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半导体激光器

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光电查为您提供215个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • FPL1053S 半导体激光器

    FPL1053S

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Quantum Well, Fabry-Perot Laser (FP)

    Thorlabs Inc的FPL1053S是一款激光二极管,波长1310 nm,输出功率0.13 W,工作电压0.35至3.5 V,工作电流0.4至0.5 A,输出功率(CW)0.13 W.FPL1053S的更多详细信息可参见下文。

  • FPL1054C 半导体激光器

    FPL1054C

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Quantum Well, Fabry-Perot Laser (FP)

    Thorlabs Inc的FPL1054C是一款激光二极管,波长1625 nm,输出功率0.25 W,工作电流0.75至1 A,输出功率(CW)0.25 W.有关FPL1054C的更多详细信息,请联系我们。

  • DBR1064S 半导体激光器

    DBR1064S

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector Laser (DBR)

    Thorlabs Inc生产的DBR1064S是一款激光二极管,波长为1064 nm,输出功率为0.02 W,工作电压为2.8至4 V,工作电流为0.15至0.2 A,输出功率(连续波)为0.02 W.DBR1064S的更多详细信息见下文。

  • DBR785S 半导体激光器

    DBR785S

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector Laser (DBR)

    Thorlabs Inc生产的DBR785S是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.02 W,工作电流为0.23至0.25 A,输出功率(CW)为0.02 W.DBR785S的更多详细信息见下文。

  • DBR852P 半导体激光器

    DBR852P

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector Laser (DBR)

    Thorlabs Inc的DBR852P是一款激光二极管,波长852 nm,输出功率0.035 W,工作电压2.8至4 V,工作电流0.14至0.16 A,输出功率(连续波)0.035 W.

  • DBR852S 半导体激光器

    DBR852S

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector Laser (DBR)

    Thorlabs Inc生产的DBR852S是一款激光二极管,波长为852 nm,输出功率为0.035 W,工作电压为2.8至4 V,工作电流为0.14至0.16 A,输出功率(连续波)为0.035 W.DBR852S的更多详细信息见下文。

  • DBR976P 半导体激光器

    DBR976P

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector Laser (DBR)

    Thorlabs Inc的DBR976P是一款激光二极管,波长为976 nm,输出功率为0.035 W,工作电压为2.8至4 V,工作电流为0.15至0.2 A,输出功率(CW)为0.035 W.DBR976P的更多详细信息见下文。

  • BAL1112CM 半导体激光器

    BAL1112CM

    美国
    厂家:索雷博

    Thorlabs Inc的BAL1112CM是一款激光二极管,波长为1208 nm,输出功率为3 W,工作电流为5至7 A,输出功率(CW)为3 W.有关BAL1112CM的更多详细信息,请联系我们。

  • BL976-PAG500 半导体激光器

    BL976-PAG500

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Fiber-Bragg-Grating Laser (FBG), Fabry-Perot Laser (FP)

    Thorlabs Inc的BL976-PAG500是一款激光二极管,波长976 nm,输出功率0.5 W,工作电压3.3 V,工作电流0.83至0.92 A,输出功率(CW)0.5 W.有关BL976-PAG500的更多详细信息,请联系我们。

  • DBR780PN 半导体激光器

    DBR780PN

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR)

    来自Thorlabs的DBR780PN是一种单频激光二极管,在781nm波长下工作时可提供45mW的输出功率。该分布式布拉格反射器(DBR)激光器包括集成光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合作为铷原子钟、二次谐波产生、双光子吸收和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。

  • DBR816PN 半导体激光器

    DBR816PN

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR)

    Thorlabs的DBR816PN是一款分布式布拉格反射器(DBR)激光二极管,工作波长为816 nm.它集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和光电二极管。二极管提供高达45 MW的CW输出功率。它的正向电压为1.95 V,阈值电流高达54 mA.激光二极管采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器。它是水汽差分吸收激光雷达(DIAL)系统的理想选择,并可用作近红外光谱(NIRS)的低噪声泵浦源。

  • FPL808P 半导体激光器

    FPL808P

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well

    Thorlabs Inc生产的FPL808P是一款激光二极管,波长为798 nm、808 nm、818 nm,输出功率为180至230 MW,工作电流为600至650 mA,输出功率为180至230 MW,工作电流为600至650 mA.有关FPL808P的更多详细信息,请联系我们。

  • FPV852P 半导体激光器

    FPV852P

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Quantum Well

    FPV852P是一款波长稳定的852 nm激光二极管,基于量子阱外延层生长和具有外部体全息光栅(VHG)反馈的高度可靠的脊波导结构。这款单频激光二极管采用蝶形封装,内置光隔离器、监控二极管、TEC和热敏电阻,可对激光器进行温度控制。该激光二极管在大约10至20mW的工作功率范围内产生具有单频窄线宽的波长稳定光谱。输出耦合到1.0米的FC/APC端接的PM780-HP光纤。

  • L1064H1 半导体激光器

    L1064H1

    美国
    厂家:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well

    Thorlabs的L1064H1是一款Fabry Perot激光二极管,工作波长为1054至1074 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达310mW,斜率效率为0.46W/A,垂直发散角(FWHM)为13.5°,横向发散角(FWHM)为7.6°。激光器的正向电压为1.92 V,阈值电流高达100 mA.它基于量子阱外延层生长技术,具有脊形波导结构。激光二极管采用?9 mm TO-CAN封装。

  • L1310G1 半导体激光器

    L1310G1

    美国
    厂家:索雷博
    激光增益介质: InP 堆栈/阵列: Array/Stack

    Thorlabs Inc的L1310G1是一款激光二极管,波长为1290至1330 nm,输出功率为2 W,工作电压为1.5 V,工作电流为5至8 A.有关L1310G1的更多详细信息,请联系我们。

  • L1370G1 半导体激光器

    L1370G1

    美国
    厂家:索雷博
    激光增益介质: InP 堆栈/阵列: Array/Stack

    Thorlabs Inc的L1370G1是一款激光二极管,波长为1350至1390 nm,输出功率为2 W,工作电压为1.4 V,工作电流为5至8 A.有关L1370G1的更多详细信息,请联系我们。

  • L1450G1 半导体激光器

    L1450G1

    美国
    厂家:索雷博
    激光增益介质: InP 堆栈/阵列: Array/Stack

    Thorlabs Inc的L1450G1是一款激光二极管,波长为1430至1470 nm,输出功率为2 W,工作电压为1.4 V,工作电流为5至8 A.有关L1450G1的更多详细信息,请联系我们。

  • L1480G1 半导体激光器

    L1480G1

    美国
    厂家:索雷博
    激光增益介质: InP 堆栈/阵列: Array/Stack

    Thorlabs Inc的L1480G1是一款激光二极管,波长为1460至1500 nm,输出功率为2 W,工作电压为1.6 V,工作电流为5至8 A.有关L1480G1的更多详细信息,请联系我们。

  • L1550G1 半导体激光器

    L1550G1

    美国
    厂家:索雷博
    激光增益介质: InP 堆栈/阵列: Array/Stack

    Thorlabs Inc的L1550G1是一款激光二极管,波长为1530至1570 nm,输出功率为1.7 W,工作电压为1.5 V,工作电流为5至8 A.有关L1550G1的更多详细信息,请联系我们。

  • L520G1 半导体激光器

    L520G1

    美国
    厂家:索雷博
    芯片技术: GaN

    Thorlabs的L520G1是一款520 nm GaN激光二极管,可提供高达900 MW的输出功率。这款紧凑型光源采用9 mm封装,采用G引脚配置。激光二极管发出的高强度可见光可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。