研究目的
研究少层MoS?通过顶表面实现的可逆选择性离子插层及其对开发基于二维材料功能器件的启示。
研究成果
研究表明，与边缘插层相比，Li+和Na+离子可通过顶层更可控、可逆且稳定地嵌入少层MoS2中。这一发现为设计高可调性且稳定的二维材料光电子和纳米电子设备开辟了新途径。
研究不足
该研究聚焦于二硫化钼（MoS2），若无进一步研究，可能无法直接适用于其他二维材料。插层过程的可逆性与稳定性受天然缺陷存在的影响，而不同样品中的缺陷情况可能存在差异。
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通过少层MoS2顶面的可逆选择性离子插层
DOI：10.1038/s41467-018-07710-z
期刊：Nature Communications
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
电化学离子插层至二维（2D）层状材料的范德华间隙是一种极具前景的低温合成策略，可用于调控其物理化学性质。学界普遍认为离子倾向于通过二维薄片的边缘进入范德华间隙，这通?；岬贾虏牧掀鹬搴突洹１狙芯恐っ骼胱右部赏ü俨鉓oS2的顶面进行插层，且与边缘插层相比，这种插层方式具有更强的可逆性与稳定性。密度泛函理论计算表明，剥离态MoS2薄片中天然缺陷的存在使该插层过程成为可能。此外我们发现，密封边缘的MoS2允许小尺寸碱金属离子（如Li+和Na+）插层，却能阻隔大尺寸离子（如K+）。这些发现为开发具有高可调性与离子选择性的功能性二维材料器件提供了潜在应用方向。
作者：
Jinsong Zhang，Ankun Yang，Xi Wu，Yi Cui
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