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半导体激光器

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光电查为您提供134个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • TADEXXX 半导体激光器

    TADEXXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的Tadexxx是波长为1548、1550、1552nm的激光二极管，输出功率为2至3mW，输出功率为2至3mW，工作电流为40mA，工作电流为40mA.有关Tadexxx的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63F5S-A/B/C 半导体激光器

    QL63F5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为44至55 mA的激光二极管。有关QL63F5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85I6S-A/B/C 半导体激光器

    QL85I6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为845至860 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C-N 半导体激光器

    QL65D5S-A/B/C-N

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    QL65D5S-A/B/C-N（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为650至660 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为22至35 mA.有关QL65D5S-A/B/C-N的更多详细信息，请联系我们。

  • TADH20x 半导体激光器

    TADH20x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADH20X是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1 588、1 590、1 592nm、1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2至3mW，输出功率2至3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.有关TADH20x的更多详细信息，请联系我们。

  • TBFx204 半导体激光器

    TBFx204

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TBFX204是波长为1280、1310、1340 nm、1520、1550、1580 nm的激光二极管，输出功率为1至3 MW，输出功率为1至3 MW，工作电流为40至42 mA.有关TBFX204的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C 半导体激光器

    QL65D5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL65D5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为24至25 mA的激光二极管。有关QL65D5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6S-A/B/C 半导体激光器

    QL78F6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F6S-A/B/C是波长为775至800 nm、输出功率为10 MW、工作电压为1.5至2.4 V、工作电流为22至40 mA的激光二极管。有关QL78F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • TADB30x 半导体激光器

    TADB30x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADB30x是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1 588、1 590、1 592nm、1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2至3mW，输出功率2至3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.有关TADB30x的更多详细信息，请联系我们。

  • TADB20x 半导体激光器

    TADB20x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADB20x是波长为1468、1470、1472 nm、1488、1490、1492 nm、1508、1510、1512 nm、1528、1530、1532 nm、15 48、1550、1552 nm、15 68、1570、1572 nm、1 588、1 590、1 592 nm、1608、1610、1612 nm的激光二极管，输出功率为2至3 MW，输出功率为2至3 MW，工作电流为40 mA，工作电流40 mA.有关TADB20x的更多详细信息，请联系我们。

  • TAS 310x。 半导体激光器

    TAS 310x。

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TAS310X是波长为1280、1310、1340nm的激光二极管，输出功率为0.5至3mW，输出功率为0.5至3mW，工作电流为40mA.有关TAS310x的更多详细信息，请联系我们。

  • TADx20x 半导体激光器

    TADx20x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADX20X是波长为1290、1310、1330 nm、1530、1550、1570 nm的激光二极管，输出功率为2 MW，输出功率为2 MW，工作电流为40 mA.有关TADx20x的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65F73A/B 半导体激光器

    QL65F73A/B

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F73A/B是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为1.9至2.6 V、工作电流为27至38 mA的激光二极管。有关QL65F73A/B的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6HG-Q 半导体激光器

    QL78F6HG-Q

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F6HG-Q是一种激光二极管，波长为775至790 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为33至44 mA.有关QL78F6HG-Q的更多详细信息，请联系我们。

  • TAF305x 半导体激光器

    TAF305x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TAF305X是波长为1280、1310、1340 nm的激光二极管，输出功率为0.5至3 MW，输出功率为0.5至3 MW，工作电流为40 mA，工作电流为40 mA.有关TAF305x的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63D4S-A/B/C-N 半导体激光器

    QL63D4S-A/B/C-N

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管反向电压: 30V 束发散角（平行）: 6-12deg

    QL63D4S-A/B/C-N（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.2至2.7 V，工作电流为32至45 mA.有关QL63D4S-A/B/C-N的更多详细信息，请联系我们。

  • TLD#204 半导体激光器

    TLD#204

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TLD#204是波长为1270至1610 nm的激光二极管，输出功率为2 MW，输出功率为2 MW，工作电流为40 mA.有关TLD#204的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F8SA 半导体激光器

    QL78F8SA

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F8SA是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为25至50 mA.有关QL78F8SA的更多详细信息，请联系我们。

  • TAD3XXX 半导体激光器

    TAD3XXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TAD3xxx是波长为1290、1310、1330 nm的激光二极管，输出功率为2至3 MW，输出功率为2至3 MW，工作电流为40 mA，工作电流为40 mA.有关TAD3xxx的更多详细信息，请联系我们。

  • QL94R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL94R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。