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CM97A1064NFBG
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
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CM96Z600-74 半导体激光器
厂家：Coherent Inc.
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CM96Z580-74 半导体激光器
厂家：Coherent Inc.
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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1310nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)
厂家：Optilab
光电查为您提供2366个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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LD-12XX-BA-9W
激光增益介质: InAs/GaAs来自Innolume的LD-12xx-BA-9W是一款激光二极管，波长为1150 nm，输出功率为9 W，工作电流为16.5至18.5 A，阈值电流为1000至1500 mA，输出功率（连续波）为9 W.有关LD-12xx-BA-9W的更多详细信息，请联系我们。
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LD-9XX-YY-150
技术: Fiber-Bragg-Grating Laser (FBG) 激光增益介质: InAs/GaAs 数值孔径: 0.14, 0.12Innolume的LD-9XX-YY-150是一款激光二极管，波长为984 nm，输出功率为0.15 W，工作电流为0.3至0.37 A，输出功率（连续波）为0.15 W，工作温度为0至70摄氏度。有关LD-9XX-YY-150的更多详细信息，请联系我们。
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LD-0785-0100-DFB-1
技术: Distributed Feedback Laser (DFB)Toptica Photonics的LD-0785-0100-DFB-1是一款激光二极管，波长为784.5 nm，输出功率为0.1 W，输出功率（CW）为0.1 W.有关LD-0785-0100-DFB-1的更多详细信息，请联系我们。
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LD85H6S-A/B/C
激光增益介质: InGaAlP第一个传感器的LD85H6S-A/B/C是波长为845~865nm的激光二极管，输出功率为0.02W，工作电压为2~2.5V，工作电流为0.04~0.07A，阈值电流为5~35mA.有关LD85H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。
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FDL-800-0.5W-TA 用于MOPA的锥形放大器
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近500mW的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
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激光二极管FVLD-488-200S
FVLD-488-200S是一款单模激光二极管，功率为200mW488nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。
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迷你系列 紧凑型二极管?？?/a>
Pegasus Mini是一系列温度稳定的二极管激光?？?，具有良好的功率和波长稳定性。107 X 45 X 25 mm3的紧凑型工业外壳可配备中等功率单?；蚨嗄V、VIS或IR激光二极管。矩形基板确保比通常使用的圆柱形外壳更好的散热，以获得更好的使用寿命性能。除了具有准直椭圆光束的标准版本外，这些模块还可选配直线生成光学器件或光纤尾纤型号，以便为集成在多个工业系统（如流式细胞术、颗粒测量、机器视觉或显微镜照明）中提供多功能解决方案。
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GC-1270-140-to-200-A
来自Innolume的GC-1270-140-TO-200-A是一种激光二极管，波长为1230至1310 nm，输出功率为0.15至0.22 W，工作电流为0.8至0.8 A，输出功率（CW）为0.15至0.22 W.GC-1270-140-TO-200-A的更多详细信息可参见下文。
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TTO-007-760-A
芯片技术: VCSEL 技术: 单模锁偏窄线宽VCSEL来自TRUMPF的TTO-007-760-A，是波长为760nm具有TO5封装的单模锁偏窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.5-1mA，工作电流为1-2mA，线宽为100MHz。该产品集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电（ESD），锁偏功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。TO封装将电子器件密封在外壳内部，即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。该产品集成有TEC的TO外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。该产品非常适用于氧气传感技术。
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激光二极管 faxd-808-10w-fc400
FAXD-808-10W-FC400是一种光纤耦合多模半导体激光器，在808nm波长下连续输出功率为10W。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。
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DFB激光二极管 - 760 nm - 830 nm
技术: Distributed Feedback Laser (DFB)来自Nanoplus的DFB激光二极管-760 nm-830 nm是波长为759至761 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2 V、工作电流为0.03 A、阈值电流为10至30 mA的激光二极管。DFB激光二极管-760nm-830nm的更多详细信息可以在下面看到。
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激光二极管FVLD-375-70S
FVLD-375-70S是一款连续输出功率为70mW的单模激光二极管输出功率为375nm。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。
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从1300纳米到1450纳米的DFB激光二极管
Nanoplus是全球先进一家常规提供760至6000 nm任何波长的单模和多模激光器的制造商。在高达14μm的波长范围内，QCLS完善了Nanoplus的激光产品组合。我们的专利分布式反馈激光二极管提供单模发射，具有明确的光学特性，可实现广泛的应用。Nanoplus激光器在全球数万个装置中可靠运行，包括化学和冶金工业、天然气管道、发电厂、医疗系统、机载和卫星应用。
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激光二极管 faxd-1064-200s-xx
FAXD-1064-200S-XX是在1064nm处具有200mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。
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Fabry-Pérot激光二极管-LD-10XX-YY-300-1122nm
?300/400/500mW输出功率Ex-单模光纤 ?可用波长范围1090-1130nm ?专有镜面涂层技术，实现高可靠性 ?PM980或HI1060光纤 ?单独老化和热循环筛选 ?可选监控光电二极管 ?符合RoHS规范
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Seminex多模式激光芯片1532nm 4.2W
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
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SM VCSEL 1560纳米
Vertilas的长波长VCSEL技术为应用光谱和气体检测方法的各种应用提供了广泛的产品。该产品系列提供多种包装选择，从用于原型制作的开放式包装到带有盖子和防反射涂层窗口的密封包装。它还包括尾纤解决方案，并可根据要求提供更多客户特定选项。高性能的Vertilas技术和产品使客户能够设计和制造具有高灵敏度、低功耗、小系统尺寸和低成本制造的光谱解决方案。
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LD-12XX-TO-150
技术: Fabry-Perot Laser (FP) 激光增益介质: InAs/GaAsInnolume的LD-12xx-TO-150是一款激光二极管，波长1178 nm，输出功率0.15 W，工作电流0.3至0.75 A，阈值电流80至180 mA，输出功率（连续波）0.15 W.有关LD-12xx-TO-150的更多详细信息，请联系我们。