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退火后处理控制二维MoS2和SnS2的层数
摘要： 我们已证明，通过调节退火温度和时间，可控制转移至SiO2/Si衬底上的二维MoS2和SnS2薄膜的层厚。原子力显微镜与拉曼光谱表征显示：较高的退火温度和较长的处理时间会使薄膜更薄、表面残留物更少且杂质更少。此外，采用退火工艺能更有效地获得二维材料的少层结构——原始厚度超过15纳米的多层薄膜经退火后可减薄至双层。实验发现，相比340°C退火，450°C的中等退火温度能更有效地实现层减薄。450°C退火后可获得表面非常光滑的二维MoS2和SnS2少层结构（厚度≤4纳米，尺寸>1微米）。但当温度超过650°C时，二维薄膜会发生分解或消失。此外，处理时间也会影响层数，本实验中最优时间为2至3小时。
关键词： 退火、机械剥离、层减薄、二维材料、SnS?、MoS?
更新于2025-09-04 15:30:14
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通过少层MoS2顶面的可逆选择性离子插层
摘要： 电化学离子插层至二维（2D）层状材料的范德华间隙是一种极具前景的低温合成策略，可用于调控其物理化学性质。学界普遍认为离子倾向于通过二维薄片的边缘进入范德华间隙，这通?；岬贾虏牧掀鹬搴突洹１狙芯恐っ骼胱右部赏ü俨鉓oS2的顶面进行插层，且与边缘插层相比，这种插层方式具有更强的可逆性与稳定性。密度泛函理论计算表明，剥离态MoS2薄片中天然缺陷的存在使该插层过程成为可能。此外我们发现，密封边缘的MoS2允许小尺寸碱金属离子（如Li+和Na+）插层，却能阻隔大尺寸离子（如K+）。这些发现为开发具有高可调性与离子选择性的功能性二维材料器件提供了潜在应用方向。
关键词： 缺陷、二硫化钼、电化学控制、二维材料、离子插层
更新于2025-09-04 15:30:14