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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • [IEEE 2018年第19届青年专家微/纳米技术与电子器件国际会议(EDM) - 俄罗斯阿尔泰共和国埃尔拉戈尔(2018.6.29-2018.7.3)] 2018年第19届青年专家微/纳米技术与电子器件国际会议(EDM) - 集成电路芯片裸片与印刷电路板互连的接口模型

    摘要： 本研究展示了高频集成电路封装研究过程中获得的结果。文中描述了集成电路芯片与印刷电路板之间的界面，并对其内部结构进行了开发：包括芯片上的接触焊盘、键合线和芯片输出端。作为所开发方法的一个实例，展示了该界面效应对器件开发及特性的影响——以GPS接收器测试芯片中的低噪声放大器?？槲?

    关键词： 低噪声放大器（LNA）、全球定位系统（GPS）、互补金属氧化物半导体（CMOS）、芯片封装、噪声系数（Noise Figure）

    更新于2025-09-23 05:09:49

  • 基于砷化镓的低噪声放大器在电磁脉冲注入下的非线性与永久性退化

    摘要： 通过注入实验、失效分析和混合模式仿真，研究了电磁脉冲（EMP）对L波段砷化镓基低噪声放大器（LNA）造成的非线性退化效应。实验结果表明：EMP作用下LNA样品的实时响应、射频特性和直流特性均呈现非线性永久退化特征——具体表现为随着注入功率增大，器件特性先退化后轻微恢复。此外，该非线性退化过程与脉冲参数密切相关。失效分析揭示：退化源于首级高电子迁移率晶体管栅极金属条下方及周边的潜在缺陷，而EMP诱导的"退火效应"可合理解释其性能恢复现象。仿真结果显示：当脉冲重复频率低于2.5kHz时不会产生脉冲重复热积累效应，且脉宽τ主要决定"退火效应"的实际作用时长与温度。基于上述机理，成功阐释了脉冲参数对非线性退化的依赖关系。

    关键词： 非线性、低噪声放大器（LNA）、机制、电磁脉冲（EMP）、退化

    更新于2025-09-23 09:05:49

  • 采用反向模式SiGe HBT的射频低噪声放大器在极端环境应用中的低温特性研究

    摘要： 本文介绍了抗辐射射频（RF）低噪声放大器（LNA）的低温性能。该LNA最初是为缓解辐射环境中的单粒子瞬态（SET）效应而设计，其核心级联电路采用反型模式硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）。本原型中，上部共基极SiGe HBT配置为反型模式以实现平衡的射频性能并降低SET敏感性。为拓展反型模式LNA在极端环境中的应用，本研究通过液氮测试评估了78K低温下的射频特性。虽然该SiGe LNA在所有温度条件下均表现出可接受的射频性能，但与常规正向模式设计相比，在78K时观察到明显的增益下降，这归因于反型模式SiGe HBT的高频性能限制。作为指导方案，本文讨论了包括版图优化和掺杂分布调整在内的补偿技术以改善观测到的增益退化问题。

    关键词： 低噪声放大器（LNA）、异质结双极晶体管（HBT）、共源共栅、反向模式、极端环境、低温测量、硅锗（SiGe）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 用于TDD前端的低损耗毫米波收发组合器合成技术

    摘要： 时分双工（TDD）收发（T/R）毫米波（mm-wave）前端包含功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、天线开关以及相应的无源匹配与合路网络。本文提出一种综合设计方法，通过将PA输出匹配网络、LNA输入匹配网络与T/R开关整合为统一网络来最小化整体损耗。该技术提升了毫米波收发机在PA效率和LNA噪声系数方面的性能。所提出的T/R合路器可实现高线性度并处理大PA输出电压摆幅。该架构适用于任何具备高集成能力的工艺平台。采用45nm绝缘体上硅CMOS工艺实现了Ka波段方案，包含基于四堆叠结构的高功率PA和基于电感源极退化的共源共栅LNA。该前端中PA实现23.6dBm饱和输出功率与28%的峰值功率附加效率，LNA噪声系数为3.2dB。芯片总面积（含焊盘）为0.54平方毫米。

    关键词： 发射/接收（T/R）开关、低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）、5G发射机、堆叠式功率放大器、绝缘体上硅（SOI）、时分双工（TDD）、互补金属氧化物半导体（CMOS）、毫米波（mm-wave）、Ka波段

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日-25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 具有集成有源限幅器的鲁棒X波段氮化镓低噪声放大器

    摘要： 本文报道了采用商用0.25微米微带GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺的X波段单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）的设计与测量。通过测量中采用的新型有源限幅方法，单芯片实现了低于1.75分贝的噪声系数（NF）和高于16瓦连续波输入功率的耐受能力。据作者所知，该LNA在给定噪声系数水平下具有最高的输入功率处理性能——尽管晶体管并非针对低噪声操作优化，且输入匹配网络是在噪声系数与优于10分贝的输入回波损耗之间折衷实现的。该成果对实现单芯片GaN前端收发机架构具有重要前景。

    关键词： X波段、单片微波集成电路（MMIC）、有源限幅器、低噪声放大器（LNA）、生存能力、鲁棒性、氮化镓（GaN）

    更新于2025-09-04 15:30:14