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单层/双层MoS<sub>2</sub>横向界面间的电荷转移及其对激子和三子特性的影响
摘要： 研究发现，电荷转移现象是决定原子级薄层MoS2在不同堆叠构型下激子与三子特性的主要因素。我们报道了化学气相沉积生长的层状MoS2在存在倾斜或变形的三角形单层/双层（1L/2L）横向界面时的光致发光（PL）现象。通过对1L和2L MoS2区域的积分PL成像图分析发现：中性激子发射在靠近1L/2L边界的1L区域显著增强且强度呈现振荡行为，而负三子发射则保持不变。MoS2层数、衬底与1L/2L横向界面的几何边界结构之间的相互作用，通过功函数调制对电荷转移产生重要影响。由此产生的PL强度分布呈现出丰富特征，包括激子与三子的堆叠依赖性解离、沿1L/2L边界的尖锐光谱对比度，以及与横向界面功函数差相关的电荷转移现象。本研究表明，理解MoS2的PL特性有助于表征二维层状纳米结构的电子性质，并为新型器件应用提供了可能方向。
关键词： 密度泛函理论、功函数、电荷转移、二硫化钼、激子
更新于2025-09-04 15:30:14
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通过少层MoS2顶面的可逆选择性离子插层
摘要： 电化学离子插层至二维（2D）层状材料的范德华间隙是一种极具前景的低温合成策略，可用于调控其物理化学性质。学界普遍认为离子倾向于通过二维薄片的边缘进入范德华间隙，这通常会导致材料起皱和畸变。本研究证明离子也可通过少层MoS2的顶面进行插层，且与边缘插层相比，这种插层方式具有更强的可逆性与稳定性。密度泛函理论计算表明，剥离态MoS2薄片中天然缺陷的存在使该插层过程成为可能。此外我们发现，密封边缘的MoS2允许小尺寸碱金属离子（如Li+和Na+）插层，却能阻隔大尺寸离子（如K+）。这些发现为开发具有高可调性与离子选择性的功能性二维材料器件提供了潜在应用方向。
关键词： 缺陷、二硫化钼、电化学控制、二维材料、离子插层
更新于2025-09-04 15:30:14