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oe1(光电查) - 科学论文

192 条数据
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  • 单层MoS?与SiO?和Al?O?绝缘体的能带排列——基于内光电发射研究

    摘要: 通过大面积单层2H-MoS?薄膜(沉积于非晶态(a-)SiO?或Al?O?表面)的内部光电发射(IPE)技术,可测定半导体价带(VB)相对于绝缘体导带(CB)参考能级的能量位置。该方法能比较MoS?价带顶能量与同种绝缘体界面处(100)硅衬底晶体的相应能级。尽管测得a-Al?O?的导带比SiO?低约1 eV(以Si价带顶为基准),但研究者发现从MoS?价带产生IPE时,其光谱阈值几乎未发生偏移。这一现象表明MoS?/a-Al?O?界面存在电中性破坏,导致势垒升高约1 eV。该结论得到以下证据支持:相较于MoS?/a-SiO?界面,MoS?/a-Al?O?界面的IPE阈值对电场依赖性显著更弱,暗示存在负电荷和/或界面偶极子。因此,通用的电子亲和能规则(EAR)并不适用于描述二维材料/绝缘体界面的能带排列。

    关键词: 内光电发射光谱、二硫化钼、电子亲和能、电子势垒、能带排列

    更新于2025-09-22 14:10:51

  • 基于MoS?鳍形场效应晶体管的互补逻辑反相器可扩展制造

    摘要: 在同一类层状材料中集成高性能n型和p型场效应晶体管并实现互补器件工作模式,对于开发低功耗、柔性化的下一代电子器件具有重要意义。本研究展示了在鳍形氧化物结构上生长二硫化钼(MoS2)的优质工艺,并采用传统离子注入技术实现了n型和p型MoS2的集成。通过鳍形结构的优化,MoS2鳍形场效应晶体管获得了约50微安/微米(按鳍周长归一化)的最大电流密度和约500微安/微米(仅按鳍尺寸归一化)的有效导通电流密度,其开关比超过10?且关断电流低至几皮安。基于所制备的n型和p型MoS2鳍形场效应晶体管,我们成功构建了直流电压增益超过20的互补MoS2反相器。该成果证实了同种材料中二维材料互补工作的可行性,为发展高性能、高密度的互补二维电子器件开辟了新途径。

    关键词: 离子注入、二维材料、鳍式场效应晶体管、二硫化钼、互补逻辑反相器

    更新于2025-09-23 10:57:03

  • 1T′相二硫化钼纳米片与烷基化苯二胺的插层复合物作为电化学析氢反应的优异催化剂

    摘要: 二维层状MoS2最近被认为是析氢反应(HER)中一种优异的水分解催化剂。本文中,我们合成了插层一系列烷基化对苯二胺(PDs)的1T0相MoS2。取代的N原子产生了硫空位,形成MoS2-2xNx(x=0.1)的组成。更多的甲基诱导了更大的电荷转移,从而表现出优异的HER性能:对于四甲基PD,在10 mA cm-2下的过电位为0.15 V,塔菲尔斜率为35 mV dec-1。复合物的催化活性取决于插层分子的浓度,在8 mol%浓度时达到最佳。第一性原理计算表明,具有N原子-硫空位(N-VS)对的插层复合物(1T0相)通过来自PD分子的大量电荷转移而稳定,这种效应被甲基增强(即在6.25 mol%插层时每分子为0.40e-0.84e)。电荷转移增加了费米能级及其附近的态密度,从而在低阴极偏压下增加电子浓度。Volmer反应的活性位点被发现是邻近N-VS对中的N原子。Heyrovsky反应的活化势垒在更高插层剂浓度下变得更高,表明实验HER性能也受到动力学控制。

    关键词: 催化、第一性原理计算、二硫化钼、析氢反应、插层作用

    更新于2025-09-23 18:19:13

  • 垂直嵌入式MoS?/石墨烯异质结构的一锅法组装及其在析氢反应中的高性能表现

    摘要: 二维二硫化钼在替代贵金属用于析氢反应方面具有巨大潜力。本文报道了一种一锅法原位组装策略,在石墨烯表面垂直嵌入生长二硫化钼纳米晶体。这种夹层结构不仅能暴露更多二硫化钼边缘的活性位点,还能降低层状石墨烯载体的堆叠倾向,从而显著提升析氢反应性能。该材料在10 mA·cm?2电流密度下仅表现出142 mV的过电位和68 mV·dec?1的塔菲尔斜率,达到同类材料的最佳水平。此外,该方法操作简便、环境友好且适合规?;?,具有实际应用价值。

    关键词: 石墨烯、析氢反应、二硫化钼、电催化、夹层结构

    更新于2025-09-24 04:46:54

  • n-MoS2/p-Si夹层异质结光电探测器结构与光电特性研究

    摘要: 二硫化钼(MoS2)作为过渡金属硫族化合物家族成员,展现出优异的光电特性——其二维形态在可见光范围内具有直接或间接带隙,且具备良好吸光性。本研究采用射频磁控溅射法制备了多晶MoS2薄膜。X射线衍射(XRD)分析显示样品沿(100)和(110)晶面呈现两个六方结构衍射峰,能谱仪(EDX)检测证实该300纳米厚薄膜为非化学计量比MoS2。拉曼光谱在E1 2g和A1g声子模式分别观测到374.37 cm?1和407.75 cm?1的位移峰。研究构建了SLG/n-MoS2/p-Si结构的夹层异质结光电探测器,在441纳米紫光照射下,该器件在10伏偏压条件下对不同激光功率均表现出显著光电响应:当光照强度为0.004 mW/cm2时,测得最大光电流值为0.79微安,响应度达10.4 mA/W,探测率达6.74×109琼斯单位。这些结果凸显了当前技术的适应性,有助于实现大规模生产并推动先进光电器件的发展。

    关键词: 光电探测器、薄膜、射频溅射、二硫化钼、拉曼

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 超灵敏MoS2光电探测器:串联纳米桥多异质结结构

    摘要: 近期关于基于二硫化钼(MoS2)场效应晶体管的各种光电探测器报告显示,要获得适用于多个领域(可见光-红外波段)的宽范围光电性能仍具挑战。本研究通过选择性层控技术对多层MoS2进行调控,构建了单/多层纳米桥多异质结结构(间距25纳米的超过300个结点),成功研制出在宽光谱范围内具有超灵敏光电性能的光电探测器(在λ=520纳米处光响应度达2.67×10? A/W,在λ=1064纳米处达1.65×10? A/W),其性能优于先前报道的MoS2基光电探测器。这种通过纳米级串联多异质结形成的纳米桥多异质结技术,仅需增加选择性层控工艺,即可应用于宽带光传感、高灵敏荧光成像、超灵敏生物医学诊断及超快光电子集成电路等重要器件领域。

    关键词: 光电探测器、纳米桥、多异质结、二硫化钼、光电性能

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 利用二硫化钼提高单壁碳纳米管-n型硅太阳能电池的效率

    摘要: 本研究聚焦于利用二硫化钼(MoS2)提升单壁碳纳米管与n型硅(SWCNTs-n型-Si)基太阳能电池的效率。研究团队首先制备并优化了不同复合结构的MoS2/SWCNTs-n型-Si薄膜以获得性能最佳的电池。通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱分别检测薄膜的表面形貌、拓扑结构和元素特性。观测到单壁碳纳米管呈长圆柱状、二硫化钼呈晶体片层状,且碳纳米管随机分布于二硫化钼薄片间。拉曼光谱显示出单壁碳纳米管、硅和二硫化钼的特征峰。优化薄膜中添加二硫化钼使SWCNTs-n型-Si太阳能电池效率提升了约49%。

    关键词: 能级图,二硫化钼,太阳能电池,硅,形貌,单壁碳纳米管

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 用于双面染料敏化太阳能电池的透明MoS?/PEDOT复合对电极

    摘要: 染料敏化太阳能电池(DSSCs)是一种高效且制备工艺简单的太阳能转换器件。为双面DSSCs开发透明对电极(CE)材料可满足建筑光伏一体化(BIPVs)中透明窗型应用的需求。本研究通过水热法合成二硫化钼(MoS2)并旋涂形成MoS2层,随后在其表面电化学聚合聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)薄膜,制备出兼具两者导电性与电催化能力的透明有机-无机复合薄膜(MoS2/PEDOT)作为复合对电极。优化后的MoS2/PEDOT复合对电极使DSSC在正面光照下实现7%的功率转换效率(PCE),背面光照下达4.82%。与PEDOT对电极和铂对电极器件相比,该复合对电极器件在正面光照下的PCE分别提升10.6%和6.4%,证实其具有优异的导电与催化性能,是BIPVs应用中双面DSSCs的理想候选材料。

    关键词: 建筑一体化光伏技术、透明对电极、二硫化钼/聚(3,4-乙烯二氧噻吩)复合材料、双面光照、染料敏化太阳能电池

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE欧洲激光与电光学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC)- 德国慕尼黑(2019年6月23日-27日)] 2019年欧洲激光与电光学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC)- 掺杂与未掺杂Yb<sup>3+</sup>二维MoS<sub>2</sub>薄膜的光谱与结构特性及其在光电子与光子器件中的应用

    摘要: 二硫化钼(MoS2)具有层状结构,属于过渡金属二硫化物(TMD)材料。近期因其亚纳米尺度光电与光子特性的探索潜力及量子相互作用研究价值而备受关注[1]。TMD材料的电子结构和化学计量比使其区别于金属态石墨烯——这类化合物半导体具有明确的带隙[2],这一特性对光电器件工程及光伏、储能、带隙调控光源等应用极具吸引力[3]。本研究采用飞秒脉冲激光沉积法(fs-PLD)制备未掺杂与Yb3?离子掺杂的MoS2纳米级薄膜,并对比分析了fs-PLD法与液相外延生长未掺杂MoS2薄膜的结构及光谱特性。此类对比研究可为未来在石英玻璃和硅基平台上构建光电/光子器件材料制备平台提供参考。

    关键词: 密度泛函理论、拉曼光谱、非线性光学特性、二硫化钼、飞秒脉冲激光沉积、光子器件、掺镱、光电、薄膜

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于液态剥离二硫化钨(WS?)替代PEDOT:PSS的17%效率有机太阳能电池

    摘要: 据报道,液相剥离二维过渡金属二硫化物(TMDs)被应用于非富勒烯有机太阳能电池的空穴传输层(HTLs)。研究表明,将少层WS2或MoS2悬浮液直接溶液加工到透明氧化铟锡(ITO)电极上时,无需任何后续处理即可改变其功函数。研究发现,以WS2为空穴传输层的器件在ITO基底上展现出比MoS2更高的均匀性,且始终能获得比基于聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)和MoS2的电池更优异的性能——包括更高的功率转换效率(PCE)、改善的填充因子(FF)、增强的短路电流(JSC)以及更低的串联电阻。当采用三元体异质结PBDB-T-2F:Y6:PC71BM体系并以WS2作为空穴传输层时,电池实现了17%的最高PCE(填充因子78%、开路电压0.84V、短路电流密度26 mA cm?2)。通过分析器件的光学特性和载流子复合行为发现,性能提升很可能源于WS2基电池中优化的光子结构与降低的双分子复合损耗的共同作用。该PCE值是目前二维电荷传输中间层有机太阳能电池报道的最高值,凸显了TMDs作为低成本高效有机光伏空穴传输层的应用潜力。

    关键词: 液体剥离、二维过渡金属二硫化物、非富勒烯有机太阳能电池、空穴传输层、二硫化钼、二硫化钨

    更新于2025-09-19 17:13:59