 mA 差分响应度: 2.2 mV/μW 单端响应度: 1.1 mV/μW 小信号带宽: 2.5 MHz 低频截止: 15 kHzTMC-1C55-701是一款4.25Gbps InGaAs PIN Plus AGC光电放大器，适用于光纤通信和数据中心等应用。
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TMC-8D55-701 光电二极管
差分响应度: 1.2mV/μW 单端响应度: 0.6mV/μW 小信号带宽: 2.5GHz 低频截止: 15kHz 上升/下降时间: 135psTMC-8D55-701是一款专为光纤通信设计的4.25Gbps GaAs PIN及AGC放大器，广泛应用于高速网络和数据中心。
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TME-2B89-307 光电二极管
斜率效率: 0.35-0.4 mW/mA 上升/下降时间: 50 ps PD监测电流: 100-1000 uA PD暗电流: 0.1 uA PD电容: 6-10 pFTME-2B89-307是一款10Gbps 1270nm DFB激光二极管，适用于光通信和高速数据传输，具有低阈值电流和高效性能。
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TMC-5A41-157/-257 光电二极管
正向电压: 1.6-1.8-2.1 V 击穿电压: 5-14 V 上升时间: 0.10-0.15 ns 下降时间: 0.13-0.15 ns 串联电阻: 30-45-60 ?TMC-5A41-157/-257是一款高速VCSEL，适用于多模光纤通信，具有高耦合效率和优越的噪声特性。
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TMC-5A41-147/-247 光电二极管
正向电压: 1.6 1.8 2.1 V 上升时间: 0.10 0.15 ns 下降时间: 0.13 0.15 ns 串联电阻: 30 45 60 ? 相对强度噪声: -130 -122 dB/HzTMC-5A41-147/-247是一款高速VCSEL，适用于多模光纤通信，具备优异的噪声特性和宽温度范围，广泛应用于数据中心和光通信设备。
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TME-3F42-238 光电二极管
斜率效率: 0.25-0.3 mW/mA 光谱宽度(RMS): 2-3 nm 上升/下降时间: 0.2 ns PD监测电流: 100-800 uA PD暗电流: 0.1 uATME-3F42-238是一款1310nm 2.5Gbps激光二极管，适用于光纤通信和高速数据传输。
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TPD-1C12-019 光电二极管
响应度: 0.9-1.1 A/W 击穿电压: 25-35 V 电容: 0.75-0.9 pFTPD-1C12-019是一款InGaAs PIN光电二极管，适用于光纤通信和激光测距等应用，具有低暗电流和高响应度。
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TMC-5A41-157/-257 光电二极管
正向电压: 1.6 1.8 2.1 V 击穿电压: 5 14 V 上升时间: 0.10 0.15 ns 下降时间: 0.13 0.15 ns 串联电阻: 30 45 60 ?TMC-5A41-157/-257高速VCSEL，具备监控电流功能，适用于多模光纤通信，满足1.25/2.5Gbps的数据速率需求。
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TMC-5A41-147/-247 光电二极管
正向电压: 1.6-1.8-2.1 V 上升时间: 0.10-0.15 ns 下降时间: 0.13-0.15 ns 串联电阻: 30-45-60 ? 光谱宽度(RMS): 0.85 nmTMC-5A41-147/-247是一款高速度VCSEL，适用于多模光纤通信，具有优越的噪声和抖动特性，广泛应用于数据中心和光通信设备。