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通过外延生长锗上原子层沉积Al?O?制备低界面态密度锗MOS器件
摘要： 研究了初始表面条件对Al2O3/GeOx/Ge栅堆叠界面特性的影响。作为原子层沉积（ALD）前的洁净表面条件，通过在直接连接ALD腔室的MBE腔室中于Ge衬底上外延生长Ge层，实现了非终止Ge表面。针对这些结构，通过C-V特性曲线和电导法评估了固定电荷密度（Qf）和界面态密度（Dit）。分别通过插入外延Ge层和使用等离子体后氧化形成额外GeOx，实现了约17%和90%的Qf降低。同时证实Dit降低了90%。这些结果表明ALD前初始Ge表面条件的重要性，且Al2O3/GeOx/Ge栅堆叠对高迁移率Ge基CMOS应用极具前景。
关键词： 界面、外延、CV（电容-电压）、陷阱、氧化铝、锗
更新于2025-09-09 09:28:46
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一种用于沉积氧化铝薄膜的创新低温等离子体方法
摘要： 采用新等离子体方法以乙酰丙酮铝（AAA）粉末为前驱体沉积氧化铝薄膜。实验通过氩氧混合等离子体溅射AAA，研究了氧比例（O?%）对涂层性能的影响。利用轮廓仪测量膜层高度推导沉积速率，分别采用卢瑟福背散射和红外光谱测定薄膜元素组成与分子结构，通过掠入射X射线衍射分析微观结构，纳米压痕技术测定硬度，并结合扫描电镜与能谱仪检测表面形貌及成分。氧的引入影响等离子体动力学进而改变涂层特性：当添加适度氧浓度（<25%）时，结构主要为含化学计量无定形氧化铝的有机相；而高氧比例（>25%）会导致金属铝富集且碳元素低比例上升。由于反应性氧等离子体改变前驱体化学组成，沉积层厚度不均匀，氧对膜表面的烧蚀作用（尤其在高氧比例条件下）进一步加剧结构非均质性。硬度数据（0.5-2.0 GPa）证实了非晶结构特征。根据本研究结果，可确定等离子体环境中既能有效去除有机物又保留化学计量氧化铝沉淀的最佳氧浓度——该发现对降低全氧化物涂层制备所需能耗具有重要价值。
关键词： 成分、反应性等离子体溅射、乙酰丙酮铝、形貌、氧化铝、结构
更新于2025-09-04 15:30:14
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利用微波和常规方法烧结稻壳灰废料制备的二氧化硅干凝胶特性
摘要： 尝试利用农业废弃物稻壳灰（RHA）制备二氧化硅并对其进行研究。采用稻壳灰中高含量的二氧化硅作为硅酸钠溶液的硅源。研究了不同加热温度、时间及酸处理工艺对二氧化硅提取的影响。通过400-1200℃烧结后对复合材料进行表征并测试其微波性能。结果表明：微波烧结至1100℃时会出现方石英晶相。二氧化硅-氧化铝复合材料的反射损耗初步实验显示，结晶度与反射损耗之间存在关联。
关键词： 稻壳灰、微波、氧化铝、二氧化硅干凝胶、烧结
更新于2025-09-04 15:30:14
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通过阳极电弧中铝的高金属离子化反应蒸发沉积Al2O3薄膜
摘要： 本文介绍了在由两个反向连接的螺线管产生的磁场中，采用自加热空心阴极和可蒸发阳极所产生等离子体参数的研究结果。在不均匀磁场中压缩放电柱，可使坩埚阳极表面的功率密度增至约1 kW/cm2，并将金属蒸汽的电离度提高到50-80%。通过采用铝在Ar/O?混合气体中的反应蒸发法，在离子电流密度为6-11 mA/cm2、偏压为50-200 V、温度为620°C的条件下，我们获得了沉积速率为4-8 μm/h的Al?O?涂层。研究表明，随着离子电流密度和离子能量的增加，Al?O?涂层中α相的比例可提升至100%。单相α-Al?O?涂层具有以(300)晶向为主的择优取向特征。
关键词： 反应性热蒸发、氧化铝涂层、α-氧化铝、离子辅助
更新于2025-09-04 15:30:14