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半导体激光器

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光电查为您提供8494个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器

    NL2327-B nm DFB激光器

    加拿大
    厂家：Norcada Lasers
    存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3 激光二极管正向电流: 200 激光二极管反向电压: 2

    Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器，型号为NL2327-B，具有高稳定性和高性能，适用于多种光电应用场景。

  • R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器

    R2 + 50 W脉冲光纤激光器

    中国台湾
    平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz 可调脉宽范围: 8-800ns 最大峰值功率: <20kW

    R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器，具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量，适用于多种材料加工和工业应用。

  • M9-940-0300 半导体激光器

    M9-940-0300

    美国
    厂家：索雷博

    Thorlabs Inc的M9-940-0300是一款激光二极管，波长为940 nm，输出功率为0.3 W，工作电压为1.9至2.2 V，工作电流为0.4至0.45 A，输出功率（CW）为0.3 W.M9-940-0300的更多详细信息见下文。

  • VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器

    VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片

    德国
    厂家：VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 峰值输出功率: 3-5mW 光学带宽: 25-33GHz 斜率效率: 0.3-0.5W/A 差分电阻: 80-100?

    VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。

  • 红光激光二极管 半导体激光器

    红光激光二极管

    中国大陆
    厂家：Arima Lasers
    光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V PD正向电流: 10mA 工作温度: -10~60°C

    ADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。

  • ADL-63104GL 半导体激光器

    ADL-63104GL

    中国大陆
    厂家：Arima Lasers
    光输出功率: 12mW 反向电压(LD): 2V 反向电压(PD): 30V 正向电流(PD): 10mA 外壳温度: -10~+50°C

    ADL-63104GL可见激光二极管，具有635nm波长和高可靠性，广泛应用于工业激光标记及测量仪器。

  • 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器

    高功率脉冲激光二极管

    德国
    厂家：Laser Components
    峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C 光束发散角平行于结平面1FWHM: 1-11° 光束发散角垂直于结平面1FWHM: 24°

    高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。

  • ALC-450-1300-FM200.22 半导体激光器

    ALC-450-1300-FM200.22

    美国

    Akela Laser公司的ALC-450-1300-FM200.22是波长为450nm的激光二极管，输出功率为1.3W，工作电压为4.8V，工作电流为1.2A，阈值电流为200mA.有关ALC-450-1300-FM200.22的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD177H5 半导体激光器

    SLD177H5

    技术: Multi-Quantum Well (MQW), Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAs 堆栈/阵列: Bar

    索尼的SLD177H5是一款用于25 Gbps光通信的4通道垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片。该激光器的工作波长为850 nm，光输出功率高达4 MW.它采用2.4 V电源供电，功耗高达1.6 mA.该器件的光束发散度为33度，光束间距为250μm.它基于具有高温稳定性和可靠性的MQW VCSEL热电路模型，并且具有高达25Gbps的数据速率。该激光器以芯片形式提供，是高速数据通信应用的理想选择。

  • 高速扫描激光器 半导体激光器

    高速扫描激光器

    日本
    主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm 扫描范围: ≥105nm 相干长度: ≥16mm

    HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

  • 单模 VCSEL 激光器 半导体激光器

    单模 VCSEL 激光器

    新加坡
    厂家：LD-PD
    发射波长: 850±10nm 阈值电流: 0.5mA 输出功率: 1.0mW 阈值电压: 1.8V 驱动电流: 2mA

    PL-VCSEL-0850-0-A82-TO46是一款850nm垂直发射的单模激光二极管，采用MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs材料。芯片安装在TO46封装中，可通过激光电流实现波长调谐。可选配TEC和PD，专为FTIR应用设计，具有窄线宽和低成本优势，是FTIR应用的理想选择。

  • 分布反馈激光器 半导体激光器

    分布反馈激光器

    工作波长: 请指定至0.1nm 光学输出功率: 3mW 工作电流: 100mA 工作电压: 2.3V 阈值电流: 5-30-50mA

    nanoplus的分布反馈激光器（DFB）专为高精度气体检测设计，采用可调谐二极管吸收光谱技术（TDLAS）。这些设备在全球超过50,000个安装中可靠运行。nanoplus是唯一一家能够在任何波长范围内提供DFB激光器的制造商。

  • LXM 系列窄线宽 DFB 激光?？?半导体激光器

    LXM 系列窄线宽 DFB 激光?？?/a>

    中心波长: 1545nm | 1550nm | 1560nm 中心波长调谐: ±25GHz (LXM-S), ±5GHz (LXM-U) 波长调谐分辨率: 20MHz (LXM-S), 5MHz (LXM-U) 瞬时线宽: <25kHz (LXM-S), <0.2kHz (LXM-U) 输出功率: >40mW (LXM-S), >25mW (LXM-U)

    LXM窄线宽分布反馈激光器模块基于TeraXion的专有激光二极管技术，具有超低相位噪声和快速频率调制特性，树立了单频激光器的新标准。

  • 可调谐外腔二极管激光器 半导体激光器

    可调谐外腔二极管激光器

    德国
    输出功率: >100mW 光束轮廓: round, typ. ratio: 1:1.2 模式轮廓: <1.1 光束发散: <2mrad 偏振: linearly, 1:20

    S1-0780-100是一款可调谐外腔二极管激光器，专为需要高输出功率和低线宽的应用设计，例如光学冷却和捕获、玻色-爱因斯坦凝聚或拉曼光谱。

  • 高功率可调谐 DFB 激光器 半导体激光器

    高功率可调谐 DFB 激光器

    德国
    存储温度: -40~85 外壳工作温度: -20~65 激光芯片工作温度: 5~45 正向电流: 5~250 输出功率: 30~150

    单频分布反馈激光器，波长为852nm，采用气密8针TO封装，符合RoHS标准，集成了监控二极管、热电冷却器和热敏电阻，适用于光谱学、计量学和太赫兹生成等应用场景。

  • 单频分布反馈激光器 半导体激光器

    单频分布反馈激光器

    德国
    储存温度: -40~85°C 外壳操作温度: -15~75°C 激光芯片操作温度: 5~50°C 正向电流: 5~200mA 反向电压: 2V

    EYP-DFB-0780-00020-1500-BFY12-0005是一款单频分布反馈激光器，具有高稳定性和高性能，适用于光谱学、计量学和太赫兹生成等领域。

  • 离散模式（DM）半导体激光器 半导体激光器

    离散模式（DM）半导体激光器

    爱尔兰
    厂家：Eblana Photonics
    可用波长范围: 1640-1673nm 波长公差: λ-1至λ+1nm 侧模抑制比: 30-40dB 阈值电流: 20-25mA 光纤输出功率: 3-6mW

    Eblana Photonics EP1654-DM-B激光二极管，工作波长范围为1640-1670nm，专为甲烷的灵敏检测设计。采用Eblana专利的离散模式(DM)技术，提供无模式跳跃的自由调谐和卓越的SMSR性能，同时具有极具竞争力的价格。

  • 红外二极管激光器 半导体激光器

    红外二极管激光器

    中心波长: 1064±10 中心波长: 1064±2 中心波长: 1064±0.2 工作模式: CW 输出功率: 500

    红外二极管激光器，采用TEM00模式，超紧凑设计，寿命长，成本效益高，操作简便。广泛应用于测量、通信、光谱分析等领域。

  • 高功率光纤耦合半导体激光器系统 半导体激光器

    高功率光纤耦合半导体激光器系统

    型号: FC-W-940H 波长范围: 940±10 工作模式: CW 光纤输出功率: 50, 60, ..., 100 功率稳定性（4小时内）: <2%, <3%, <5%

    FC-W-940H系列（光纤耦合激光系统）集成了激光二极管、光纤耦合光学、激光电源和温度控制于一体。其紧凑的尺寸和便捷的功能，如功率调节、温度控制、LED显示屏，使其非常适合用于泵浦、科学研究、工业和医疗应用。

  • 多波段高功率半导体激光器 半导体激光器

    多波段高功率半导体激光器

    美国
    光输出功率（连续波）: 30mW 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管反向电压: 30V 工作温度: -10~+60°C 存储温度: -40~+85°C

    VPSL-0785-025-Q-5-B型激光二极管采用多量子阱（MQW）结构的GaAlAs折射率导引技术，工作波段为0.78微米。该器件集成了内置光束校正光学元件，采用气密封装结构，兼具高性能、高可靠性与长寿命特性，适用于磁光盘等大容量光盘存储器及各类光学设备的照明光源。