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CM97A1064NFBG
厂家:II-VI Laser Enterprise GmbH
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CM96Z600-74 半导体激光器
厂家:Coherent Inc.
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CM96Z580-74 半导体激光器
厂家:Coherent Inc.
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家:Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家:Optilab
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1310nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)
厂家:Optilab
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ARR191P3200
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR191P3200是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为32 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR191P3200的更多详细信息,请联系我们。
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ARR191P4800
半导体激光器巴条: Yes 堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR191P4800是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为48 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR191P4800的更多详细信息,请联系我们。
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ARR23C040
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR23C040是一种波长为808 nm、输出功率为40 W、工作电压为1.7 V、工作电流为47 A、阈值电流为12000 mA的激光二极管。有关ARR23C040的更多详细信息,请联系我们。
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ARR23P1400
半导体激光器巴条: Yes 堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR23P1400是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为14 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR23P1400的更多详细信息,请联系我们。
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ARR23P200
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR23P200是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为2 V、工作电流为175 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR23P200的更多详细信息,请联系我们。
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ARR23P2400
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR23P2400是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为24 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR23P2400的更多详细信息,请联系我们。
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ARR23P300
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR23P300是一个波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为5.4 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR23P300的更多详细信息,请联系我们。
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ARR23P3000
半导体激光器巴条: Yes 堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR23P3000是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为30 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR23P3000的更多详细信息,请联系我们。
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ARR23P600
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR23P600是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为10.8 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR23P600的更多详细信息,请联系我们。
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ARR291P1800
巴条配置: Vertical Stack 巴条数量: 8-Bar, 10-Bar and 12-Bar 堆栈/阵列: Array/Stack诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。
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ARR94C032
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94C032是一种波长为808 nm、输出功率为16 W、工作电压为3.4 V、工作电流为22 A、阈值电流为8000 mA的激光二极管。有关ARR94C032的更多详细信息,请联系我们。
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ARR94C040
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94C040是一种波长为808nm、输出功率为40W、工作电压为1.7V、工作电流为47A、阈值电流为12000mA的激光二极管。有关ARR94C040的更多详细信息,请联系我们。
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ARR94p100
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94P100是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为1.8 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR94P100的更多详细信息,请联系我们。
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ARR94p1200
半导体激光器巴条: Yes 堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94P1200是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为12 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR94P1200的更多详细信息,请联系我们。
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ARR94p1600
半导体激光器巴条: Yes 堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94P1600是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为16 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR94P1600的更多详细信息,请联系我们。
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ARR94p200
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94P200是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为2 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR94P200的更多详细信息,请联系我们。
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ARR94p400
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94P400是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为100 W,工作电压为7.2 V,工作电流为95 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR94P400的更多详细信息,请联系我们。
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ARR94p800
半导体激光器巴条: Yes 堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR94P800是一种波长为808 nm、输出功率为200 W、工作电压为8 V、工作电流为175 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR94P800的更多详细信息,请联系我们。
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ARR97C020
堆栈/阵列: Array/Stack诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR97C020是一种传导冷却激光二极管阵列,中心波长为808nm(也可选择790-1550nm)。输出功率为20W,电光转换效率为47%。激光二极管阵列具有1.8nm的光谱宽度。该器件的工作电压为1.7 V,阈值电流为8 A.激光二极管阵列采用直接粘合的尖端光电C封装,尺寸为24.89 X 24.89 X 11.18 mm.该封装基于诺斯罗普·格鲁曼公司的Golden Bullet技术,该技术能够在每个封装中使用多个条。ARR97C020可安装到激光系统中,也可用于直接二极管应用。
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ARR97C040 - 2
堆栈/阵列: Array/StackNorthrop Grumman公司的ARR97C040-2是一种波长为808nm、输出功率为40W、工作电压为1.9V、工作电流为43A、阈值电流为7000mA的激光二极管。有关ARR97C040-2的更多详细信息,请联系我们。