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基于二硫化钼-石墨烯杂化纳米结构与银金属层的超灵敏表面等离子体共振生物传感器
摘要： 基于等离子体技术的光学生物传感器是生物光子学领域的重要研究方向。石墨烯-二硫化钼（MoS2）复合结构在设计和制造高灵敏度光学生物传感器方面具有显著优势。本文提出了一种由纳米结构Ag/MoS2/石墨烯构成的高性能、高灵敏度光学生物传感器。该表面等离子体共振（SPR）生物传感器采用Kretschmann构型，通过研究不同状态下传感器的灵敏度增强效应，通过优化MoS2层数和金属层厚度，实现了传感器灵敏度的提升，最终获得最大灵敏度约190°/RIU。对于这种具有最高灵敏度的超灵敏SPR生物传感器，其MoS2和石墨烯层数均为2层，共振波长设定为680 nm。
关键词： 表面等离子体共振、二硫化钼、生物传感器、灵敏度、石墨烯
更新于2025-09-23 15:23:52
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一维MoO3/MoS2杂化复合材料的可控合成及其优异电磁波吸收性能的增强
摘要： 通过水热法合成了一维MoO3/MoS2复合杂化材料；并将该复合材料与聚偏氟乙烯（PVDF）基体结合，可控制备出柔性MoO3/MoS2/PVDF纳米复合材料。低填料含量（20 wt%）的MoO3/MoS2/PVDF杂化材料在2-18 GHz范围内表现出优异的微波吸收性能。在8.7 GHz频率下最小反射损耗可达-38.5 dB；当吸波层厚度为2.0-5.0 mm时，在3.03-11.02 GHz频段内反射损耗均低于-10 dB。该MoO3/MoS2/PVDF纳米复合材料的吸收性能优于纯MoO3和MoS2材料。文中还详细讨论了可能的微波吸收机理。
关键词： 微波吸收、一维、纳米复合材料、二硫化钼、氧化钼
更新于2025-09-23 15:23:52
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二维MoSe2的相位工程与光学特性：前景与挑战
摘要： 通过锂插层选择性控制MoS2从2H相到1T′相的转变（即单层MoS2的相工程），因能降低MoS2接触电阻且与CMOS器件架构兼容，近期在纳米电子学领域引发关注。本文报道了相关MoSe2体系的"芯片级"2H到1T′相变——该材料具有更小的1.55 eV 2H带隙，且1T′相转变应更具热力学优势。我们首次实现了SiO2和蓝宝石衬底上单层MoSe2的芯片级2H到1T′相变。尽管金属态数量增加，芯片级1T′-MoSe2仍展现出更高透明度，表明其光电特性可调，有望应用于透明电极和能量收集领域。同时阐述了正丁基锂暴露法进行芯片级相工程带来的挑战：密度泛函理论(DFT)计算显示，需在MoSe2单层两侧存在Li+离子才能产生1T′相变的强热力学驱动力。研究发现图案化正丁基锂暴露过程存在不一致性且动力学差异显著。鉴于正丁基锂工程化1T′-MoSe2的稳定性问题，我们认为该工艺不适合作为二维电子器件的可靠制备技术。
关键词： 二硫化钼，二维材料，相工程，纳米材料
更新于2025-09-23 15:23:52
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用于增强非线性光学性能的MoTe?/MoS?纳米复合薄膜的能带排列
摘要： 能带排列是基于二维层状过渡金属硫族化合物（TMDs）异质结构的光电子学关键问题。本文采用高分辨率X射线光电子能谱测量了MoTe?/MoS?混合异质结构的能带排列。该MoTe?/MoS?异质结构属于II型异质结，其导带偏移量为0.46 eV，价带偏移量为0.9 eV。在相同条件下，与纯MoTe?和MoS?纳米薄膜相比，MoTe?/MoS?异质结构薄膜表现出更强的可饱和吸收特性。通过结合龙格-库塔算法的能级模型解析了增强机制，发现MoTe?/MoS?异质结的层间跃迁对非线性光学增强起重要作用。同时采用第一性原理计算了MoTe?/MoS?异质结构的能带结构，结果显示MoTe?和MoS?对异质结的贡献几乎相等，且价带顶和导带底分别存在于MoTe?和MoS?中，该结构易于形成层间载流子。研究表明TMDs的能带排列为开发光调制器、超快激光锁模器、可饱和吸收体和光开关中具有增强非线性响应的II型异质结构奠定了基础。
关键词： 二硫化钼（MoS2）、能带排列、可饱和吸收、异质结构、碲化钼（MoTe2）
更新于2025-09-23 15:23:52
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通过水热法制备的具有和没有种荚的分层MoS2基洋葱花状纳米结构，展现出低开启场发射特性
摘要： 本文报道了具有层级结构的二硫化钼基纳米形貌（呈现洋葱花状特征）的简易水热合成方法，主要聚焦于场发射应用。通过物理化学表征解析了所合成纳米结构的基本结构与形貌特征。研究发现，随着水热反应时间从9小时延长至21小时，洋葱花状二硫化钼呈现出有趣的纳米尺度形貌演变——从普通纳米花发展为包含种荚状颗粒的结构。值得注意的是，仅具有洋葱花状形貌的二硫化钼纳米结构显示出更低的开启电场值3.7 V/μm，而含有种荚状颗粒的纳米花开启电场值为4.2 V/μm。这可能归因于普通纳米花的花瓣具有更易电子传导的路径，而后者的种荚状颗粒可能阻碍了电子传导。
关键词： 二硫化钼，分级纳米结构，场发射，水热法
更新于2025-09-23 15:23:52
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电子辐照对少层MoS?场效应晶体管输运与场发射特性的影响
摘要： 采用Ti/Au电极的少层MoS2场效应晶体管的电学特性测试在扫描电子显微镜真空腔室中进行，旨在研究电子束辐照对器件输运特性的影响。观测到负阈值电压偏移和载流子迁移率增强现象，这归因于辐照过程中SiO2栅氧化层内捕获的正电荷。当辐照剂量达到100e-/nm2时，晶体管沟道电流增大了三个数量级。最终通过对MoS2薄片的完整场发射特性表征——在阳极-阴极间距约1.5微米时实现数小时发射稳定性、最小开启场强≈20V/μm且场增强因子约500——证实少层MoS2适合作为冷阴极应用的二维发射表面。
关键词： 电子束辐照、二维材料、场发射、二硫化钼、场效应晶体管
更新于2025-09-23 15:23:52
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化学气相沉积法制备的少层MoS?光学厚度识别
摘要： 二硫化钼（MoS2）的物理和光电特性与其厚度密切相关。少层二硫化钼因其潜在应用价值已得到广泛研究。本研究通过化学气相沉积法（CVD）成功制备出大尺寸、高结晶质量的单层及少层MoS2纳米片。随后首次利用ImageJ软件提取样品光学图像的R通道对比度，对CVD生长的MoS2纳米片层数进行了鉴定。与拉曼光谱和光致发光光谱相比，该方法能高效准确地识别CVD生长MoS2纳米片的层数，为研究CVD-MoS2纳米片层数提供了简便可行的方法，有助于未来开发其实际应用。
关键词： 厚度识别、化学气相沉积、二硫化钼、光学显微镜、拉曼光谱
更新于2025-09-23 15:23:52
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一种可控合成具有增强光催化性能的分级中空MoS2微球的简便策略
摘要： 具有复杂中空结构的光催化剂定制设计对促进环境修复具有重要意义。本文通过简便经济的表面活性剂（聚乙二醇-聚丙二醇共聚物F68）辅助水热法，制备了单分散的层级中空二硫化钼微球。这种独特设计展现出三大特性：高比表面积、强光吸收能力及丰富的催化活性位点。层级中空二硫化钼微球的比表面积为21.75 m2g?1，显著高于二硫化钼颗粒（4.05 m2g?1）和商用二硫化钼（2.84 m2g?1）。同时，该材料在200-800 nm宽波段范围内具有强光吸收特性。此外，有序组装于层级中空微球外表面的二硫化钼纳米片提供了丰富催化活性位点，有利于光催化反应过程中载流子的快速迁移。光降解活性测试表明，该材料展现出优异的光催化性能与循环稳定性——其对罗丹明B的光降解反应速率常数分别是二硫化钼颗粒和商用二硫化钼的25.32倍和18.18倍。
关键词： 独特设计，光催化剂，二硫化钼，丰富的催化位点，大表面积，宽带吸收
更新于2025-09-23 15:23:52
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用于增强化疗-光热治疗的双响应二硫化钼/硫化铜基递送系统
摘要： 基于二硫化钼（MoS2）的药物递送系统在癌症纳米医学中展现出显著潜力。本研究报道了一种多功能纳米平台，该平台由负载硫化铜（CuS）并进一步修饰聚乙二醇（PEG）的MoS2纳米片构成。所得材料粒径约115纳米，可负载阿霉素（DOX），载药量达每克载体162.3毫克。药物释放由近红外（NIR）照射和pH双重刺激触发，且载体具有优异的胶体稳定性。MoS2与CuS的协同作用使其光热转换效率极高（高于单独使用MoS2）。体外实验表明，空白CuS-MoS2-SH-PEG载体具有生物相容性，但化疗-光热联合治疗（负载DOX的CuS-MoS2-SH-PEG配合NIR照射）比单一化疗（仅CuS-MoS2-SH-PEG(DOX)无NIR）或单一光热治疗（CuS-MoS2-SH-PEG配合NIR）能诱导更显著的细胞死亡。细胞摄取研究显示该纳米平台能有效进入肿瘤细胞，且NIR照射可增强摄取效率。总体而言，本工作开发的官能化MoS2材料作为双响应药物递送与协同化疗-光热治疗系统极具潜力。本研究方法为提升过渡金属二硫化物药物递送系统的光热效能提供了策略。
关键词： 化疗、药物递送、二硫化钼、光热疗法、协同治疗
更新于2025-09-23 15:23:52
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由(N<sup>t</sup>Bu)<sub>2</sub>(NMe<sub>2</sub>)<sub>2</sub>Mo和1-丙硫醇通过原子层沉积工艺制备的MoS<sub>2</sub>薄膜
摘要： 过渡金属二硫化物（如MoS2）半导体的潜在商业应用依赖于仅在单层至少数层厚度范围内才具有的独特材料特性。因此，适用于这些材料表面可扩展、可控形成TMD薄膜的生产方法，对基于此类材料的大规模器件制造至关重要。作者开发了一种新型热原子层沉积工艺，利用双(叔丁基亚胺基)-双(二甲氨基)钼和1-丙硫醇制备含MoS2的非晶薄膜。在350°C的衬底温度下，他们观察到钼和硫前驱体均呈现自限反应行为。薄膜厚度随前驱体循环次数线性增长，每次循环生长量约为0.1纳米。初始沉积的薄膜表面光滑，但含有因钼源配体脱除不充分导致的氮和碳杂质。经高温退火后，大部分杂质被去除，作者成功获得了少数层结晶2H相MoS2薄膜。
关键词： 原子层沉积、二硫化钼、薄膜、过渡金属硫族化合物、退火、前驱体
更新于2025-09-23 15:23:52